【技术实现步骤摘要】
本申请涉及led，具体而言，涉及一种白光led制备方法及白光led。
技术介绍
1、发光二极管是一种利用pn结将电能转换成光能的器件，由于发光二极管具有可控性好、启动快、寿命长、发光效率高、安全、节能环保等优点，因此发光二极管（led）目前被广泛应用于室内照明、室外照明、车辆灯具以及手持照明等应用领域。
2、为了实现发光二极管的多色调控以及使发光二极管能够发出白光，现有技术通常将量子点分散在远场架构的封装中，由于在全内反射的影响下，发光二极管发出的大部分光会被困在外延层中，因此现有的发光二极管存在由于发出的大部分光被困在外延层中而导致发光二极管的外耦合效率低的问题。
3、针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种白光led制备方法及白光led，能够有效地解决由于发光二极管发出的大部分光被困在外延层中而导致发光二极管的外耦合效率低的问题。
2、第一方面，本申请提供了一种白光led制备方法，其包括以下步骤：
3、制作led外延片，led外延片包括依次连接的外延衬底、缓冲层和外延层；
4、在led外延片上依次形成反射层和金属键合层；
5、将导电衬底键合在金属键合层上；
6、去除外延衬底和缓冲层；
7、对外延层进行刻蚀，以在外延层上形成多个贯穿外延层的通孔；
8、在通孔内形成量子点层；
9、在外延层四周形成绝缘层，并在外延层远
10、在氧化铟锡层上形成n型金属电极层。
11、本申请提供的一种白光led制备方法，能够制备由导电衬底、外延层、反射层、金属键合层、量子点层、绝缘层、氧化铟锡层和n型金属电极层组成的白光led，由于量子点层位于形成在外延层上的通孔内，即本申请相当于量子点分散在外延层内，因此本申请提供的一种白光led制备方法能够有效地改善外延层与量子点之间的耦合，且该白光led能够允许量子点间的非辐射共振能量转移的产生，从而有效地提高外量子效率和有效地解决由于发光二极管发出的大部分光被困在外延层中而导致发光二极管的外耦合效率低的问题。
12、可选地，led外延片还包括gan层，gan层位于缓冲层和外延层之间，外延层包括依次连接的n-gan层、mqws层、ebl层和p-gan层，制作led外延片的步骤包括：
13、在外延衬底上依次生长缓冲层、gan层、n-gan层、mqws层、ebl层、p-gan层；
14、去除外延衬底和缓冲层的步骤包括：
15、去除外延衬底、缓冲层和gan层。
16、可选地，将导电衬底键合在金属键合层上的步骤包括：
17、在导电衬底上形成金属键合层；
18、基于金属键合工艺将导电衬底上的金属键合层与led外延片上的金属键合层键合连接，以将导电衬底键合在led外延片上。
19、可选地，去除外延衬底和缓冲层的步骤包括：
20、对外延衬底进行机械研磨和腐蚀液腐蚀，以去除外延衬底；
21、基于icp刻蚀工艺对缓冲层进行刻蚀，以去除缓冲层。
22、可选地，在通孔内形成量子点层的步骤包括：
23、利用喷墨打印系统对通孔喷涂填充量子点，以在通孔内形成量子点层。
24、可选地，在外延层四周形成绝缘层的步骤包括：
25、基于等离子体增强化学气相沉积工艺在外延层四周形成绝缘层。
26、可选地，在氧化铟锡层上形成n型金属电极层的步骤包括：
27、基于物理气相沉积或化学气相沉积工艺在氧化铟锡层上沉积电极金属，以形成n型金属电极层。
28、第二方面，本申请还提供了一种白光led，其包括：
29、依次连接的导电衬底、金属键合层、反射层和外延层，外延层上设有多个通孔；
30、量子点层，填充在通孔内；
31、绝缘层，设置在金属键合层上且位于外延层外；
32、氧化铟锡层，与外延层的顶部连接；
33、n型金属电极层，设置在氧化铟锡层上。
34、本申请提供的一种白光led，包括导电衬底、外延层、反射层、金属键合层、量子点层、绝缘层、氧化铟锡层和n型金属电极层，由于量子点层位于形成在外延层上的通孔内，即本申请相当于量子点分散在外延层内，因此本申请提供的一种白光led制备方法能够有效地改善外延层与量子点之间的耦合，且该白光led能够允许量子点间的非辐射共振能量转移的产生，从而有效地提高外量子效率和有效地解决由于发光二极管发出的大部分光被困在外延层中而导致发光二极管的外耦合效率低的问题。
35、可选地，导电衬底为硅衬底或碳化硅衬底，导电衬底的厚度为250-1000μm。
36、可选地，金属键合层的材质为镍、金、锡和钛中的多种。
37、由上可知，本申请提供的一种白光led制备方法及白光led，能够制备由导电衬底、外延层、反射层、金属键合层、量子点层、绝缘层、氧化铟锡层和n型金属电极层组成的白光led，由于量子点层位于形成在外延层上的通孔内，即本申请相当于量子点分散在外延层内，因此本申请提供的一种白光led制备方法能够有效地改善外延层与量子点之间的耦合，且该白光led能够允许量子点间的非辐射共振能量转移的产生，从而有效地提高外量子效率和有效地解决由于发光二极管发出的大部分光被困在外延层中而导致发光二极管的外耦合效率低的问题。
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1.一种白光LED制备方法，其特征在于，所述白光LED制备方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的白光LED制备方法，其特征在于，所述LED外延片还包括GaN层，所述GaN层位于所述缓冲层和所述外延层之间，所述外延层包括依次连接的N-GaN层、MQWs层、EBL层和P-GaN层，所述制作LED外延片的步骤包括：
3.根据权利要求1所述的白光LED制备方法，其特征在于，所述将导电衬底键合在所述金属键合层上的步骤包括：
4.根据权利要求1所述的白光LED制备方法，其特征在于，所述去除所述外延衬底和所述缓冲层的步骤包括：
5.根据权利要求1所述的白光LED制备方法，其特征在于，所述在所述通孔内形成量子点层的步骤包括：
6.根据权利要求5所述的白光LED制备方法，其特征在于，所述在所述外延层四周形成绝缘层的步骤包括：
7.根据权利要求1所述的白光LED制备方法，其特征在于，所述在所述氧化铟锡层上形成N型金属电极层的步骤包括：
8.一种白光LED，其特征在于，所述白光LED包括：
9.根据权
10.根据权利要求8所述的白光LED，其特征在于，所述金属键合层的材质为镍、金、锡和钛中的多种。
...【技术特征摘要】
1.一种白光led制备方法，其特征在于，所述白光led制备方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的白光led制备方法，其特征在于，所述led外延片还包括gan层，所述gan层位于所述缓冲层和所述外延层之间，所述外延层包括依次连接的n-gan层、mqws层、ebl层和p-gan层，所述制作led外延片的步骤包括：
3.根据权利要求1所述的白光led制备方法，其特征在于，所述将导电衬底键合在所述金属键合层上的步骤包括：
4.根据权利要求1所述的白光led制备方法，其特征在于，所述去除所述外延衬底和所述缓冲层的步骤包括：
5.根据权利要求1所述的白光led制...
【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，雷蕾，
申请(专利权)人：河源市众拓光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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