【技术实现步骤摘要】
本公开涉及制造覆盖窗的方法和由此制造的覆盖窗。更特别地，本公开涉及其中以晶片级进行工艺的制造蓝宝石覆盖窗的方法以及涉及由此制造的蓝宝石覆盖窗。
技术介绍
1、覆盖窗通常附接至显示器或相机模块的前表面以保护显示面板、相机模块等。
2、覆盖窗本质上需要是高度透明、耐久和耐刮擦的，因此使用钢化玻璃的基于玻璃的覆盖窗已被广泛使用。
3、随着昂贵的移动电话配备有高性能相机模块，对更好的耐久性和耐刮擦性的需求正在增长。出于该目的，已经对使用蓝宝石的覆盖窗进行了研究。
4、蓝宝石具有比钢化玻璃更高的表面硬度，并且已知是物理和化学稳定的，从而可有效地应用于相机模块用覆盖窗。
5、由于高表面硬度的特性，这样的蓝宝石经历使用金刚石砂轮或用激光束进行的切割过程以被加工成预定形状。
6、在制造覆盖窗的现有工艺中，进行将蓝宝石晶片切割成单位单元，然后以单位单元级进行后续过程(印刷层等的形成过程)的单元工艺。
7、图1a、1b、1c、1d、1e、1f、1g和1h示出了用于制造相机覆盖窗的现有单元工艺的示意图，其中该工艺包括：首先准备蓝宝石晶片(图1a)，将蓝宝石晶片切割成单位单元(图1b)，通过更换清洁夹具中的单元来进行一次清洁过程(图1c)，通过更换印刷夹具中的单元来进行印刷过程(图1d)，通过再次更换清洁夹具中的单元来进行二次清洁过程(图1e)，通过分别更换抗反射(ar)涂覆夹具(图1f)和相对表面上的抗指纹(af)涂覆夹具(图1g)中的单元来进行ar涂覆过程和af涂覆过程；以及最
8、换言之，在现有单元工艺中，单位单元通过以下形成：使用金刚石砂轮或用激光束沿着单元边缘完全切割晶片，除去虚拟部(dummy)，然后进行后续过程。
9、在制造相机覆盖窗的情况下，如图1a、1b、1c、1d、1e、1f、1g和1h所示，由于每个过程的特性，需要连续使用不同类型的夹具，同时改变单元的方向。
10、例如，在清洁过程期间需要对单元的两个表面进行清洁，在印刷过程期间在单元的后表面(背表面)上形成印刷层，以及在ar涂覆过程期间在单元的后表面(背表面)或两个表面上形成ar涂层。在这种情况下，夹具需要被设计成具有这样的结构：使得单元不因其自重而脱离，因为单元被附接至真空蒸发器的顶部。此外，由于在af涂覆过程期间需要在单元的前表面上形成af涂层，因此用于每个过程的夹具是不兼容的。
11、当夹具不兼容时，如上所述，每当每个过程开始和结束时频繁需要处理以将单元插入夹具和从夹具移出，导致极低的效率。
12、此外，即使在进行印刷过程、ar涂覆过程和af涂覆过程的单位单元级工艺期间，很可能单元之间的品质变化或者工艺缺陷率增加。
13、特别地，与具有大尺寸的单元的情况相比，在具有小于30mm或更小的尺寸的小单元的情况下，单元处理不容易。因此，上述夹具对于使用是必需的。出于该目的，必须重复将单元一个接一个地装载到夹具上并从夹具上卸载其的过程。
14、上述问题在这样的小单元中变得更明显。此外，产率降低且缺陷率进一步增加，因此生产成本迅速增加。
技术实现思路
1、本公开源于上述需求。本公开的目的是提供其中以晶片级进行使用蓝宝石晶片的单元制造工艺的制造蓝宝石覆盖窗的方法以及由此制造的蓝宝石覆盖窗晶片晶片。
2、为了实现本公开的目的，本公开涉及制造蓝宝石覆盖窗的方法和由此制造的蓝宝石覆盖窗，所述制造蓝宝石覆盖窗的方法包括：准备蓝宝石晶片；用激光束在蓝宝石晶片上形成单元边缘处理部分；通过在单元边缘处理部分上选择性地进行湿法蚀刻而在蓝宝石晶片上形成蚀刻部分；以及通过对其上形成有蚀刻部分的蓝宝石晶片进行挤压而从蓝宝石晶片分离出单元。
3、此外，在形成单元边缘处理部分时，优选使用皮秒激光或飞秒激光。
4、此外，单元边缘处理部分优选包括通过将来自激光的能量垂直地转移至蓝宝石晶片而沿着单元边缘形成的修饰部分。
