System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种高挠曲压延铜箔及生产方法技术_技高网

一种高挠曲压延铜箔及生产方法技术

技术编号:40501542 阅读:5 留言:0更新日期:2024-02-26 19:29
本发明专利技术公开了一种高挠曲压延铜箔及其生产方法,铜箔母材轧机轧制,总加功率在75~98.5%之间,道次加工率为7~40%,轧制力为300~650kN,轧制速度为100~750m/min,轧制张力为0.3~7.5kN。通过控制Ag含量提高箔材的挠曲性能,富氧可以增加材料的韧性,通过去除铜中杂质元素,进一步减少铸造缺陷,提高材料的挠曲性。本发明专利技术通过控制加工率可以有效控制再结晶温度;道次加工率、轧制力、张力、轧制速度是影响再结晶晶粒取向的主要因素,通过控制道次加工率、轧制力、张力、轧制速度可以提高晶粒取向的一致性,提高挠曲性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及压延铜箔加工,具体涉及一种高挠曲压延铜箔及其生产方法。


技术介绍

1、压延铜箔是利用塑性加工原理通过铜锭反复轧制-退火而成,其延展性、抗弯曲性、致密性、导电性和表面低轮廓性等都优于电解铜箔,铜纯度也高于电解铜箔,广泛应用在挠性印刷线路板、锂电池、电池屏蔽、石墨烯、散热基板等行业。压延铜箔生产工艺难以掌握,生产装备水平要求很高,特别是超薄铜箔得核心技术掌握在有限的几个外企手中。

2、中国专利cn 106513438 a公开了一种锂电池高精度压延铜箔得制备方法,通过改进铜箔轧机轧制的工艺步骤和工艺参数,将厚度0.15mm的铜箔母材经过五道次的轧制制成0.0097mm的压延铜箔,但其中也明确指出仅提供一种仅仅适用于由厚度0.15mm铜箔母材制厚度0.097mm的压延铜箔的轧制方法,对其它厚度的压延母材及其它厚度的压延铜箔并不适用,因此,每研发一种压延铜箔,从选料、工艺参数的确定都必须经过科研人员付出大量的创造性劳动,这也是这种技术很难取得进展或产品质量很难超越日本、德国等国家的原因。

3、随着电子信息技术的高速发展,电子行业对铜箔的挠曲性能要求越来越高,铜箔厚度也越来越薄,高性能12μm铜箔的挠曲性能要求达到3万次以上。目前普通的12μm紫铜箔挠曲性仅能达到0.8~1.2万次,无法满足高端电子产品的需求,并且高挠曲铜箔被日本日矿金属株式会社垄断,日矿金属株式会社已经实现了工业化生产厚度为12μm的高挠曲性压延铜箔,耐挠曲性疲劳寿命超过30000次,但目前压延铜箔生产都是采用单张轧制的方法,随着冷轧总变形量的不断增加,加工硬化程度加剧,使得每一道次的压下率难以控制,生产效率低,同时易发生边裂和断带,成形难度加大。因此,为了改变国内市场厚度为12μm铜箔耐挠曲性疲劳寿命低、严重依赖进口的问题,研发一种高挠曲压延铜箔的加工工艺至关重要。


技术实现思路

1、针对目前国内市场中高挠曲压延铜箔耐挠曲性疲劳寿命低、严重依赖进口的问题,本专利技术提供了一种高挠曲压延铜箔及其生产方法,生产出的厚度12μm压延铜箔挠曲性能达到3万次以上,满足电子行业对高挠曲性能压延铜箔的要求。

2、本专利技术通过以下技术方案实现:

3、一种高挠曲压延铜箔的生产方法,包括以下步骤:

4、(1)选取铜箔母材,铜箔母材化学成分如下表所示:

5、;

6、(2)铜箔母材轧机轧制,总加功率在75~98.5%之间,道次加工率为7~40%,轧制力为300~650kn,轧制速度为100~750m/min,轧制张力为0.3~7.5kn;

