System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种电池片生产的去PSG工序的加工装置及加工方法制造方法及图纸_技高网

一种电池片生产的去PSG工序的加工装置及加工方法制造方法及图纸

技术编号:41124034 阅读:2 留言:0更新日期:2024-04-30 17:50
本发明专利技术公开了一种电池片生产的去PSG工序的加工装置及加工方法,其中加工装置包括:外壳、输送装置、水膜生成装置、清洗装置、红外传感器以及红外计数器;外壳的内部划分为水膜生成池、工艺池以及清洗池;输送装置包括多个平行排布,且同步转动的传动辊;硅片布置于传动辊的顶部;工艺池上方的传动辊底部浸入到氢氟酸溶液内;水膜生成装置设置于水膜生成池的上方;清洗装置包括:清洗管和压辊;清洗管的表面设有喷水孔,红外传感器设置于工艺池沿硅片移动方向的两端;红外计数器设置于工艺池靠近水膜生成池的一端。本发明专利技术中的加工装置通过带动硅片在工艺池上往复运行,使硅片背面和侧边均匀的与氢氟酸溶液接触,提高了去PSG的效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏硅片生产,更具体的说是涉及一种电池片生产的去psg工序的加工装置及加工方法。


技术介绍

1、太阳能电池硅晶片是一种半导体材料,其被用来制备太阳能电池片,太阳能电池硅晶片通常要经过清洗—制绒—扩散—刻蚀等工艺,在太阳能电池片经过扩散工艺后,硅片表面会形成一层psg层,必须去除。

2、扩散原理:

3、pocl3在高温600℃下分解,产生p2o5和pcl5,然后2p2o5+5si=5sio2+4p,这样生成的p就可以扩散到硅片里,实现p掺杂。在扩散中,通过通入足够的氧气使pcl5和氧气反应,生成p2o5和cl2,从而避免产生的pcl5对硅片的不利影响。因此在实现p掺杂的同时,在硅片表面还会有二氧化硅和五氧化二磷,即所谓的psg,psg的存在会影响外观和电性能,同时,存在psg层电池片容易受潮,导致电流下降,功率衰减;psg层的存在容易导致pecvd的色差及sixny的脱落。因此需要对太阳能电池硅晶片去除psg层。

4、目前,现有技术中,通过滚轮将硅片向前传送,滚轮的底部浸在腐蚀液中,滚轮带液转动过程中硅片的底部与滚轮上的腐蚀液接触,去除所述硅片背面的psg,但是对硅片侧边的psg去除效果不佳。

5、因此,研究出一种可以使硅片表面的psg去除效果更佳的电池片生产的去psg工序的加工装置及加工方法是本领域技术人员亟需解决的问题。


技术实现思路

1、有鉴于此,本专利技术提供了一种可以使硅片表面的psg去除效果更佳的电池片生产的去psg工序的加工装置及加工方法。

2、为了实现上述目的,本专利技术采用如下技术方案:

3、一种电池片生产的去psg工序的加工装置,包括:

4、外壳,所述外壳的内部划分为水膜生成池、工艺池以及清洗池;

5、输送装置,所述输送装置分为多段,所述水膜生成池、工艺池以及清洗池的顶部均分布有输送装置;所述输送装置包括多个平行排布,且同步转动的传动辊;硅片布置于所述传动辊的顶部;所述工艺池内注入氢氟酸溶液,所述工艺池上方的传动辊底部浸入到氢氟酸溶液内;

6、水膜生成装置,所述水膜生成装置设置于所述水膜生成池的上方;

7、清洗装置,所述清洗装置包括:清洗管和压辊;所述清洗管的表面设有喷水孔,所述压辊置于所述硅片的上方,且与所述传动辊的转动方向相反;

8、红外传感器,所述红外传感器设置于所述工艺池沿所述硅片移动方向的两端;