5、此外，修饰部分优选沿着单元边缘形成在垂直于蓝宝石晶片的方向上并且包括多个通孔，所述多个通孔以1μm至5μm范围内的距离彼此间隔开。
6、此外，修饰部分优选包括由于在形成通孔时的冲击扩散而在通孔周围形成的裂纹。
7、此外，在形成蚀刻部分时，使用naoh水溶液、koh水溶液或二者的混合物作为蚀刻剂。
8、此外，当使用naoh水溶液作为蚀刻剂时，优选在以下条件下进行湿法蚀刻：naoh水溶液的浓度在50％至95％的范围内，温度在130℃至220℃的范围内，以及蚀刻时间在1小时至48小时的范围内。
9、此外，当使用koh水溶液作为蚀刻剂时，优选在以下条件下进行湿法蚀刻：koh水溶液的浓度在40％至90％的范围内，温度在130℃至220℃的范围内，以及蚀刻时间在10分钟至20小时的范围内。
10、此外，蚀刻部分优选包括在单元之间或者在单元与虚拟部之间沿着单元边缘形成的间隙。
11、此外，间隙优选包括距离单元的表面具有预定深度并且距离单元的侧表面具有预定宽度的倒角。倒角优选具有为蓝宝石晶片的厚度的10％至50％的深度以及在1μm至50μm的范围内的宽度。
12、此外，在形成单元边缘处理部分时，单元边缘处理部分优选形成为使得单元尺寸l和单元间距s满足0≤s≤l，所述单元间距s为单元至单元的间距。
13、此外，在形成蚀刻部分之后，在蓝宝石晶片上优选形成黑矩阵(bm)印刷层、抗反射(ar)涂层和抗指纹(af)涂层中的任一者或者两者或更多者。
14、此外，蓝宝石晶片的单元尺寸l和厚度t优选满足10t≤l≤250t。
15、在本公开中，如上所述，在以蓝宝石晶片级实施整个过程之后，从蓝宝石晶片分离出单位单元，这在提供尺寸为30mm或更小的由上述方法制造的蓝宝石覆盖窗时是有用的。
16、本公开提供了其中当使用蓝宝石晶片制造覆盖窗时，可以以晶片级进行整个过程的制造蓝宝石覆盖窗的方法以及由此制造的蓝宝石覆盖窗。
17、在本公开中，用激光束在蓝宝石晶片上形成单元边缘处理部分，然后通过经由湿法蚀刻工艺在单元边缘处理部分上选择性地进行蚀刻来形成蚀刻部分。因此，整个过程可以以晶片级完成，并且可以分离出单元，从而极大地提高性能和产率。
18、换言之，在本公开中，在单元边缘处理部分(即，通过吸收来自激光的能量而弱化或变形的修饰部分(通孔和裂纹))周围选择性地进行湿法蚀刻。因此，通过优化激光处理和湿法蚀刻的过程条件，可进行保持单元在后续过程期间不分离并允许保持晶片形状的晶片级工艺(wafer-level process，wlp)。
19、此外，晶片级工艺不需要夹具。由于晶片本身起到夹具的作用，因此在各个过程之间不需要将单元装载到夹具上或从夹具上卸载单元的过程。因此，整个过程被简化。
20、此外，根据本公开，使用蓝宝石晶片本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种制造蓝宝石覆盖窗的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中在形成所述单元边缘处理部分时，使用皮秒激光或飞秒激光。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述单元边缘处理部分包括通过将来自所述激光的能量垂直地转移至所述蓝宝石晶片而沿着单元边缘形成的修饰部分。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述修饰部分沿着所述单元边缘形成在垂直于所述蓝宝石晶片的方向上并且包括多个通孔，所述多个通孔以1μm至5μm范围内的距离彼此间隔开。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述修饰部分包括由于在形成所述通孔时的冲击扩散而在所述通孔周围形成的裂纹。
