【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体制造，尤其涉及一种用于在晶圆表面沉积薄膜的炉管。
技术介绍
1、低压化学气相沉积工艺(lpcvd)主要应用于半导体生产过程中晶圆上薄膜的制备。lpcvd是将反应气体输送到用于在晶圆表面沉积薄膜的炉管中，使反应气体与炉管内的晶圆发生化学反应，从而在晶圆的表面沉积一层薄膜。低压化学气相沉积工艺一般一次可将上百片晶圆放置于晶舟上，送入炉管中同时沉积薄膜。
2、在现有技术中，晶圆在炉管内沉积的存在薄膜形成不均匀的情况。具体为，反应气体在进行工艺沉积过程中，由于反应气体相对于晶圆垂直喷射的，导致顶部晶圆接触的反应气体较多，底部晶圆由于被阻挡，其接触的反应气体较少，使得同一批次晶圆膜厚不同，产品均匀性下降，造成晶圆表面膜厚不均匀，产品良率下降。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种用于在晶圆表面沉积薄膜的炉管，提高了同一批次晶圆沉积薄膜的均匀性，提高了产品的良率以及生产的效率。
2、为实现上述目的，第一方面，本技术提供了一种用于在晶圆表面沉积薄膜的炉管，包...
【技术保护点】
1.一种用于在晶圆表面沉积薄膜的炉管，其特征在于，包括导气件、管体和挡板；
2.根据权利要求1所述的用于在晶圆表面沉积薄膜的炉管，其特征在于，还包括进气管，所述进气管设于所述管体的外侧壁；
3.根据权利要求2所述的用于在晶圆表面沉积薄膜的炉管，其特征在于，所述进气孔靠近所述挡板开设。
4.根据权利要求2所述的用于在晶圆表面沉积薄膜的炉管，其特征在于，所述进气孔距离所述挡板的高度不大于所述导气件的上端口。
5.根据权利要求1所述的用于在晶圆表面沉积薄膜的炉管，其特征在于，所述导气件沿其轴向开设有通孔，以使所述气体缓存腔内与
【技术特征摘要】
1.一种用于在晶圆表面沉积薄膜的炉管，其特征在于，包括导气件、管体和挡板；
2.根据权利要求1所述的用于在晶圆表面沉积薄膜的炉管，其特征在于，还包括进气管，所述进气管设于所述管体的外侧壁；
3.根据权利要求2所述的用于在晶圆表面沉积薄膜的炉管，其特征在于，所述进气孔靠近所述挡板开设。
4.根据权利要求2所述的用于在晶圆表面沉积薄膜的炉管，其特征在于，所述进气孔距离所述挡板的高度不大于所述导气件的上端口。
5.根据权利要求1所述的用于在晶圆表面沉积薄膜的炉管，其特征在于，所述导气件沿其轴向开设有通孔，以使所述气体缓存腔内与所述反应腔导通。
【专利技术属性】
技术研发人员：耿晨晨，林晓涵，焦圣杰，田志辉，杨涛，
申请(专利权)人：芯恩青岛集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：
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