【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及igbt模块，尤其涉及一种igbt模块及其封装方法。
技术介绍
1、igbt模块做为新能源电力领域的核心器件，越来越受到重视，国家也投入大量的财力物力来支持igbt产业的发展，目前国内封装企业igbt封装在结构设计及封装工艺上大都按照国际大厂的标准进行设计和工艺设定，目前igbt封装工艺：芯片、dbc、底板焊接→铝线绑定→主电极焊接→e，g电极用绝缘软铜线与外部电极焊接→装壳→灌胶；
2、现有的封装方法封装步骤较为固定，扩展性较差，外部电路的复杂程度较高，不便满足客制化的需求。
3、公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
1、为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：
2、一种igbt模块，包括底板和外壳，所述外壳安装在底板的顶部，所述底板上固定有dbc基板和芯片，所述dbc基板和芯片上连接有导线，所述dbc基板上固定有主电极和e、g铜柱，所述主电极和e、g铜柱上固定有pcb板，且主电极和e、g铜柱贯穿pcb板，所述e、g铜柱分别通过连接线连接有e、g电极，所述外壳将底板上的元器件进行封装，所述主电极和e、g电极延伸至外壳的外侧，且主电极延伸出外壳后弯折为水平状。
3、具体的，所述dbc基板和芯片均焊接在底板上。
4、具体的，所述主电极和e、g铜柱均焊接在dbc基板上。
...【技术保护点】
1.一种IGBT模块，其特征在于，包括：底板(1)和外壳(5)，所述外壳(5)安装在底板(1)的顶部，所述底板(1)上固定有DBC基板(8)和芯片(7)，所述DBC基板(8)和芯片(7)上连接有导线，所述DBC基板上固定有主电极（2）和E、G铜柱（6），所述主电极（2）和E、G铜柱（6）上固定有PCB板（3），且主电极（2）和E、G铜柱（6）贯穿PCB板（3），所述E、G铜柱（6）分别通过连接线连接有E、G电极（4），所述外壳（5）将底板（1）上的元器件进行封装，所述主电极（2）和E、G电极（4）延伸至外壳（5）的外侧，且主电极（2）延伸出外壳（5）后弯折为水平状。
2.根据权利要求1所述的一种IGBT模块，其特征在于，所述DBC基板(8)和芯片(7)均焊接在底板(1)上。
3.根据权利要求1所述的一种IGBT模块，其特征在于，所述主电极（2）和E、G铜柱（6）均焊接在DBC基板上。
4.根据权利要求1所述的一种IGBT模块，其特征在于，所述PCB板（3）焊接在主电极（2）和E、G铜柱（6）上。
5.一种IGBT模块的封装方法，其特
6.根据权利要求5所述的一种IGBT模块的封装方法，其特征在于，所述S4的PCB板（3）上附加有附加IGBT驱动IC或IGBT阻容保护器中的一种或多种。
7.根据权利要求5所述的一种IGBT模块的封装方法，其特征在于，所述S6中所述灌胶为灌冲硅凝胶对模块进行密闭保护。
8.根据权利要求5所述的一种IGBT模块的封装方法，其特征在于，所述DBC基板（8）包括氧化铝陶瓷DBC基板、氧化铝陶瓷 DBA基板、氮化硅AMB或氮化铝DBC。
...【技术特征摘要】
1.一种igbt模块，其特征在于，包括：底板(1)和外壳(5)，所述外壳(5)安装在底板(1)的顶部，所述底板(1)上固定有dbc基板(8)和芯片(7)，所述dbc基板(8)和芯片(7)上连接有导线，所述dbc基板上固定有主电极（2）和e、g铜柱（6），所述主电极（2）和e、g铜柱（6）上固定有pcb板（3），且主电极（2）和e、g铜柱（6）贯穿pcb板（3），所述e、g铜柱（6）分别通过连接线连接有e、g电极（4），所述外壳（5）将底板（1）上的元器件进行封装，所述主电极（2）和e、g电极（4）延伸至外壳（5）的外侧，且主电极（2）延伸出外壳（5）后弯折为水平状。
2.根据权利要求1所述的一种igbt模块，其特征在于，所述dbc基板(8)和芯片(7)均焊接在底板(1)上。
3.根据权利要求1所述的一种igbt...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈华军，罗文华，
申请(专利权)人：江苏晶佰源半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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