9、红外计数器,所述红外计数器设置于所述工艺池靠近所述水膜生成池的一端。

10、采用上述技术方案的有益效果是,本专利技术中传动辊转动带动氢氟酸溶液与硅片的背面和侧边接触,达到去psg的目的;并且本专利技术的两个红外传感器可以对工艺池两端的硅片进行感应,红外计数器对通过工艺池的硅片进行计数,当有指定数量的硅片通过后红外计数器传输出信号,水膜生成池处的输送装置停止运行,硅片停止运动;当指定数量的硅片移动到工艺池末端时红外传感器向输送装置传输信号,并带动硅片反向移动,然后当硅片移动到工艺池初始端时,红外传感器感应到硅片,传出信号,输送装置带动硅片再次反向,然后与水膜生成池处的硅片共同移动,红外传感器和红外计数器传出信号,输送装置接收到信号后,带动硅片经过工艺池时实现一次往复运动,进而使硅片背面、侧边与氢氟酸溶液接触的更加均匀,去psg的效果更佳。

11、优选的,所述输送装置还包括:电机、传动轴、主动斜齿轮以及从动斜齿轮;所述电机的输出端连接有传动轴,所述传动轴表面设有多个主动斜齿轮;所述传动辊的端部设置有从动斜齿轮,所述主动斜齿轮和所述从动斜齿轮相啮合传动。通过齿轮传动,可以实现一个电机同步带动多个传动辊转动。

12、优选的,所述水膜生成装置包括:支撑架和喷淋管,所述支撑架固定于所述水膜生成池上方,且靠近所述工艺池的一端;所述喷淋管固定于所述支撑架的顶部,所述喷淋管并联有多个喷淋头,所述喷淋头与所述硅片的数量相对应。喷淋头可以准确的向硅片表面喷水,并且在硅片的上表面形成水膜。

13、优选的,所述工艺池顶部沿所述硅片移动方向设置有支撑座,所述红外传感器和红外计数器均设置于所述支撑座的表面。

14、优选的,加工装置还包括控制装置,所述红外传感器、红外计数器、电机均与所述控制装置连接。

15、优选的,所述清洗装置还包括进水管,所述进水管位于所述清洗池的上方,且与清洗管相连通。

16、优选的,所述压辊的外表面有多个环形压板,所述环形压板分别挤压于所述硅片的两端。环形压板可以对硅片压紧,防止对硅片冲洗的过程中硅片的位置发生移动。

17、优选的,所述清洗装置还包括限位辊,所述限位辊位于所述清洗池沿所述硅片移动方向的两端,且所述限位辊的外表面设置有环形限位板,所述环形限位板置于相邻两个所述硅片之间。环形限位板可以对硅片的位置进行限位。

18、优选的,所述清洗管的喷水孔朝向与所述硅片移动方向相反的方向,且呈向斜下方倾斜状。喷水孔可以准确的将硅片表面的水膜冲掉,并对硅片进行冲洗。

19、一种电池片生产的去psg工序的加工装置的加工方法,包括如下加工步骤:

20、s1:上料,将所述硅片以水平方向放置到所述传动辊上,将需要去psg层的一面朝下;

21、s2:水膜形成,当所述传动辊带动硅片移动到所述喷淋头下方时,在所述硅片的上表面喷淋形成保护水膜;

22、s3:工艺,所述工艺池内的传动辊底部浸在氢氟酸溶液内,所述传动辊旋转会将溶液带到所述硅片的下表面;当所述红外计数器检测到有设定数量的所述硅片经过后,所述控制器接收信号,控制所述水膜生成池的传动辊停止转动;当所述硅片移动到所述工艺池靠近所述清洗池一端的红外传感器时,所述控制器接收信号,控制所述工艺池内的所述传动辊反向运动,当所述硅片反向移动到所述工艺池靠近所述水膜生成池一端的红外传感器时,所述控制器接收信号,控制所述工艺池内的所述传动辊再次反向运动,同时启动所述水膜生成池内的传动辊运动;

23、s4:清洗,通过所述喷水孔将所述硅片上表面的水膜冲掉,并对所述硅片进行清洗;

24、s5:烘干,通入加热的气体对所述硅片进行烘干。

25、经由上述的技术方案可知,与现有技术相比,本专利技术公开提供了一种电池片生产的去psg工序的加工装置及加工方法,其有益效果为:

26、(1)本专利技术中通过红外传感器、红外计数器与控制装置连通,向控制装置传输信号,控制装置向输送装置传输信号,在输送装置的作用下,带动硅片在经过工艺池时进行一次往复运动,进而使硅片背面、侧边与氢氟酸溶液接触的更加均匀,去psg的效果更佳;

