半导体装置和半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本公开提供一种半导体装置和半导体装置的制造方法。该半导体装置包括衬底、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第一掺杂的氮化物半导体层和第二掺杂的氮化物半导体层。第一氮化物半导体层形成在衬底上。第二氮化物半导体层形成在第一氮化物半导体层上并且具有大于第一氮化物半导体层的带隙的带隙。第一掺杂的氮化物半导体层形成在第二氮化物半导体层上。第二掺杂的氮化物半导体层形成在第二氮化物半导体层上。第一掺杂的氮化物半导体的掺杂剂不同于第二掺杂的氮化物半导体层的掺杂剂。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及一种半导体装置和半导体装置的制造方法，更具体地，涉及一种包括不同类型的掺杂的氮化物半导体层的半导体装置及其制造方法。

技术介绍

1、包括直接带隙半导体的组件，例如，包括iii-v族材料或iii-v族化合物(类别：iii-v化合物)的半导体组件，由于其特性，可以在各种条件下或在各种环境中(例如，在不同的电压和频率下)操作或工作。

2、半导体组件可以包括异质结双极晶体管(hbt)、异质结场效应晶体管(hfet)、高电子迁移率晶体管(hemt)、调制掺杂fet(modfet)等。

技术实现思路

1、在本公开的一些实施例中，提供一种半导体装置。该半导体装置包括衬底、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第一掺杂的氮化物半导体层以及第二掺杂的氮化物半导体层。第一氮化物半导体层形成在衬底上。第二氮化物半导体层形成在第一氮化物半导体层上并且具有大于第一氮化物半导体层的带隙的带隙。第一掺杂的氮化物半导体层形成在第二掺杂的氮化物半导体层上。第二掺杂的氮化物半导体层形成在第二氮化物半导体层上。第一掺杂的氮本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，包括：

2.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置，其中，所述第一掺杂的氮化物半导体层的高度与所述第二掺杂的氮化物半导体层的高度基本上相等。

3.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置，其中，所述第一掺杂的氮化物半导体层与所述第二掺杂的氮化物半导体层间隔开。

4.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置，其中，所述第一掺杂的氮化物半导体层包括P型掺杂的材料，并且所述第二掺杂的氮化物半导体层包括N型掺杂的材料。

5.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置，其中，所述N型掺杂的材料包括4A族元素。

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体装置，包括：

2.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置，其中，所述第一掺杂的氮化物半导体层的高度与所述第二掺杂的氮化物半导体层的高度基本上相等。

3.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置，其中，所述第一掺杂的氮化物半导体层与所述第二掺杂的氮化物半导体层间隔开。

4.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置，其中，所述第一掺杂的氮化物半导体层包括p型掺杂的材料，并且所述第二掺杂的氮化物半导体层包括n型掺杂的材料。

5.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置，其中，所述n型掺杂的材料包括4a族元素。

6.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置，其中，所述n型掺杂的材料包括碳、硅或锗。

7.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置，其中，所述第一掺杂的氮化物半导体层包括氢。

8.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置，其中，所述n型掺杂的材料通过执行第一制造操作来形成，所述第一制造操作包括离子植入。

9.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置，其中，所述n型掺杂的材料通过执行第二制造操作来形成，所述第二制造操作包括扩散。

10.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置，进一步包括：

11.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置，其中，所述第二导电结构的长度小于或等于所述第二掺杂的氮化物半导体层的长度。

12.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置，其中，所述第二导电结构的长度大于所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：张坚发，李思超，
申请(专利权)人：英诺赛科苏州半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：