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本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种低正向导通损耗的增强型器件的制备方法，通过在第一增强型器件结构表面形成第二增强型器件结构，并使得所述第二增强型器件结构的第二源极、第二栅极、第二漏极分别电连接所述第一增强型器件结构的第一源极、第一栅极...
该专利属于合肥仙湖半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥仙湖半导体科技有限公司授权不得商用。

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