【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于光伏组件制造，特别是关于一种制绒双后清洗工艺。
技术介绍
1、制绒工序中的有机物残留会极大的影响扩散及钝化工艺，造成电池片的效率偏低，当前制绒后清洗采用双氧水洗去除添加剂残留的有机物，方案如下：上料→预清洗→水洗→制绒→水洗→水洗→后清洗(双氧水h2o2)→水洗→酸洗→水洗→慢提拉→烘干→下料。中国专利公开号为cn2022109598053公开了异质结太阳能电池的制绒清洗工艺方法，包括：采用氢氧化钾和双氧水组成的预清洗液对n型硅片进行预清洗，以去除n型硅片表面切割残留的有机物以及金属杂质污染物；水洗后，采用氢氧化钾和制绒添加剂组成的制绒液对硅片进行制绒处理；水洗后，采用臭氧水和盐酸组成的混合水溶液对硅片进行清洗处理；水洗后，采用臭氧水和氢氟酸组成的混合水溶液对硅片进行清洗处理；水洗后，采用双氧水和盐酸组成的混合水溶液对硅片进行清洗处理；水洗后，采用氢氟酸水溶液对硅片进行清洗；对硅片进行热水洗，并通入干净空气加热烘干。本专利技术具有工艺步骤少、成本低、出绒均匀性好、更环保等优点。但是由于双氧水不稳定性，使用过程中极易被消耗，因此上述清洗工艺需消耗大量的双氧水，提高双氧水浓度会增加硅片的制绒成本。此外，仅仅通过双氧水对硅片进行清理，清理效果不佳，硅片烘干后，硅片的表面容易残留有机物，从而影响电池片光电转化效率。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种制绒双后清洗工艺，其能够更加彻底清除表面脏污，大幅减少硅片表面有机物的残留，第二后清洗液工作过程中只消耗少量电力和
2、为实现上述目的，本专利技术提供了一种制绒双后清洗工艺，包括以下步骤：
3、s1、前序步骤：
4、所述前序步骤用于对硅片进行预处理，对所述硅片表面的脏污进行清洗，得到第四硅片；
5、s2、一次后清洗：
6、将所述第四硅片放置到第一后清洗液中进行清洗，所述第一后清洗液与第四硅片反应的时间为80～120s，所述第一后清洗液与第四硅片反应时的温度为60～70℃，得到第五硅片；
7、其中，所述第一后清洗液的成分包括di、naoh和h2o2；
8、s3、三次水洗：
9、将所述第五硅片放置在水中清洗90～120s，得到第六硅片；
10、s4、二次后清洗：
11、将所述第六硅片放置到第二后清洗液中进行清洗，所述第二后清洗液与第六硅片反应的时间为80～120s，所述第二后清洗液的温度为20～38℃，得到第七硅片；
12、其中，所述第二后清洗液的成分包括di、hcl和o3；
13、s5、后续步骤。
14、在一个或多个实施方式中，所述前序步骤依次包括：
15、s1.1、预清洗：
16、得到待清洗硅片，将所述待清洗硅片放置到预清洗液中进行清洗，得到第一硅片，所述预清洗液为碱洗液，所述待清洗硅片与碱洗液接触的时间为200～240s，所述碱洗液的温度为60～70℃；
17、s1.2、一次水洗：
18、将所述第一硅片放置在水中清洗90～120s，得到第二硅片；
19、s1.3、制绒：
20、将所述第二硅片放置到制绒液中，所述制绒液的温度为78～86℃，所述制绒液和第二硅片接触的时间为380～460s，得到第三硅片；
21、s1.4、二次水洗：
22、将所述第三硅片放置在水中清洗90～120s，得到第四硅片。
23、在一个或多个实施方式中，所述后续部分依次包括：
24、s5.1、酸洗：
25、将所述第七硅片放置到酸洗液中进行酸洗处理，所述酸洗液的温度为20～30℃，所述酸洗液与第七硅片接触的时间为80～120s，得到第八硅片；
26、其中，所述酸洗液的成分包括di、hf和hcl；
27、s5.2、四次水洗：
28、将所述第八硅片放置在水中清洗90～120s，得到第九硅片；
29、s5.3、慢提拉：
30、将所述第九硅片放置到慢提拉槽中，利用渗透压差，在保持温度和压力不变的情况下，控制溶液浓度和膜的通透性，将水分从原料中移除，得到的第十硅片；
31、s5.4、烘干：
32、将所述第十硅片放置到烘干设备中进行烘干。
33、在一个或多个实施方式中，所述预清洗液的组成包括di、naoh和h2o2，所述di占预清洗液的97～97.5％，所述naoh占预清洗液的0.25～0.3％，所述h2o2占预清洗液的2～2.5％。
34、在一个或多个实施方式中，所述制绒液的组成包括di、naoh和add，所述di占制绒液的98.2～98.7％，所述naoh占制绒液的0.8～0.9％，所述add占制绒液的0.6～0.7％。