7、(3)表面处理。

8、进一步地,所述的铜箔母材的晶粒度为在8~18μm,厚度为0.1~0.4mm。

9、进一步地,步骤(2)所述的铜箔母材轧机轧制道次为7~15道。

10、进一步地,,步骤(1)所述的铜箔母材轧机轧制道次为7个道次,道次加工率为10~43%,轧制力为300~650 kn,轧制速度为150~500m/min,入口张力为0.3~5.5 kn,出口张力为0.6~7 kn。

11、进一步地,步骤(1)所述的铜箔母材轧机轧制总分为13个道次,道次加工率为10~30%,轧制力为350~600kn,轧制速度为300~650m/min,入口张力为0.3~5kn,出口张力为0.5~7.5 kn。

12、进一步地,步骤(3)中所述的表面处理方法包括粗化、固化和防氧化处理。

13、本专利技术中,所述的制备方法制备的高挠曲压延铜箔。

14、本专利技术通过控制ag含量提高箔材的挠曲性能,富氧可以增加材料的韧性,通过去除铜中杂质元素,可以进一步减少铸造缺陷,提高材料的挠曲性。通过将铜箔母材的晶粒度控制在在8-18μm,可以得到180℃退火后均匀的再结晶组织,从微观角度增加箔材的挠曲性能。

15、总加工率是影响再结晶温度的主要因素之一,当材料的再结晶温度处于使用条件的临界点时,材料性能最佳,所以通过控制加工率可以有效控制再结晶温度;道次加工率、轧制力、张力、轧制速度是影响再结晶晶粒取向的主要因素,通过控制道次加工率、轧制力、张力、轧制速度可以提高晶粒取向的一致性,提高挠曲性能。

16、有益效果

17、(1)本专利主要实现了12μm压延铜箔的高挠曲性能,达到日矿压延铜箔高挠曲铜箔性能的90%以上,打破日矿对高端电子行业12微米高挠曲压延铜箔的垄断;

18、(2)本专利通过控制银含量提高箔材的挠曲性能,富氧增加材料的韧性,通过将铜箔母材得晶粒度控制在8-18μm,可以得到180℃退火后均匀的再结晶组织,从微观角度增加箔材的挠曲性能;通过控制加工率有效控制再结晶温度,通过控制道次加工率、轧制力、张力、轧制速度可以提高晶粒取向的一致性,提高挠曲性能。

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【技术保护点】

1.一种高挠曲压延铜箔的生产方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的加工方法,其特征在于,所述的铜箔母材的晶粒度为在8~18μm,厚度为0.1~0.4mm。

3.根据权利要求1所述的加工方法,其特征在于,步骤(2)所述的铜箔母材轧机轧制道次为7~15道。

4.根据权利要求1所述的加工方法,其特征在于,步骤(1)所述的铜箔母材轧机轧制道次为7个道次,道次加工率为10~43%,轧制力为300~650 kN,轧制速度为150~500m/min,入口张力为0.3~5.5 kN,出口张力为0.6~7 kN。

5.根据权利要求1所述的加工方法,其特征在于,步骤(1)所述的铜箔母材轧机轧制总分为13个道次,道次加工率为10~30%,轧制力为350~600KN,轧制速度为300~650m/min,入口张力为0.3~5KN,出口张力为0.5~7.5 KN。

6.根据权利要求1所述的加工方法,其特征在于,步骤(3)中所述的表面处理方法包括粗化、固化和防氧化处理。

7.一种权利要求1~6任一项所述的制备方法制备的高挠曲压延铜箔。

...

【技术特征摘要】

1.一种高挠曲压延铜箔的生产方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的加工方法,其特征在于,所述的铜箔母材的晶粒度为在8~18μm,厚度为0.1~0.4mm。

3.根据权利要求1所述的加工方法,其特征在于,步骤(2)所述的铜箔母材轧机轧制道次为7~15道。

4.根据权利要求1所述的加工方法,其特征在于,步骤(1)所述的铜箔母材轧机轧制道次为7个道次,道次加工率为10~43%,轧制力为300~650 kn,轧制速度为150~500m/min,入口张力为...

【专利技术属性】
技术研发人员:佟庆平王亚超陈宾周晶冯敏张春阳朱月苏花鲜
申请(专利权)人:中色正锐山东铜业有限公司
类型:发明
国别省市:

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