【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本说明书涉及管芯。更具体地，本说明书涉及具有用于管芯的区之间的隔离的贯通沟槽的管芯。
技术介绍
1、在电子器件中，晶片(也称为切片)是用于制造集成电路(ic)的半导体薄切片，例如晶体硅(c-si)。晶片用作在晶片内和晶片上构建的微电子装置的衬底。晶片经历许多微制造工艺，例如掺杂、离子注入、蚀刻、各种材料的薄膜沉积以及光刻图案化。最后，包含微电路的各个管芯通过晶片切割分离并封装为集成电路。
2、聚对二甲苯是包含氢(h)和碳(c)原子的有机聚合物。聚对二甲苯是疏水性的，且对大多数化学物质具有抗性。聚对二甲苯涂层通常用于电子电路和其它设备，作为电绝缘、防潮阻挡层或防腐蚀和化学侵蚀的保护层。聚对二甲苯涂层是在单体对二甲苯的气氛中通过化学气相沉积施加的。
技术实现思路
1、第一实例涉及一种装置，其包含具有金属化堆叠的管芯。所述装置具有衬底，所述衬底具有位于所述金属化堆叠下方的第一区、第二区和第三区。所述装置包含填充有聚合物电介质的第一隔离沟槽，所述第一隔离沟槽在所述衬底的所述第一区与所述...
【技术保护点】
1.一种装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一隔离沟槽从所述衬底的所述外围上的第一边缘延伸到所述衬底的所述外围上的第二边缘，所述第一边缘平行于所述第二边缘。
3.根据权利要求2所述的装置，其中所述第一隔离沟槽是线性的。
4.根据权利要求2所述的装置，其中所述第一隔离沟槽是非线性的。
5.根据权利要求2所述的装置，其中所述第二隔离沟槽在所述衬底的所述第三区中，并且具有包围所述第二区的矩形形状。
6.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一隔离沟槽和所述第二隔离沟槽在所述衬底的所述第一区中，并且...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一隔离沟槽从所述衬底的所述外围上的第一边缘延伸到所述衬底的所述外围上的第二边缘，所述第一边缘平行于所述第二边缘。
3.根据权利要求2所述的装置，其中所述第一隔离沟槽是线性的。
4.根据权利要求2所述的装置，其中所述第一隔离沟槽是非线性的。
5.根据权利要求2所述的装置，其中所述第二隔离沟槽在所述衬底的所述第三区中，并且具有包围所述第二区的矩形形状。
6.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一隔离沟槽和所述第二隔离沟槽在所述衬底的所述第一区中，并且所述第一隔离沟槽包围所述衬底的所述第二区，并且所述第二隔离沟槽包围所述衬底的所述第三区。
7.根据权利要求6所述的装置，其中所述第一隔离沟槽和所述第二隔离沟槽具有矩形形状。
8.根据权利要求1所述的装置，其中所述管芯包括贯通孔，所述贯通孔提供所述管芯的第一表面与所述管芯的第二表面之间的电连接，并且所述第一表面与所述第二表面相对。
9.根据权利要求8所述的装置，其中所述管芯耦合到互连件的焊盘。
10.根据权利要求8所述的装置，其中所述管芯是第一管芯，所述装置包括第二管芯，并且所...
【专利技术属性】
技术研发人员：斯科特·罗伯特·萨默菲尔德，B·S·库克，西蒙·乔舒亚·雅各布斯，S·赫策，
申请(专利权)人：德州仪器公司，
类型：发明
国别省市：
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