一种新型Chiplet异构集成封装结构制造技术

本发明专利技术公开了一种新型Chiplet异构集成封装结构，涉及半导体封装技术领域，该结构包括基板、SOC芯片、由一整块第二TSV转接板分割成的多个第一TSV转接板和多组Chiplet，基板一面内挖形成腔体放置SOC芯片，另一面设有锡球，第一TSV转接板设置在基板具有腔体的一面，多颗3D堆叠的Chiplet为一组位于相应的第一TSV转接板上；每组Chiplet与SOC芯片通过相应的第一TSV转接板进行互联，其余IO端均通过基板引出至锡球。该封装结构在保持现有Chiplet技术互联信号走线短，延迟低优点的同时，能够满足系统尺寸小型化的需求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体封装，尤其是一种新型chiplet异构集成封装结构。

技术介绍

1、现有的chiplet异构集成技术一般采用的是3d堆叠结构，即先将多颗chiplet101通过tsv技术进行3d堆叠，再与soc芯片102在tsv转接板103上进行互联，最后通过基板104引出锡球，如图1所示。tsv转接板103为一块整板，造价昂贵且在堆叠结构中占用一部分空间，使得现有chiplet异构集成结构不能满足尺寸持续减小、成本降低等需求。

技术实现思路

1、本专利技术人针对上述问题及技术需求，提出了一种新型chiplet异构集成封装结构，本专利技术的技术方案如下：

2、一种新型chiplet异构集成封装结构，包括：

3、基板，基板一面内挖形成腔体，另一面设有锡球；

4、soc芯片，埋入腔体中；

5、多个第一tsv转接板，第一tsv转接板设置在基板具有腔体的一面；

6、多组chiplet，每组中包含多颗3d堆叠的chiplet，且位于相应的第一tsv转接板上本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种新型Chiplet异构集成封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的新型Chiplet异构集成封装结构，其特征在于，多个第一TSV转接板由一整块第二TSV转接整板分割而成。

3.根据权利要求1所述的新型Chiplet异构集成封装结构，其特征在于，所述SOC芯片设有硅通孔，用于将与Chiplet互联的IO端引到所述SOC芯片的外露表面，再与相应的第一TSV转接板连接。

4.根据权利要求1所述的新型Chiplet异构集成封装结构，其特征在于，所述SOC芯片的外露表面和基板面齐平，且在所述SOC芯片和基板上设有一层油墨。

5....

【技术特征摘要】

1.一种新型chiplet异构集成封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的新型chiplet异构集成封装结构，其特征在于，多个第一tsv转接板由一整块第二tsv转接整板分割而成。

3.根据权利要求1所述的新型chiplet异构集成封装结构，其特征在于，所述soc芯片设有硅通孔，用于将与chiplet互联的io端引到所述soc芯片的外露表面，再与相应的第一tsv转接板连接。

4.根据权利要求1所述的新型chiplet异构集成封装结构，其特征在于，所述soc芯片的外露表面和基板面齐平，且在所述soc芯片和基板上设有一层油墨。

5.根据权利要求1所述的新型chiplet...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘燚，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：