基于ＳＯＩ光波导的反射型热光可变光衰减器及制备方法技术

本发明专利技术属于光电子器件领域，具体涉及一种基于ＳＯＩ光波导的反射型热光可变光衰减器及其制备方法。该器件是在ＳＯＩ衬底的顶层硅一侧制作，为一体脊型结构，沿着输入光的方向顺次是输入单模波导１、第一单模渐变波导２、多模波导３、第二单模渐变波导４、输出单模波导５；在各段波导的上表面制备有一层二氧化硅上包层２０４，在二氧化硅上包层的上面制备有用于热光调制的平行四边形金属电极２０５。本发明专利技术所述基于ＳＯＩ光波导的反射型热光可变光衰减器采用光刻、感应耦合等离子体（ＩＣＰ）刻蚀、生长金属膜和金属膜的腐蚀等工艺制作。该可变光衰减器可以在０～３０ｄＢ范围内，实现对光信号的连续可变衰减。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光电子器件领域，涉及一种基于SOI光波导的反射型热光可变光衰减 器及其制备方法。
技术介绍
可变光衰减器是光通信系统中的关键器件之一，在密集波分复用系统中可用作光 源通道能量控制、接收器能量控制、光放大器增益平坦化、信道均衡。对可变光衰减器的特 性要求包括插入损耗低、衰减范围大、低偏振模态色散、低偏振相关损耗、低波长相关损 耗、响应时间快、体积小、功耗低、易于集成等。可变光衰减器主要有机械式可变光衰减器、 波导式可变光衰减器、液晶式可变光衰减器、微机械可变光衰减器等。波导式光衰减器尤其 是硅基波导式光衰减器由于方便和其它光学器件集成，因此具有较好的应用前景。硅基波导式光衰减器的结构形式主要有马赫-曾德尔(M-Z)干涉仪型、多模干涉 (MMI)型和弯曲波导热光型。M-Z型热光可变光衰减器的缺点在于分路合路必然会引入一 定的损耗，同时器件的尺寸较大。MMI型衰减器的原理是调节二重镜像的相位，以实现对光 的衰减，而实际的工艺中准确的对二重镜像点定位有一定难度。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种基于SOI (Silicon on Insulator)光波导的反射型热光 可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于ＳＯＩ光波导的反射型热光可变光衰减器，其特征在于：可变光衰减器是在ＳＯＩ衬底的顶层硅（２０３）一侧制作，为一体脊型结构，沿着输入光的方向顺次是输入单模波导（１）、第一单模渐变波导（２）、多模波导（３）、第二单模渐变波导（４）、输出单模波导（５）；在各段波导的上表面制备有一层二氧化硅上包层（２０４），在二氧化硅上包层的上面制备有用于热光调制的平行四边形金属电极（２０５）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：董玮，瞿鹏飞，周敬然，陈维友，张歆东，刘彩霞，阮圣平，郭文滨，沈亮，
申请(专利权)人：吉林大学，
类型：发明
国别省市：82[中国|长春]