具有存储器阵列与外围的集成的装置及方法制造方法及图纸

本申请案涉及用于存储器阵列与外围的集成的装置及方法。各种应用可包含具有存储器装置的设备，所述存储器装置由对所述存储器装置的存储器阵列与所述存储器阵列的外围进行集成处理而结构化。所述存储器装置可用形成于所述外围中的晶体管实施，其中所述晶体管的金属栅极经结构化成在所述金属栅极与所述金属栅极的金属触点之间没有多晶硅区。所述集成处理可在存储器装置的所述存储器阵列与所述存储器阵列的所述外围之间提供梯级高度减小，其中消除了所述外围中的晶体管的栅极堆叠上的多晶硅。所述存储器装置中的所述梯级高度减小可降低重叠电容。

【技术实现步骤摘要】

本公开的实施例大体上涉及存储器系统，且更明确来说，涉及存储器装置及其形成。

技术介绍

1、存储器装置通常被提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含易失性及非易失性存储器。易失性存储器需要电力来维持其数据，且包含随机存取存储器(ram)、动态随机存取存储器(dram)、静态ram(sram)或同步动态随机存取存储器(sdram)等。非易失性存储器可在未供电时保存所存储的数据，且包含快闪存储器、只读存储器(rom)、电可擦除可编程rom(eeprom)、可擦除可编程rom(eprom)、电阻可变存储器(例如相变随机存取存储器(pcram))、电阻性随机存取存储器(rram)、磁阻性随机存取存储器(mram)或三维(3d)xpointtm存储器等。存储器装置的性质可通过增强存储器装置的组件的设计及制造来改进。

技术实现思路

1、本公开的一方面公开一种存储器装置，其包括：存储器阵列区；电介质，其安置于所述存储器阵列区中；数字线触点，其安置于所述电介质中；数字线，其通过所述电介质本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储器装置，其包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述数字线具有等于所述金属触点的厚度的厚度。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述金属组成包含钨。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述最多一个势垒区包含在所述电介质的顶部层阶上方且从所述顶部层阶延伸的硅化钨，且所述一或多个金属势垒区包含氮化硅钨及硅化钨。

5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中所述硅化钨在所述电介质的所述顶部层阶上方延伸约3nm，且组合的所述一或多个金属势垒区在所述金属栅极的顶部层阶上方延伸约6nm。

6.根据权利要求1所述...

【技术特征摘要】

1.一种存储器装置，其包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述数字线具有等于所述金属触点的厚度的厚度。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述金属组成包含钨。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述最多一个势垒区包含在所述电介质的顶部层阶上方且从所述顶部层阶延伸的硅化钨，且所述一或多个金属势垒区包含氮化硅钨及硅化钨。

5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中所述硅化钨在所述电介质的所述顶部层阶上方延伸约3nm，且组合的所述一或多个金属势垒区在所述金属栅极的顶部层阶上方延伸约6nm。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述数字线是钨数字线，其中在所述电介质的顶部层阶上方没有将所述钨数字线耦合到所述数字线触点的势垒区，且所述一或多个金属势垒区包含接触所述金属栅极及所述金属触点的氮化硅钨。

7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中所述氮化硅钨具有3nm的厚度。

8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述外围中的所述晶体管上的所述金属触点的顶部层阶与所述存储器阵列区中的所述数字线的顶部层阶之间的梯级高度是约12nm。

9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·斯里瓦斯塔瓦，R·A·本森，R·辛噶纳马拉，J·戈斯瓦米，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：