6.根据权利要求1所述的方法，其中在形成所述蚀刻部分时，使用NaOH水溶液、KOH水溶液或二者的混合物作为蚀刻剂。
7.根据权利要求6所述的方法，其中当使用所述NaOH水溶液作为所述蚀刻剂时，在以下条件下进行所述湿法蚀刻：所述NaOH水溶液的浓度在50％至95％的范围内，温度在130℃至220℃的范围内，以及蚀刻时间在1小时至48小时的范围内。
8.根
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻部分包括在单元之间或者在所述单元与虚拟部之间沿着单元边缘形成的间隙。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述间隙包括距离所述单元的表面具有预定深度并且距离所述单元的侧表面具有预定宽度的倒角。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述倒角的深度为所述蓝宝石晶片的厚度的10％至50％，以及
12.根据权利要求1所述的方法，其中在形成所述单元边缘处理部分时，所述单元边缘处理部分形成为使得单元尺寸L和单元间距S满足0≤S≤L，所述单元间距S为单元至单元的间距。
13.根据权利要求1所述的方法，其中在形成所述蚀刻部分之后，在所述蓝宝石晶片上形成黑矩阵(BM)印刷层、抗反射(AR)涂层和抗指纹(AF)涂层中的任一者或者两者或更多者。
14.根据权利要求1所述的方法，其中所述蓝宝石晶片的单元尺寸L和厚度T满足10T≤L≤250T。
15.根据权利要求1所述的方法，其中以蓝宝石晶片级实施整个过程之后，从所述蓝宝石晶片分离出单位单元。
16.根据权利要求15所述的方法，其中由此制造的所述覆盖窗的尺寸为30mm或更小。
...【技术特征摘要】
1.一种制造蓝宝石覆盖窗的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中在形成所述单元边缘处理部分时，使用皮秒激光或飞秒激光。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述单元边缘处理部分包括通过将来自所述激光的能量垂直地转移至所述蓝宝石晶片而沿着单元边缘形成的修饰部分。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述修饰部分沿着所述单元边缘形成在垂直于所述蓝宝石晶片的方向上并且包括多个通孔，所述多个通孔以1μm至5μm范围内的距离彼此间隔开。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述修饰部分包括由于在形成所述通孔时的冲击扩散而在所述通孔周围形成的裂纹。
6.根据权利要求1所述的方法，其中在形成所述蚀刻部分时，使用naoh水溶液、koh水溶液或二者的混合物作为蚀刻剂。
7.根据权利要求6所述的方法，其中当使用所述naoh水溶液作为所述蚀刻剂时，在以下条件下进行所述湿法蚀刻：所述naoh水溶液的浓度在50％至95％的范围内，温度在130℃至220℃的范围内，以及蚀刻时间在1小时至48小时的范围内。
8.根据权利要求6所述的方法，其中当使用所述koh水溶液作为所述蚀刻剂时，在以下条件下进行所述湿法蚀刻：所述koh水溶液的浓度在40％至90％的范围...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄在永，金学喆，金贤镐，罗龙培，
申请(专利权)人：UTI有限公司，
类型：发明
国别省市：
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