【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件，具体为一种低正向导通损耗的增强型器件的制备方法。
技术介绍
1、第三代宽禁带半导体是相较于第一代硅、锗和第二代砷化镓等禁带更宽的宽禁带半导体。氮化镓材料作为第三代半导体材料，具有宽带隙、直接带隙、高击穿电场、较低的介电常数、高电子饱和漂移速度、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等良好的性质。是实现高温与大功率、高频及抗辐射器件的理想材料，是未来高新技术发展的关键基础材料。但是现有的氮化镓增强型器件在设定为较大的阈值电压时，同时也会产生很大的功耗。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于克服克服现有氮化镓增强型器件功耗大的问题，提供了一种低正向导通损耗的增强型器件的制备方法。
2、为了实现上述目的，本专利技术提供一种低正向导通损耗的增强型器件的制备方法，包括：
3、形成第一增强型器件结构；
4、在所述第一增强型器件结构表面形成第二增强型器件结构；
5、其中，所述第一增强型器件结构包括第一源极、第一漏极和第一栅极；
<...【技术保护点】
1.一种低正向导通损耗的增强型器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的低正向导通损耗的增强型器件的制备方法，其特征在于，所述第二源极位于所述第一源极表面，实现所述第二源极和所述第一源极电连接；所述第二栅极位于所述第一栅极表面，实现所述第二栅极和所述第一栅极电连接；所述第二漏极位于所述第一漏极表面，实现所述第二漏极和所述第一漏极电连接。
3.根据权利要求1所述的低正向导通损耗的增强型器件的制备方法，其特征在于，所述第二增强型器件结构还包括：
4.根据权利要求3所述的低正向导通损耗的增强型器件的制备方法，其特征在于，...
【技术特征摘要】
1.一种低正向导通损耗的增强型器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的低正向导通损耗的增强型器件的制备方法，其特征在于，所述第二源极位于所述第一源极表面，实现所述第二源极和所述第一源极电连接；所述第二栅极位于所述第一栅极表面，实现所述第二栅极和所述第一栅极电连接；所述第二漏极位于所述第一漏极表面，实现所述第二漏极和所述第一漏极电连接。
3.根据权利要求1所述的低正向导通损耗的增强型器件的制备方法，其特征在于，所述第二增强型器件结构还包括：
4.根据权利要求3所述的低正向导通损耗的增强型器件的制备方法，其特征在于，在所述第一增强型器件结构表面形成第二增强型器件结构的步骤包括：
5.根据权利要求4所述的低正向导通损耗的增强型器件的制备方法，其特征在于，所述第二介质层包括第二成核层和第二缓冲层；在所述第一增强型器件结构表面、所述第二栅极金属表面形成第二介质层；刻蚀所述第二介质层表面，使得在所述第二介质层表面的所述第二栅极金属处形成凸起的步骤包括：
6.根据权利要求3所述的低正向导通损耗的增强型器件的制备方法，其特征在于，在所述第一增强型器件结构表面形成第二增强型器件结构的步骤包括：
7.根据权利要求4或6所述的低正向导通损耗的增强型器件的制备方法，其特征在于，所述第二沟道结构暴露至少部分所述第二源极表面、所述第二漏极表面，所述第二沟道结构包括位于所述第二栅极表面的第二势垒层和位于所述第二势垒层表面的第二沟道层；
8.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄明乐，鲁怀贤，夏元治，
申请(专利权)人：合肥仙湖半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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