【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电流检测术领域，具体涉及一种基于跨导环路的电流检测电路、一种半导体控制电路、一种半导体控制方法及一种芯片。
技术介绍
1、目前，在供电芯片的使用过程中，可能会出现输出电压高于所需要的电压，或者输出电压高于输入电压(除了特别设计的升压电路外)的情况。出现这种情况可能是因为：输出被拉到一个错误的电压上，也可能是因为瞬态响应中供给的电流超过所需电流导致。如果此时负载很小，或者系统进入低功耗状态，则可能导致输出电压长期超过所期望的电压值，这可能会带来多种不良状况。因此，在设计中通常需要一个放电通路帮助输出电压在合适的时间内下降到正常电压范围内，通常这种放电控制电路是依据检测到的负载，控制芯片工作状态和输出电压综合进行判断的。
2、目前，常用的放电控制电路包括前馈式和反馈式。其中，前馈式的电路往往包含一个预设的门限和一个钳位电路，当电压超过这个范围的时候，则通过拉电流或者灌电流的方式迫使输出停留在正常范围内。但前馈式的缺点是预设的门限和相关电路的精度要足够高，以避免在正常工作中就进入钳位状态；同时对于可调的输出，也需要有相应的调整，有些时候这种相关联的调整是非常复杂的。
3、反馈式通常会通过检测输出电压和输出电流，将判断后的反馈信号输入主控制电路与输出点，当输出满足条件的时候，调整输出。但是，反馈式的缺点是放大误差信号会有高增益节点，降低响应速度，而且通常会有信号进入主环路，或者影响主环路工作，因此，需要考虑瞬态响应的稳定性和建立等问题，但往往因为这些考量，会导致反馈式的响应变慢。
1、本申请实施例的目的是提供一种基于跨导环路的电流检测电路、半导体控制电路及方法，以解决上述问题。
2、为了实现上述目的，本申请第一方面提供一种基于跨导环路的电流检测电路，包括：
3、多个晶体管元件，所述多个晶体管元件的发射结构成闭合环路；
4、所述闭合环路，用于通过偏置电流输入端输入预设的偏置电流、通过输出电流输入端输入待测半导体的输出电流、通过过压电流输入端输入所述待测半导体的过压电流，以及基于所述偏置电流、所述输出电流及所述过压电流产生对应的检测电流，通过检测电流输出端将所述检测电流发送至所述待测半导体的控制电路，以使得所述控制电路能依据所述检测电流对所述待测半导体执行对应控制。
5、可选地，所述多个晶体管元件为偶数个。
6、可选地，所述多个晶体管元件，包括：
7、第一晶体管元件、第二晶体管元件、第三晶体管元件及第四晶体管元件；
8、所述第一晶体管元件的栅极与所述第一晶体管元件的漏极连接，所述第一晶体管元件的源极与所述第二晶体管元件的栅极及所述第三晶体管元件的漏极分别连接；
9、所述第二晶体管元件的源极与所述第四晶体管元件的栅极连接，所述第四晶体管元件的源极与所述第三晶体管元件的源极连接并接地；
10、所述第三晶体管元件的栅极与所述第三晶体管元件的漏极连接。
11、可选地，所述第一晶体管元件的漏极作为偏置电流输入端，用于输入预设的偏置电流；
12、所述第三晶体管元件的漏极作为过压电流输入端，用于输入所述待测半导体的过压电流；
13、所述第四晶体管的漏极作为输出电流输入端，用于输入所述待测半导体的输出电流；
14、所述第二晶体管元件的源极作为检测电流输出端，用于输出检测电流。
15、可选地，所述第二晶体管的漏极及源极分别与所述控制电路连接以构成所述待测半导体的控制回路。
16、可选地，所述晶体管元件为mos管或三极管。
17、可选地，所述晶体管元件为n型mos管。
18、本申请第二方面，提供一种半导体控制电路，包括：
19、上述的基于跨导环路的电流检测电路；以及
20、控制电路；
21、所述电流检测电路用于通过偏置电流输入端输入预设的偏置电流、通过输出电流输入端输入待测半导体的输出电流、通过过压电流输入端输入所述待测半导体的过压电流，以及基于所述偏置电流、所述输出电流及所述过压电流产生对应的检测电流，通过检测电流输出端将所述检测电流发送至所述待测半导体的控制电路；
22、所述控制电路用于依据所述检测电流对所述待测半导体执行对应控制。
23、本申请第三方面，提供一种半导体控制方法，应用于上述的半导体控制电路，包括：
24、向所述电流检测电路的偏置电流输入端施加预设的偏置电流；
25、通过所述电流检测电路的输出电流输入端实时检测所述待测半导体的输出电流，通过所述电流检测电路的过压电流输入端实时检测所述待测半导体的过压电流，以及通过所述电流检测电路，基于所述偏置电流、所述输出电流及所述过压电流产生对应的检测电流，并通过所述电流检测电路的检测电流输出端将所述检测电流发送至所述待测半导体的控制电路；
26、在所述检测电流高于阈值的情况下，通过所述控制电路控制所述待测半导体的输出电流停止输出。
27、本申请第四方面，提供一种芯片，包括：
28、上述的半导体控制电路。
29、本申请基于晶体管元件的跨导环路，将各晶体管元件连接为电流环路，并进行适当的电流偏执，利用器件特性，放大误差信号并处理为所需要的控制电流信号，具有结构简单，易于调整，响应速度快的优点。
30、本申请实施例的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
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1.一种基于跨导环路的电流检测电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基于跨导环路的电流检测电路，其特征在于，所述多个晶体管元件为偶数个。
3.根据权利要求1所述的基于跨导环路的电流检测电路，其特征在于，所述多个晶体管元件，包括：
4.根据权利要求3所述的基于跨导环路的电流检测电路，其特征在于，所述第一晶体管元件的漏极作为偏置电流输入端，用于输入预设的偏置电流；
5.根据权利要求4所述的基于跨导环路的电流检测电路，其特征在于，所述第二晶体管的漏极及源极分别与所述控制电路连接以构成所述待测半导体的控制回路。
6.根据权利要求1-5中任一项权利要求所述的基于跨导环路的电流检测电路，其特征在于，所述晶体管元件为MOS管或三极管。
7.根据权利要求6所述的基于跨导环路的电流检测电路，其特征在于，所述晶体管元件为N型MOS管。
8.一种半导体控制电路，其特征在于，包括：
9.一种半导体控制方法，应用于权利要求8所述的半导体控制电路，其特征在于，包括：
10.一种芯片，其特征
...【技术特征摘要】
1.一种基于跨导环路的电流检测电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基于跨导环路的电流检测电路，其特征在于，所述多个晶体管元件为偶数个。
3.根据权利要求1所述的基于跨导环路的电流检测电路，其特征在于，所述多个晶体管元件，包括：
4.根据权利要求3所述的基于跨导环路的电流检测电路，其特征在于，所述第一晶体管元件的漏极作为偏置电流输入端，用于输入预设的偏置电流；
5.根据权利要求4所述的基于跨导环路的电流检测电路，其特征在于，所述第二晶体管的...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴顺珉，赵天挺，原义栋，胡永山，杜尉丰，季烨程，贾晓鹏，杨茜茜，
申请(专利权)人：北京智芯微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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