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本公开提供一种半导体装置和半导体装置的制造方法。该半导体装置包括衬底、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第一掺杂的氮化物半导体层和第二掺杂的氮化物半导体层。第一氮化物半导体层形成在衬底上。第二氮化物半导体层形成在第一氮化物半导体层上并...
该专利属于英诺赛科（苏州）半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英诺赛科（苏州）半导体有限公司授权不得商用。

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