【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及垂直腔面发射激光器，尤其涉及一种垂直腔面发射激光器阵列结构。
技术介绍
1、随着科学技术的不断发展，垂直腔面发射激光器(vertical-cavity surface-emitting laser，vcsel)已被人们广泛应用，各种各样的vcsel芯片已广泛应用于人们的日常生活、工作以及工业中，为人们的生活带来了极大的便利。
2、针对多发光区域的垂直腔面发射激光器阵列，由于衬底具有隔离沟槽来隔离各区之间的通道，因此在小尺寸的要求下，发光区域内靠近隔离沟槽的位置，没有足够空间放置发光结构，从而导致靠近隔离沟槽的欧姆接触面积不够，进而导致具有隔离沟槽的发光区域内的发光功率降低。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种垂直腔面发射激光器阵列结构，提高了靠近隔离沟槽位置的欧姆接触面积，提高了载流子浓度进而提高了光学孔径的发光功率。
2、本专利技术实施例提供一种垂直腔面发射激光器阵列结构，包括：依次层叠设置的衬底、第一欧姆金属层、第一电极、第一反射层、有源层、氧化层、第二反射层、第二欧姆金属层和第二电极；
3、所述衬底上通过隔离沟槽划分有多个发光区域；所述第一欧姆金属层包括多个连接部和延伸部，所述连接部和所述延伸部为一体结构；在所述发光区域内，所述第一电极在所述第一欧姆金属层上的垂直投影与所述连接部具有重叠位置；在所述重叠位置上设置有第一通孔，所述第一电极通过所述第一通孔与所述连接部电连接；
4、所述第二反射层远离所述衬底的一
5、所述第一电极沿第一方向延伸分布，所述第二电极沿第二方向延伸分布，所述延伸部沿第一方向和/或第二方向延伸分布；在所述发光区域内，最外围的所述光学孔径至少与一所述延伸部相邻，其中，所述光学孔径在所述衬底上的垂直投影与所述第一欧姆金属层在所述衬底上的垂直投影和所述第一电极在所述衬底上的垂直投影均不交叠，所述第一方向与所述第二方向相交。
6、可选的，与最外围的所述光学孔径相邻的所述连接部之间通过所述延伸部相互连接。
7、可选的，相邻的所述第一通孔之间的所述连接部通过所述延伸部相互连接。
8、可选的，所述延伸部为条状金属层。
9、可选的，所述光学孔径在所述发光区域内的排布方式包括等间距排布和非等间距排布。
10、可选的，所述隔离沟槽的围合图形为规则图形或不规则图形。
11、可选的，包括多个所述第一电极和多个所述第二电极，多个所述第一电极沿第二方向排布；多个所述第二电极沿第一方向排布。
12、可选的，沿第一方向相邻的所述第二电极之间的所述衬底上不设置所述隔离沟槽。
13、可选的，所述发光区域内外围的发光孔径沿第一方向或第二方向与相邻的所述隔离沟槽之间的距离相等。
14、可选的，所述发光区域内所述光学孔径的尺寸相同。
15、本专利技术实施例提供一种垂直腔面发射激光器阵列结构，通过从连接部处沿第一方向x和/或第二方向y向外延伸形成延伸部，使最外围的光学孔径与一个延伸部相邻，以此来增加第一电极至第一欧姆金属层的导电区域。电流从第二电极经第二欧姆金属层经过氧化孔后，由于延伸部阻抗小，从而更均匀的沿着延伸部通过，再从第一通孔、第一电极流到接地，利用延伸部提高了靠近隔离沟槽位置的欧姆接触面积，提高了载流子浓度进而提高了外围光学孔径的发光功率。
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1.一种垂直腔面发射激光器阵列结构，其特征在于，包括：依次层叠设置的衬底、第一欧姆金属层、第一电极、第一反射层、有源层、氧化层、第二反射层、第二欧姆金属层和第二电极；
2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器阵列结构，其特征在于，与最外围的所述光学孔径相邻的所述连接部之间通过所述延伸部相互连接。
3.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器阵列结构，其特征在于，相邻的所述第一通孔之间的所述连接部通过所述延伸部相互连接。
4.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器阵列结构，其特征在于，所述延伸部为条状金属层。
5.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器阵列结构，其特征在于，所述光学孔径在所述发光区域内的排布方式包括等间距排布和非等间距排布。
6.根据权利要求1-5任一项所述的垂直腔面发射激光器阵列结构，其特征在于，所述隔离沟槽的围合图形为规则图形或不规则图形。
7.根据权利要求6所述的垂直腔面发射激光器阵列结构，其特征在于，包括多个所述第一电极和多个所述第二电极，多个所述第一电极沿第二方向排布；多个所述第二电极
8.根据权利要求7所述的垂直腔面发射激光器阵列结构，其特征在于，沿第一方向相邻的所述第二电极之间的所述衬底上不设置所述隔离沟槽。
9.根据权利要求6所述的垂直腔面发射激光器阵列结构，其特征在于，所述发光区域内外围的发光孔径沿第一方向或第二方向与相邻的所述隔离沟槽之间的距离相等。
10.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器阵列结构，其特征在于，所述发光区域内所述光学孔径的尺寸相同。
...【技术特征摘要】
1.一种垂直腔面发射激光器阵列结构，其特征在于，包括：依次层叠设置的衬底、第一欧姆金属层、第一电极、第一反射层、有源层、氧化层、第二反射层、第二欧姆金属层和第二电极；
2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器阵列结构，其特征在于，与最外围的所述光学孔径相邻的所述连接部之间通过所述延伸部相互连接。
3.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器阵列结构，其特征在于，相邻的所述第一通孔之间的所述连接部通过所述延伸部相互连接。
4.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器阵列结构，其特征在于，所述延伸部为条状金属层。
5.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器阵列结构，其特征在于，所述光学孔径在所述发光区域内的排布方式包括等间距排布和非等间距排布。
6.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：翁玮呈，刘嵩，梁栋，
申请(专利权)人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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