【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及激光，特别是涉及一种垂直腔面发射激光器器件及其制造方法。
技术介绍
1、垂直腔面发射激光器(vertical cavity surface emitting laser，vcsel)是一种垂直表面出光的新型激光器，与传统边发射激光器不同的结构带来了许多优势，具有体积小、圆形输出光斑、单纵模输出、阈值电流小、价格低廉、易集成为大面积阵列等优点，广泛应用于光通信、光互连、光存储等领域。
2、在激光雷达(light detection and ranging，lidar)某些应用场景中，有一种方式是局部分区照亮收集信息。接收端的信号读取受电路架构限制，可以做到一维线性的结构，即一次会读取一列的信号。此时的发光单元需要线性排列成一维的一个阵列，需要的光源是一维的，此时的发光单元是需要线性排列成一维的一个阵列，即有高长宽比的狭长型。但由于长边的金属较长，在短脉冲驱动的条件下，金属的电阻不能完全忽略，导致离电流输入端近的发光单元亮度大，而远离电流输入端的发光单元亮度小。且脉冲信号的时间极短，仅为几个纳秒，趋肤效应导致能量无法有效的传递到远离电流输入端的发光单元，导致远离电流输入端的发光单元亮度小。这些因素都导致了光斑的不均匀性，严重制约了器件的使用。
技术实现思路
1、鉴于上述现有技术的缺陷，本专利技术提出一种垂直腔面发射激光器器件及其制造方法，通过在垂直腔面发射激光器和基板之间设置金属层，加大垂直腔面发射激光器器件中导电层的厚度，减小导电层的电阻，解决了垂直腔面发射
2、为实现上述目的，本专利技术提出一种垂直腔面发射激光器器件，包括：
3、基板；
4、多个金属层，设置在所述基板上；以及
5、多个垂直腔面发射激光器阵列，每一所述垂直腔面发射激光器阵列包括多个发光单元；
6、其中，每一所述垂直腔面发射激光器阵列与每一所述金属层电性连接。
7、进一步地，每一所述金属层的厚度范围为10～20um。
8、进一步地，每一所述垂直腔面发射激光器阵列的长宽比大于3:1。
9、进一步地，每一所述垂直腔面发射激光器阵列包括至少一个支撑单元。
10、进一步地，所述垂直腔面发射激光器阵列包括第一电极，所述第一电极设置在所述发光单元上，所述第一电极与所述发光电性连接。
11、进一步地，所述垂直腔面发射激光器阵列包括第二电极，所述第二电极设置在所述支撑单元上，且所述第二电极与所述第一电极的高度一致。进一步地，所述金属层还包括中间基板，所述中间基板穿插在所述金属层中。
12、进一步地，所述中间基板上设置多个通孔，所述金属层包括设置在所述中间基板两侧的第一金属层和第二金属层，且所述第一金属层和所述第二金属层通过所述通孔进行连接。
13、进一步地，所述通孔的内径为所述金属层厚度的三分之一至二分之一。
14、进一步地，所述中间基板设置在所述基板和所述金属层之间。
15、进一步地，所述基板上设置有焊接金属层，所述金属层通过所述焊接金属层连接所述基板。
16、进一步地，本专利技术还提出一种垂直腔面发射激光器器件的制造方法，包括，
17、提供一基板；
18、在基板上设置金属层，所述金属层电性连接所述基板；以及
19、在所述金属层上设置多个垂直腔面发射激光器，且所述垂直腔面发射激光器与所述金属层电性连接。
20、本专利技术提供垂直腔面发射激光器器件及其制造方法，通过在垂直腔面发射激光器阵列中设置发光单元和支撑结构，以保证垂直腔面发射激光器阵列的电极位于同一侧且电极的高度一致，利于后期焊接，减少穿孔和连线。通过设置金属层，加大了垂直腔面发射激光器器件中导电层的厚度，减小了导电层的电阻，以确保垂直腔面发射激光器器件发光的均匀性。通过提供中间基板，简化了制作工艺，提高器件的稳定性。因此，本专利技术的提供垂直腔面发射激光器器件及其制造方法，简化了制备流程，采用在中间基板上设置加厚金属层，从而提高了垂直腔面发射激光器的发光均匀性。
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1.一种垂直腔面发射激光器器件，其特征在于，包括，
2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器器件，其特征在于，每一所述金属层的厚度范围为10～20um。
3.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器器件，其特征在于，每一所述垂直腔面发射激光器阵列的长宽比大于3:1。
4.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器器件，其特征在于，每一所述垂直腔面发射激光器阵列包括至少一个支撑单元。
5.根据权利要求4所述的垂直腔面发射激光器器件，其特征在于，所述垂直腔面发射激光器阵列包括第一电极，所述第一电极设置在所述发光单元上，所述第一电极与所述发光单元电性连接。
6.根据权利要求5所述的垂直腔面发射激光器器件，其特征在于，所述垂直腔面发射激光器阵列包括第二电极，所述第二电极设置在所述支撑单元上，且所述第二电极与所述第一电极的高度一致。
7.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器器件，其特征在于，所述金属层还包括中间基板，所述中间基板穿插在所述金属层中。
8.根据权利要求7所述的垂直腔面发射激光器器件，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的垂直腔面发射激光器器件，其特征在于，所述通孔的内径为所述金属层厚度的三分之一至二分之一。
10.根据权利要求7所述的垂直腔面发射激光器器件，其特征在于，所述中间基板设置在所述基板和所述金属层之间。
11.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器器件，其特征在于，所述基板上设置有焊接金属层，所述金属层通过所述焊接金属层连接所述基板。
12.一种垂直腔面发射激光器器件的制造方法，其特征在于，包括，
...【技术特征摘要】
1.一种垂直腔面发射激光器器件，其特征在于，包括，
2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器器件，其特征在于，每一所述金属层的厚度范围为10～20um。
3.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器器件，其特征在于，每一所述垂直腔面发射激光器阵列的长宽比大于3:1。
4.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器器件，其特征在于，每一所述垂直腔面发射激光器阵列包括至少一个支撑单元。
5.根据权利要求4所述的垂直腔面发射激光器器件，其特征在于，所述垂直腔面发射激光器阵列包括第一电极，所述第一电极设置在所述发光单元上，所述第一电极与所述发光单元电性连接。
6.根据权利要求5所述的垂直腔面发射激光器器件，其特征在于，所述垂直腔面发射激光器阵列包括第二电极，所述第二电极设置在所述支撑单元上，且所述第二电极与所述第一电极的高度一致。
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【专利技术属性】
技术研发人员：刘嵩，梁栋，张成，
申请(专利权)人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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