一种采用多电感磁耦合技术的W波段宽带低噪声放大器制造技术

本发明专利技术公开了一种采用多电感磁耦合技术的W波段宽带低噪声放大器，涉及毫米波集成电路技术领域，包括：第一级共射共基结构放大器、级间匹配网络、第二级共射共基结构放大器和输出匹配网络；其中，第一级共射共基结构放大器包括多电感磁耦合结构、第一共射晶体管、级间串联电感L5、第一共基晶体管和增益提升结构一，增益提升结构一中电感与级间匹配网络中的电感电连接；第二级共射共基结构放大器包括第二共射晶体管、级间串联电感L12、第二共基晶体管和增益提升结构二；增益提升结构二中电感与输出匹配网络电连接。本发明专利技术能够提高放大器的增益和带宽。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于毫米波集成电路，具体涉及一种采用多电感磁耦合技术的w波段宽带低噪声放大器。

技术介绍

1、毫米波具有丰富的频谱资源，能提供较大的信号带宽，但是在无线通信中，毫米波的信号衰减十分严重，存在通信距离过短的问题。通过相控阵实现波束赋形是解决毫米波衰减严重的重要技术。相对于传统的单通道无线收发系统，毫米波相控阵无线收发系统通道数可达上百个，其面积和功耗大幅上升；在一些对系统面积和功耗要求较高的应用场合，无线收发系统的设计往往需要采用较少的器件覆盖更宽的工作频段，从而支持多个通信标准，扩展系统的通用性。低噪声放大器作为毫米波无线接收前端的第一个有源，其宽带特性可以为节省面积和功耗提供支持。

2、低噪声放大器的带宽展宽技术主要包括分布式技术、多阶滤波器匹配技术和反馈技术等。分布式技术是指由多个放大晶体管并联并由特性阻抗为z0的传输线连接而成的放大器，当特性阻抗z0设为50欧姆时，分布式放大器可以在很宽的频带内获得高增益；但是50欧姆的电阻z0会引入热噪声导致噪声系数恶化，并且由于大量使用传输线，芯片的面积很大。多阶滤波器匹配技术是利用带通滤波本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种采用多电感磁耦合技术的W波段宽带低噪声放大器，其特征在于，包括：第一级共射共基结构放大器、级间匹配网络、第二级共射共基结构放大器和输出匹配网络；其中，

2.根据权利要求1所述的采用多电感磁耦合技术的W波段宽带低噪声放大器，其特征在于，所述第一级共射共基结构放大器还包括电容C1和电感L1，所述多电感磁耦合结构包括电感L2、电感L3和电感L4；其中，

3.根据权利要求2所述的采用多电感磁耦合技术的W波段宽带低噪声放大器，其特征在于，所述电感L2和所述电感L3位于同层，所述电感L2与所述电感L3连接，且一体成型；所述电感L4与所述电感L2和所述电感L3位于不同层...

【技术特征摘要】

1.一种采用多电感磁耦合技术的w波段宽带低噪声放大器，其特征在于，包括：第一级共射共基结构放大器、级间匹配网络、第二级共射共基结构放大器和输出匹配网络；其中，

2.根据权利要求1所述的采用多电感磁耦合技术的w波段宽带低噪声放大器，其特征在于，所述第一级共射共基结构放大器还包括电容c1和电感l1，所述多电感磁耦合结构包括电感l2、电感l3和电感l4；其中，

3.根据权利要求2所述的采用多电感磁耦合技术的w波段宽带低噪声放大器，其特征在于，所述电感l2和所述电感l3位于同层，所述电感l2与所述电感l3连接，且一体成型；所述电感l4与所述电感l2和所述电感l3位于不同层，且所述电感l4所在金属层与所述电感l2和所述电感l3所在金属层之间设置有绝缘层，且沿第一方向，所述电感l4的正投影分别与所述电感l2和所述电感l3的正投影至少部分交叠。

4.根据权利要求1所述的采用多电感磁耦合技术的w波段宽带低噪声放大器，其特征在于，所述第一共射晶体管、所述级间串联电感l5和所述第一共基晶体管组成第一共射共基结构放大器，所述第一共射晶体管用于放大输入信号，所述级间串联电感l5用于谐振所述第一共射晶体管的集电极与所述第一共基晶体管的发射极之间的寄生电容，所述第一共射共基结构放大器用于提升增益。

5.根据权利要求4所述的采用多电感磁耦合...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢启军，李阳，李鑫，朱樟明，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：