超尺度磁性纳米线中的磁化不均匀性的检测制造技术

本发明专利技术涉及一种用于对由具有纳米横截面尺寸的单个纵向各向异性磁性样品结构中的纳米缺陷所引起的一个或多个磁性不均匀性进行非扰动检测的方法。具有单个自旋缺陷的固态晶格被用于各向异性磁性样品结构的磁强计评估，以确定关于样品结构中的微小缺陷和不一致性的定量信息。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种用于量化自旋电子器件中所使用的切换元件中的结构完整性的方法。

技术介绍

1、自旋电子学器件的成功开发构建在磁性切换元件执行逻辑和存储器操作的可用性之上。磁性纳米线(nw)是基本的构建块，因为它们被认为是可靠的，并且提供了设计灵活性、针对大面积制造的多种选择、以及通过几何形状和各向异性来调整线的磁性性质的替代策略。

2、对于它们在自旋电子器件中的应用，nw通常在载体材料(例如硅或二氧化硅(sio2))上被图案化。这种nw组装件允许密集地布置大量纳米线，例如在衬底的每毫米(mm)宽度3000个nw至20000个nw之间。nw通常均匀地分布在载体材料的区域上。用于自旋电子器件的切换组装件可以例如通过类似于来自互补金属氧化物半导体(cmos)制造过程的栅极间隔物的减法性(subtractive)图案化来制造。

3、在不断增长的场自旋电子器件中，图案化的磁性纳米线表示用于快速传播畴壁(dw)和高存储密度的最优介质。对逻辑和存储器应用都有效的是，基于nw的器件提供了快速的切换速度、良好的可伸缩性和低功率操作。最重要的是，nw是本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于对由纵向各向异性磁性样品结构中的纳米缺陷所导致的一个或多个磁性不均匀性进行非扰动检测的方法，所述纵向各向异性磁性样品结构具有纳米横截面尺寸，优选地具有从1nm到500nm的纳米横截面尺寸，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中自旋缺陷(NV)是金刚石晶格中的氮空位(NV)点缺陷。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中金刚石传感器是单晶金刚石传感器。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，包括沿着磁性样品结构的所扫描部分对磁化分布中的检测到的不均匀性进行绘图的步骤。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种用于对由纵向各向异性磁性样品结构中的纳米缺陷所导致的一个或多个磁性不均匀性进行非扰动检测的方法，所述纵向各向异性磁性样品结构具有纳米横截面尺寸，优选地具有从1nm到500nm的纳米横截面尺寸，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中自旋缺陷(nv)是金刚石晶格中的氮空位(nv)点缺陷。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中金刚石传感器是单晶金刚石传感器。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，包括沿着磁性样品结构的所扫描部分对磁化分布中的检测到的不均匀性进行绘图的步骤。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中扫描位置处的磁场强度与该扫描位置处的pl输出信号的强度相关。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中在每个扫描位置处记录光学地检测的磁共振(odmr)谱。

7.根据权利要求6所述的方法，其中在所记录的odmr谱中的共振峰值的分隔的基础上确定磁场强度。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中磁场分布中的检测到的不均匀性用于标识和/或量化、可选地在一组预定数据的基础上标识和/或量化局部不一致性或缺陷，诸如几何形状、化学计量或化学组成中的不一致性、和/或结晶度或非晶特性中的缺陷。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述预定数据基于经验数据，例如从可比较的或基本相同的磁性样品结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：P·马莱廷斯基，H·钟，F·法瓦罗德奥利维拉，
申请(专利权)人：量子纳米股份公司，
类型：发明
国别省市：