一种碳化钽涂层及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种碳化钽涂层及其制备方法，具体涉及材料制备领域。该碳化涂层的制备方法包括如下步骤：提供一碳基体；对所述碳基体表面进行活化处理；在经活化处理后的碳基体的表面均匀设置一层填充剂；将有机钽沉积于放置有所述填充剂的碳基体表面；对沉积有机钽的碳基体进行热处理，在所述碳基体的表面形成一层碳化钽涂层。本发明专利技术制备的碳化钽涂层的致密性、硬度、耐腐良好，且碳化钽涂层与碳基体的结合性良好，适用于碳化硅晶体的生长。适用于碳化硅晶体的生长。适用于碳化硅晶体的生长。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化钽涂层及其制备方法


[0001]本专利技术涉及材料制备领域，具体涉及一种碳化钽涂层及其制备方法。

技术介绍

[0002]以石墨、碳纤维、碳/碳(C/C)复合材料为代表的碳基材料由于其高比强度和比模量，良好的抗热震和抗腐蚀性能，被广泛应用于航空航天、化工、能源存储等领域。随着应用领域的深入和扩展，碳基材料应用环境日益苛刻，普遍存在高温有氧环境下易氧化和不耐氨气、耐划性能较差等缺点，材料面临高温氧化烧蚀、固体粒子冲刷、化学腐蚀和熔盐侵蚀等问题。通过将超高温陶瓷作为涂层涂覆到碳基体材料表面，可以使得碳基体材料具有高弹性模量、高硬度和良好抗热震和抗氧化、耐烧蚀等优异性能。开发具有高熔点、优良抗氧化烧蚀、耐化学腐蚀性能更强的陶瓷涂层十分关键。
[0003]碳化硅晶体生长作为碳基材料应用领域，在晶体生长过程中，气氛中的气相硅会对石墨坩埚产生严重腐蚀，导致石墨件使用寿命减少。碳化钽(TaC)陶瓷熔点高达3880℃，具有高硬度(莫氏硬度9～10)、较大的导热系数(22W
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化钽涂层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一碳基体；对所述碳基体表面进行活化处理；在经活化处理后的碳基体的表面均匀设置一层填充剂；将有机钽沉积于放置有所述填充剂的碳基体表面；对沉积有机钽的碳基体进行热处理，在所述碳基体的表面形成一层碳化钽涂层。2.根据权利要求1所述的碳化钽涂层的制备方法，其特征在于，所述活化处理包括化学活化或物理活化中的任意一种。3.根据权利要求1所述的碳化钽涂层的制备方法，其特征在于，所述填充剂包括金属微球或硅颗粒中的任意一种或者两种组合。4.根据权利要求3所述的碳化钽涂层的制备方法，其特征在于，所述金属微球包括金微球、银微球、铜微球、铁微球、钽微球、钨微球中的任意一种或多种。5.根据权利要求1所述的碳化钽涂层的制备方法，其特征在于，所述填充剂与所述有机钽的重量比为1:3～1:5。6.根据权利要求1所述的碳化钽涂层的制备方...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈豆，马远，程丹妃，李坚，潘尧波，
申请(专利权)人：中电化合物半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：