近场探头以及近场探测装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种近场探头以及近场探测装置。本发明专利技术提供的近场探头包括：依次堆叠的第一屏蔽层、第一信号传输层、第二信号传输层以及第二屏蔽层，第一信号传输层包括第一信号传输部和第一探测部，第一探测部包括从第一信号传输部左侧开始延伸并朝逆时针转动的第一探测线圈，第二信号传输层包括第二信号传输部和第二探测部，第二探测部包括从第二信号传输部右侧开始延伸并朝顺时针转动的第二探测线圈，第一探测线圈和第二探测线圈采用同轴通孔互连，以形成预设特征阻抗的多匝线圈环路结构。本申请实施例通过设置两个多匝线圈来提高近场探头的探测灵敏度，同时两个反向线圈构成的半裸露的微型金属探测环路可以有效提高近场探头的空间分辨率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电磁检测，具体涉及一种近场探头以及近场探测装置。

技术介绍

1、随着集成电路工艺等电子制造技术的发展，芯片及电路板朝着高集成、高速化方向发展，而随着芯片集成度的提高，芯片中单位面积内的元器件的数量越来越多。从而导致芯片周围的电磁环境越来越复杂。而为了检测芯片的电磁可靠性，需要捕获芯片辐射出的电、磁场信号进行可靠性分析。因此，如何检测芯片辐射出的电、磁场信号，是目前需要解决的问题。

2、近场探头作为近场扫描系统最重要的组成部分之一，其性能的好坏直接决定了扫描系统的应用场景。我国规定为了保障ic芯片的可靠性，产品在上市前必须要通过相关的电磁兼容标准。近场扫描技术在ic电磁干扰测量领域具有巨大的优势和潜力，但是，申请人发现目前市面上商用的高性能近场探头存在售价昂贵，测量效率低下等问题。因此，设计需要高性能近场探头以满足ic电磁干扰测量所需的高灵敏度、高空间分辨率和低成本等市场需求。

技术实现思路

1、本专利技术提供一种近场探头以及近场探测装置，通过两个多匝线圈的结构提高近场探头的探测灵敏度本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种近场探头，其特征在于，包括依次堆叠的第一屏蔽层、第一信号传输层、第二信号传输层以及第二屏蔽层；

2.根据权利要求1所述的近场探头，其特征在于，在所述第一屏蔽层和第一信号传输层之间、所述第一信号传输层和第二信号传输层之间、所述第二信号传输层和第二屏蔽层之间均填充FR-4的介电材料。

3.根据权利要求2所述的近场探头，其特征在于，所述第一屏蔽层、第一信号传输层、第二信号传输层以及第二屏蔽层均为厚度0.035mm的金属层，所述第一屏蔽层、第一信号传输层、第二信号传输层以及第二屏蔽层之间填充FR-4的介电材料厚度为0.182mm。

4.根据权利要求1所...

【技术特征摘要】

1.一种近场探头，其特征在于，包括依次堆叠的第一屏蔽层、第一信号传输层、第二信号传输层以及第二屏蔽层；

2.根据权利要求1所述的近场探头，其特征在于，在所述第一屏蔽层和第一信号传输层之间、所述第一信号传输层和第二信号传输层之间、所述第二信号传输层和第二屏蔽层之间均填充fr-4的介电材料。

3.根据权利要求2所述的近场探头，其特征在于，所述第一屏蔽层、第一信号传输层、第二信号传输层以及第二屏蔽层均为厚度0.035mm的金属层，所述第一屏蔽层、第一信号传输层、第二信号传输层以及第二屏蔽层之间填充fr-4的介电材料厚度为0.182mm。

4.根据权利要求1所述的近场探头，其特征在于，所述第一探测线圈与所述第一信号传输部连接构成第一探测环路，以探测第一射频信号，所述第一信号传输部用于发送所述第一射频信号。

5.根据权利要求1所述的近场探头，其特征在于，所述第二探测线圈与所述第二信号传输部连接构...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘吉平，代丞，易志强，王翔，郑增忠，
申请(专利权)人：深圳市航顺芯片技术研发有限公司，
类型：发明
国别省市：