27、(2)环形压板和环形限位板可以在清洗过程中对硅片的位置进行限定,防止冲洗过程中硅片的位置发生移动。

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【技术保护点】

1.一种电池片生产的去PSG工序的加工装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的一种电池片生产的去PSG工序的加工装置,其特征在于,所述输送装置(2)还包括:电机(22)、传动轴(23)、主动斜齿轮(24)以及从动斜齿轮(25);所述电机(22)的输出端连接有传动轴(23),所述传动轴(23)表面设有多个主动斜齿轮(24);所述传动辊(21)的端部设置有从动斜齿轮(25),所述主动斜齿轮(24)和所述从动斜齿轮(25)相啮合传动。

3.根据权利要求1所述的一种电池片生产的去PSG工序的加工装置,其特征在于,所述水膜生成装置(4)包括:支撑架(41)和喷淋管(42),所述支撑架(41)固定于所述水膜生成池(11)上方,且靠近所述工艺池(12)的一端;所述喷淋管(42)固定于所述支撑架(41)的顶部,所述喷淋管(42)并联有多个喷淋头(43),所述喷淋头(43)与所述硅片(3)的数量相对应。

4.根据权利要求1所述的一种电池片生产的去PSG工序的加工装置,其特征在于,所述工艺池(12)顶部沿所述硅片(3)移动方向设置有支撑座(8),所述红外传感器(6)和红外计数器(7)均设置于所述支撑座(8)的表面。

5.根据权利要求2所述的一种电池片生产的去PSG工序的加工装置,其特征在于,加工装置还包括控制装置,所述红外传感器(6)、红外计数器(7)、电机(22)均与所述控制装置连接。

6.根据权利要求1所述的一种电池片生产的去PSG工序的加工装置,其特征在于,所述清洗装置(5)还包括进水管(54),所述进水管(54)位于所述清洗池(13)的上方,且与清洗管(51)相连通。

7.根据权利要求6所述的一种电池片生产的去PSG工序的加工装置,其特征在于,所述压辊(52)的外表面有多个环形压板(55),所述环形压板(55)分别挤压于所述硅片(3)的两端。

8.根据权利要求7所述的一种电池片生产的去PSG工序的加工装置,其特征在于,所述清洗装置(5)还包括限位辊(56),所述限位辊(56)位于所述清洗池(13)沿所述硅片(3)移动方向的两端,且所述限位辊(56)的外表面设置有环形限位板(57),所述环形限位板(57)置于相邻两个所述硅片(3)之间。

9.根据权利要求8所述的一种电池片生产的去PSG工序的加工装置,其特征在于,所述清洗管(51)的喷水孔(53)朝向与所述硅片(3)移动方向相反的方向,且呈向斜下方倾斜状。

10.如权利要求1-9任一项所述的一种电池片生产的去PSG工序的加工装置的加工方法,其特征在于,包括如下加工步骤:

...

【技术特征摘要】

1.一种电池片生产的去psg工序的加工装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的一种电池片生产的去psg工序的加工装置,其特征在于,所述输送装置(2)还包括:电机(22)、传动轴(23)、主动斜齿轮(24)以及从动斜齿轮(25);所述电机(22)的输出端连接有传动轴(23),所述传动轴(23)表面设有多个主动斜齿轮(24);所述传动辊(21)的端部设置有从动斜齿轮(25),所述主动斜齿轮(24)和所述从动斜齿轮(25)相啮合传动。

3.根据权利要求1所述的一种电池片生产的去psg工序的加工装置,其特征在于,所述水膜生成装置(4)包括:支撑架(41)和喷淋管(42),所述支撑架(41)固定于所述水膜生成池(11)上方,且靠近所述工艺池(12)的一端;所述喷淋管(42)固定于所述支撑架(41)的顶部,所述喷淋管(42)并联有多个喷淋头(43),所述喷淋头(43)与所述硅片(3)的数量相对应。

4.根据权利要求1所述的一种电池片生产的去psg工序的加工装置,其特征在于,所述工艺池(12)顶部沿所述硅片(3)移动方向设置有支撑座(8),所述红外传感器(6)和红外计数器(7)均设置于所述支撑座(8)的表面。

5.根据权利要求2所述的一种电池片生产的去psg工序的加工装...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈潇锋李先帅许彦磊邵帅
申请(专利权)人:中润新能源徐州有限公司
类型:发明
国别省市:

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