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本公开的实施例提供了半导体可控整流器(SCR)结构及其形成方法。SCR结构可以包括位于第一绝缘体上并且在其中包括第一阱的第一多晶半导体材料。单晶半导体材料与第一多晶半导体材料相邻并且在其中包括阳极区域和阴极区域。第二多晶半导体材料位于第二绝...
该专利属于格芯（美国）集成电路科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯（美国）集成电路科技有限公司授权不得商用。

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