【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片，特别是涉及一种adc内部参考电源的校正方法、mcu芯片和存储介质。
技术介绍
1、adc单元(模数转换器)的参考电压是指在进行模数转换时，用于确定输入信号的电压范围的固定电压。这个参考电压是adc单元用来将模拟输入信号转换为数字形式的基准。具有两种类型的参考电源：外部参考电源和内部参考电源。
2、但是实际由于生产过程中，工艺偏差会导致电压波动，adc单元的内部参考电源一致性不好，无法保证内部参考电源的精度。
3、因此，现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
1、鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种adc内部参考电源的校正方法、mcu芯片和存储介质，旨在解决现有的adc单元的内部参考电源的精度不足的问题。
2、本专利技术的技术方案如下：
3、一种adc内部参考电源的校正方法，应用在mcu芯片中，所述mcu芯片具有adc单元，其中，所述一种adc内部参考电源的校正方法包括步骤：所述adc单元在所述adc单元的内部参考电源下工作时，获取输入电压的电压值；所述adc单元的采集模块通过采集通道选择器对所述输入电压进行采样，得到第一采样数据；通过所述输入电压的电压值、所述adc单元的内部参考电源的电压值之间和所述第一采样数据之间的比例关系计算得到所述adc单元的内部参考电源的电压值。
4、所述的一种adc内部参考电源的校正方法，其中，所述输入电压为所述mcu芯片内部的供电电压或外部输入电压。p>
5、所述的一种adc内部参考电源的校正方法，其中，通过所述输入电压的电压值、所述adc单元的内部参考电源的电压值之间和所述第一采样数据之间的比例关系计算得到所述adc单元的内部参考电源的电压值的步骤，包括步骤：通过公式计算得到所述adc单元的内部参考电源的电压值，其中，v1为所述输入电压的电压值，vrefp为所述adc单元的内部参考电源的电压值，data为所述第一采样数据，n为所述adc单元的分辨率的绝对值。
6、所述的一种adc内部参考电源的校正方法，其中，所述获取输入电压的电压值的步骤，具体包括步骤：当所述输入电压为所述mcu芯片内部的供电电压时；校准并获取所述mcu芯片内部的供电电压。
7、所述的一种adc内部参考电源的校正方法，其中，所述校准并获取所述mcu芯片内部的供电电压的步骤，具体包括步骤：所述mcu芯片的一个或多个引脚与外部电路连接；控制所述mcu芯片对所述外部电路提供电压输出；所述外部电路对所述mcu芯片的电压输出进行监测和调整；获取调整后的所述mcu芯片输出的电压的值。
8、所述的一种adc内部参考电源的校正方法，所述校准并获取所述mcu芯片内部的供电电压的步骤，具体包括步骤：使所述adc单元在所述adc单元的外部参考电源下工作；所述adc单元的采集模块通过所述采集通道选择器对所述输入电压进行采样，得到第二采样数据；根据所述第二采样数据和所述外部参考电源对所述输入电压进行校准；使所述adc单元在所述adc单元的内部参考电源下工作。
9、所述的一种adc内部参考电源的校正方法，其中，所述获取输入电压的电压值的步骤，具体包括步骤：当所述输入电压为外部输入电压时；获取外部输入电压的电压值。
10、所述的一种adc内部参考电源的校正方法，其中，还包括步骤：将所述adc单元的内部参考电源的电压值存储至所述mcu芯片的闪存存储器中。
11、本申请还公开了一种mcu芯片，其中，所述mcu芯片执行时实现上述所述的adc内部参考电源的校正方法的步骤。
12、本申请还公开了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其中，所述计算机程序被处理器执行时实现上述所述的adc内部参考电源的校正方法的步骤。
13、与现有技术相比，本专利技术具有以下优点：
14、本申请公开了一种adc内部参考电源的校正方法、mcu芯片和存储介质。所述方法应用在mcu芯片中，所述mcu芯片具有adc单元，其中，所述一种adc内部参考电源的校正方法包括步骤：所述adc单元在所述adc单元的内部参考电源下工作时，获取输入电压的电压值；所述adc单元的采集模块通过采集通道选择器对所述输入电压进行采样，得到第一采样数据；通过所述输入电压的电压值、所述adc单元的内部参考电源的电压值之间和所述第一采样数据之间的比例关系计算得到所述adc单元的内部参考电源的电压值。
15、在本申请中，通过采样数据的方式，以及所述输入电压和所述adc单元的内部参考电源的电压的比例关系，反推出所述adc单元的内部参考电源的电压值，达到得到准确的adc单元的内部参考电源的效果。
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1.一种ADC内部参考电源的校正方法，应用在MCU芯片中，所述MCU芯片具有ADC单元，其特征在于，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的ADC内部参考电源的校正方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的ADC内部参考电源的校正方法，其特征在于，通过所述输入电压的电压值、所述ADC单元的内部参考电源的电压值之间和所述第一采样数据之间的比例关系计算得到所述ADC单元的内部参考电源的电压值的步骤，包括步骤：
4.根据权利要求2所述的ADC内部参考电源的校正方法，其特征在于，所述获取输入电压的电压值的步骤，具体包括步骤：
5.根据权利要求4所述的ADC内部参考电源的校正方法，其特征在于，所述校准并获取所述MCU芯片内部的供电电压的步骤，具体包括步骤：
6.根据权利要求4所述的ADC内部参考电源的校正方法，其特征在于，所述校准并获取所述MCU芯片内部的供电电压的步骤，具体包括步骤：
7.根据权利要求2所述的ADC内部参考电源的校正方法，其特征在于，所述获取输入电压的电压值的步骤，具体包括步骤：
8.根据权
9.一种MCU芯片，其特征在于，所述MCU芯片执行时实现权利要求1至8中任一项所述的ADC内部参考电源的校正方法的步骤。
10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至8中任一项所述的ADC内部参考电源的校正方法的步骤。
...【技术特征摘要】
1.一种adc内部参考电源的校正方法，应用在mcu芯片中，所述mcu芯片具有adc单元，其特征在于，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的adc内部参考电源的校正方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的adc内部参考电源的校正方法，其特征在于，通过所述输入电压的电压值、所述adc单元的内部参考电源的电压值之间和所述第一采样数据之间的比例关系计算得到所述adc单元的内部参考电源的电压值的步骤，包括步骤：
4.根据权利要求2所述的adc内部参考电源的校正方法，其特征在于，所述获取输入电压的电压值的步骤，具体包括步骤：
5.根据权利要求4所述的adc内部参考电源的校正方法，其特征在于，所述校准并获取所述mcu芯片内部的供电电压的步骤，具体包括步骤：
6.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘吉平，瞿驰，王翔，郑增忠，
申请(专利权)人：深圳市航顺芯片技术研发有限公司，
类型：发明
国别省市：
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