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【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶体合成,特别是涉及一种外延晶片及其制备方法。
技术介绍
1、在外延生长过程中,衬底的第一表面上生长外延层的同时,与第一表面相对设置的第二表面上不可避免地也会形成少量的结晶。而衬底第二表面上的结晶会破坏晶片整体的平整度,影响后续芯片制造的吸附或对焦等工艺。现有技术中,通过对晶片衬底的第二表面进行抛光处理以去除结晶,但是抛光操作容易损伤衬底及衬底第一表面上的外延层,进而造成芯片制造阶段的良率损失。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点,本专利技术的目的在于提供一种外延晶片及其制备方法,能够在去除衬底第二表面上的结晶的同时,不破坏晶片衬底及第一表面上的外延层,提高外延晶片的质量。
2、为解决上述技术问题,本专利技术是通过以下技术方案实现的。
3、本专利技术提供一种外延晶片的制备方法,至少包括以下步骤:
4、提供一衬底,所述衬底包括相对设置的第一表面和第二表面;
5、在所述第二表面上形成环形碳层,所述环形碳层设置在所述第二表面的边缘;
6、翻转所述衬底,暴露所述第一表面;
7、在所述第一表面上生长外延层;以及
8、去除所述环形碳层,得到外延晶片。
9、在本专利技术一实施例中,所述环形碳膜的厚度为1~10μm。
10、在本专利技术一实施例中,所述环形碳层的碳源包括石墨、金刚石和碳/碳复合材料中的至少一种。
11、在本专利技术一实施例中,在所述第二表面
12、将所述衬底放置在载具上,暴露所述第二表面;
13、提供一圆形挡板,将所述圆形挡板放置在所述第二表面中心的上方;以及
14、通过磁控溅射,在所述第二表面上形成环形碳层。
15、在本专利技术一实施例中,所述圆形挡板与所述衬底之间的距离为0.5~1.5mm。
16、在本专利技术一实施例中,所述衬底的直径与所述圆形挡板的直径比值为1.3~1.7。
17、在本专利技术一实施例中,所述载具包括固定件和支架,所述固定件设置在所述支架的内侧壁上。
18、在本专利技术一实施例中,翻转所述衬底的步骤,包括:
19、机械臂接触所述第二表面的中心区域,固定所述衬底;以及
20、所述机械臂移动并翻转所述衬底,将所述衬底放置在反应腔中。
21、在本专利技术一实施例中,去除所述环形碳层的方式包括毛刷刷动、无尘布擦拭、胶膜吸附、超声清洗、兆声清洗、气体吹除和高压液体去除中的至少一种。
22、本专利技术还提出一种外延晶片,采用以上任意一项所述的外延晶片的制备方法获得。
23、综上所述,本专利技术提供了一种外延晶片及其制备方法,摒弃传统的抛光方法,能够在去除衬底的第二表面上的结晶、提高晶片整体平整性的同时,不破坏衬底及第一表面上的外延层,获得高质量的外延晶片,从而提高芯片制造的良率。
24、当然,实施本专利技术的任一方式并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
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1.一种外延晶片的制备方法,其特征在于,至少包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的外延晶片的制备方法,其特征在于,所述环形碳层的厚度为1~10μm。
3.根据权利要求1所述的外延晶片的制备方法,其特征在于,所述环形碳层的碳源包括石墨、金刚石和碳/碳复合材料中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的外延晶片的制备方法,其特征在于,在所述第二表面上形成环形碳层的步骤,包括:
5.根据权利要求4所述的外延晶片的制备方法,其特征在于,所述圆形挡板与所述第二表面之间的距离为0.5~1.5mm。
6.根据权利要求4所述的外延晶片的制备方法,其特征在于,所述衬底的直径与所述圆形挡板的直径比值为1.3~1.7。
7.根据权利要求4所述的外延晶片的制备方法,其特征在于,所述载具包括固定件和支架,所述固定件设置在所述支架的内侧壁上。
8.根据权利要求1所述的外延晶片的制备方法,其特征在于,翻转所述衬底的步骤,包括:
9.根据权利要求1所述的外延晶片的制备方法,其特征在于,去除所述环形碳层的方式包括毛刷刷动
10.一种外延晶片,其特征在于,采用权利要求1-9任意一项所述的外延晶片的制备方法获得。
...【技术特征摘要】
1.一种外延晶片的制备方法,其特征在于,至少包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的外延晶片的制备方法,其特征在于,所述环形碳层的厚度为1~10μm。
3.根据权利要求1所述的外延晶片的制备方法,其特征在于,所述环形碳层的碳源包括石墨、金刚石和碳/碳复合材料中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的外延晶片的制备方法,其特征在于,在所述第二表面上形成环形碳层的步骤,包括:
5.根据权利要求4所述的外延晶片的制备方法,其特征在于,所述圆形挡板与所述第二表面之间的距离为0.5~1.5mm。
6.根据权利要求4所述的外延晶片的制备...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐慧文,马远,张德,唐军,潘尧波,
申请(专利权)人:中电化合物半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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