包括具有与栅极电极相同材料的着陆结构的图像传感器制造技术

一种图像传感器，包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的下基底，设置在第一表面上的下电路器件，电连接到第一表面上的下电路器件的下布线结构，在第二表面上的下键合垫，在下键合垫和下布线结构之间穿过下基底的下键合过孔，设置在第一表面上并接触下键合过孔的着陆结构，在下键合垫上键合到下键合垫的上键合垫以及设置在上键合垫上并包括光电转换器件的上基底。着陆结构的至少一部分水平重叠下电路器件。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及图像传感器。

技术介绍

1、图像传感器可以被配置为接收光并生成电信号的基于半导体的传感器。图像传感器通常可包括具有多个像素的像素阵列，以及驱动像素阵列并生成图像的逻辑电路。像素中的每一个可以包括光电二极管和将光电二极管生成的电荷转换成电信号的像素电路。

技术实现思路

1、本专利技术构思的实施例提供了一种具有增加的集成密度和改善的电特性的图像传感器。

2、本专利技术构思的实施例提供了一种图像传感器，包括：第一芯片结构，其包括第一基底、第一基底上的第一电路器件和电连接到第一电路器件的第一布线结构；第二芯片结构，其包括第二基底，设置在第一芯片结构上并具有面向第一芯片结构的第一表面和与第一表面相对的第二表面，第二电路器件，在第一表面和第一芯片结构之间，第二电路器件包括栅极电极，第二布线结构，在第二电路器件和第一芯片结构之间电连接到第二电路器件，下键合过孔，穿过第二基底，和下键合垫，在下键合过孔上；以及第三芯片结构，其包括第三基底，设置在第二基底的第二表面上并包括光电转换器件，第三电路器件，设置在本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种图像传感器，包括：

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，着陆结构包括多晶硅。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，第二布线结构包括设置在多个层面上的中间互连线和中间过孔，

4.根据权利要求3所述的图像传感器，其中，中间过孔包括将第一中间互连线和第二电路器件中的第二电路器件彼此连接的第一中间过孔，并且

5.根据权利要求4所述的图像传感器，其中，下键合过孔的下端处于比第一中间过孔的下端更高的层面。

6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，下键合过孔的上端处于比第二基底的第二表面更高的层面。</p>

7.根据...

【技术特征摘要】

1.一种图像传感器，包括：

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，着陆结构包括多晶硅。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，第二布线结构包括设置在多个层面上的中间互连线和中间过孔，

4.根据权利要求3所述的图像传感器，其中，中间过孔包括将第一中间互连线和第二电路器件中的第二电路器件彼此连接的第一中间过孔，并且

5.根据权利要求4所述的图像传感器，其中，下键合过孔的下端处于比第一中间过孔的下端更高的层面。

6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，下键合过孔的上端处于比第二基底的第二表面更高的层面。

7.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，着陆结构包括与第二电路器件的至少一部分水平重叠的部分。

8.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，着陆结构具有与第二电路器件的栅极电极基本相同的厚度。

9.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，着陆结构与第二电路器件间隔开。

10.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，第二电路器件包括第一中间器件、第二中间器件和第三中间器件，

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋玟澔，权杜原，金度延，林京太，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：