35、在一个或多个实施方式中，所述di占第一后清洗的94～94.5％，所述naoh占第一后清洗液的0.6～0.7％，所述h2o2占第一后清洗液的5～5.5％。
36、在一个或多个实施方式中，所述di占第二后清洗的99.8～99.9％，所述hci占第二后清洗液的0.1～0.2％，所述o3浓度为47-53ppm，所述第二清洗液与第六硅片反应时的温度为20～35℃。
37、在一个或多个实施方式中，所述di占酸洗液的84～85％，所述hf占酸洗液的9～10％，所述hci占酸洗液的6～7％。
38、在一个或多个实施方式中，在步骤s3中，所述水的温度为20～35℃。
39、在一个或多个实施方式中，其特征在于，所述水洗可通过喷淋、机械擦洗、二流体清洗、超声波清洗、兆声波清洗、旋转喷雾清洗其中一种清洗方式或多种清洗方式的组合。
40、与现有技术相比，根据本专利技术的一种制绒双后清洗工艺具有以下优点：
41、1、更加彻底清除表面脏污，大幅减少硅片表面有机物的残留；
42、2、第二后清洗液工作过程中只消耗少量电力和氧气，可大幅减少第一后清洗中消耗品的使用，从而减少硅片制绒后清洗的成本；
43、3、使用第二后清洗液对硅片进行清洗，能够避免二次污染的产生，从而能够节约废液处理的成本；
44、4、在硅片表面形成一层致密氧化硅，保护硅片不受金属离子污染；
45、5、拓宽清洗溶液ph值范围，增强对耐碱性脏污的清洗效果。
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1.一种制绒双后清洗工艺，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的一种制绒双后清洗工艺，其特征在于，所述前序步骤依次包括：
3.如权利要求1所述的一种制绒双后清洗工艺，其特征在于，所述后续部分依次包括：
4.如权利要求2所述的一种制绒双后清洗工艺，其特征在于，所述预清洗液的组成包括DI、NaOH和H2O2，所述DI占预清洗液的97～97.5％，所述NaOH占预清洗液的0.25～0.3％，所述H2O2占预清洗液的2～2.5％。
5.如权利要求2所述的一种制绒双后清洗工艺，其特征在于，所述制绒液的组成包括DI、NaOH和ADD，所述DI占制绒液的98.2～98.7％，所述NaOH占制绒液的0.8～0.9％，所述ADD占制绒液的0.6～0.7％。
6.如权利要求1所述的一种制绒双后清洗工艺，其特征在于，所述DI占第一后清洗的94～94.5％，所述NaOH占第一后清洗液的0.6～0.7％，所述H2O2占第一后清洗液的5～5.5％。
7.如权利要求1或6所述的一种制绒双后清洗工艺，其特征在于，所述DI占第二后
8.如权利要求3所述的一种制绒双后清洗工艺，其特征在于，所述DI占酸洗液的84～85％，所述HF占酸洗液的9～10％，所述HCI占酸洗液的6～7％。
9.如权利要求1所述的一种制绒双后清洗工艺，其特征在于，在步骤S3中，所述水的温度为20～35℃。
10.如权利要求1所述的一种制绒双后清洗工艺，其特征在于，其特征在于，所述水洗可通过喷淋、机械擦洗、二流体清洗、超声波清洗、兆声波清洗、旋转喷雾清洗其中一种清洗方式或多种清洗方式的组合。
...【技术特征摘要】
1.一种制绒双后清洗工艺，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的一种制绒双后清洗工艺，其特征在于，所述前序步骤依次包括：
3.如权利要求1所述的一种制绒双后清洗工艺，其特征在于，所述后续部分依次包括：
4.如权利要求2所述的一种制绒双后清洗工艺，其特征在于，所述预清洗液的组成包括di、naoh和h2o2，所述di占预清洗液的97～97.5％，所述naoh占预清洗液的0.25～0.3％，所述h2o2占预清洗液的2～2.5％。
5.如权利要求2所述的一种制绒双后清洗工艺，其特征在于，所述制绒液的组成包括di、naoh和add，所述di占制绒液的98.2～98.7％，所述naoh占制绒液的0.8～0.9％，所述add占制绒液的0.6～0.7％。
6.如权利要求1所述的一种制绒双后清洗工艺，其特征在于，所述di占第一后清洗的94～94.5...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘飞，何琴，刘志谦，陈实，
申请(专利权)人：中润新能源徐州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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