【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及可控硅模块，尤其涉及一种可控硅模块的制造方法。
技术介绍
1、功率模块是现代电力电子向集成化、微型化发展所必须的电子器件，是电力电子技术发展的一个方向，近年来每年都以20%的速度递增,而且发展趋势仍在继续上升。功率模块是电力电子线路和控制系统的核心器件，它的性能参数直接决定着电力电子系统的效率和可靠性。可控硅功率模块属于功率半导体产品，如果在制造过程中由于制作工艺过于复杂，将造成产品性能下降可靠性降低，而可控硅模块生产过程中焊接工艺的把控和gk极引线如何处理是行业的一个难点，所以改善了焊接工艺和gk极引线的引出方式便可生产出高可靠性的可控硅模块产品。
2、国内to-240aa功率模块目前一直采用两种模式：(一)组件式芯片焊接：买现成的已烧结好上下钼片的芯片作为组件，与其他金属件通过涂覆焊锡膏的方式用热板或其它加热工具将其焊接在一起，gk极引线用高温绝缘线用电烙铁与芯片上gk极焊接。此工工艺芯片通过多次焊接，多次热应力影响会造成可靠性降低。焊锡膏工艺，产品空洞率增加，热阻大，同时阻焊剂残留需使用清洗剂清洗，由此又会带来相应的环境问题。（二）铝丝键合工艺：裸片与dbc板焊接后，用绑定机打铝线，gk线用长的细引线引出，需要多次焊接，工艺复杂且铝丝过载能力差，影响产品品质，因此我们提出了一种可控硅模块的制造方法用于解决上述问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种可控硅模块的制造方法。
2、为了实现上述目的，
3、一种可控硅模块的制造方法，包括以下步骤：
4、步骤一：制备特制的专用模具，专用模具能够容纳可控硅模块的零件，通过专用模具将可控硅模块的零件装配在一起；
5、步骤二：准备材料，可控硅模块的底板，外壳，零件，gk电极，gk极引线；
6、步骤三：通过模具并采用真空共晶工艺将可控硅模块的零件装配到底板上，并引出gk引线；
7、步骤四：将引出gk引线与外部gk电极连接，制成可控硅功率模块主体；
8、步骤五：将壳体套设在底板上，使得gk电极，gk引线均位于壳体内，从而能够制造可控硅模块。
9、优选的，所述共晶采用真空共晶炉且有充保护气体，将内部所有零件焊接一起。
10、优选的，所述真空共晶工艺中使用的焊料设置为焊锡片。
11、优选的，所述gk引线设置为4根，且gk引线设置为细铜线。
12、优选的，所述部gk电极共设置有4个，4个外部gk电极分别对应4根gk极引线。
13、优选的，所述焊接件gk细铜丝与外露gk电极连接。
14、优选的，所述壳体的内壁上安装有gk引线与外部gk电极连接点。
15、本专利技术的有益效果：
16、1.先进一次真空高温共晶工艺 ，产品空洞小，热阻低；
17、2.内部gk电极内部无需人工焊引出线，可靠性高；
18、3.产品制作工序少，过程控制简单，人工成本低；
19、4.整个产品焊接工艺先进，装配工序简单，制作装配过程简单，并能实现自动化生产,成本低，品质可靠。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种可控硅模块的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种可控硅模块的制造方法，其特征在于，所述共晶采用真空共晶炉且有充保护气体，将内部所有零件焊接一起。
3.根据权利要求1所述的一种可控硅模块的制造方法，其特征在于，所述真空共晶工艺中使用的焊料设置为焊锡片。
4.根据权利要求1所述的一种可控硅模块的制造方法，其特征在于，所述GK引线设置为4根，且GK引线设置为细铜线。
5.根据权利要求1所述的一种可控硅模块的制造方法，其特征在于，所述部GK电极共设置有4个，4个外部GK电极分别对应4根GK极引线。
6.根据权利要求1所述的一种可控硅模块的制造方法，其特征在于，所述焊接件GK细铜丝与外露GK电极连接。
7.根据权利要求1所述的一种可控硅模块的制造方法，其特征在于，所述壳体的内壁上安装有GK引线与外部GK电极连接点。
【技术特征摘要】
1.一种可控硅模块的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种可控硅模块的制造方法，其特征在于，所述共晶采用真空共晶炉且有充保护气体，将内部所有零件焊接一起。
3.根据权利要求1所述的一种可控硅模块的制造方法，其特征在于，所述真空共晶工艺中使用的焊料设置为焊锡片。
4.根据权利要求1所述的一种可控硅模块的制造方法，其特征在于，所述gk引线设置为4根，...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈华军，罗文华，
申请(专利权)人：江苏晶佰源半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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