【技术实现步骤摘要】
本公开总体上涉及集成电路器件领域，更具体地，涉及包括背面配电网络(bspdn)结构的集成电路器件。
技术介绍
1、已提出集成电路器件的各种结构及其形成方法，以增加集成电路器件的集成密度。具体而言，已经提出了一种包括形成在衬底中或在衬底背面上的元件的集成电路器件，以简化器件制造的中间工序(mol)部分和/或后道工序(beol)部分。
技术实现思路
1、根据一些实施方式的一种集成电路器件可以包括：晶体管，包括沟道区和接触沟道区的源极/漏极区；电源轨，被配置为电连接到电源，并且在第一方向上与源极/漏极区间隔开；以及电源接触，在源极/漏极区和电源轨之间并接触源极/漏极区和电源轨两者。沟道区可以在第一方向上与电源接触重叠。
2、根据一些实施方式的一种集成电路器件可以包括：包括沟道区和源极/漏极区的晶体管。源极/漏极区包括接触沟道区的侧表面。集成电路器件还可以包括电源轨和电源接触，该电源轨被配置为电连接到电源并且在第一方向上与源极/漏极区间隔开，电源接触在源极/漏极区和电源轨之间并接触源极/漏极区和电源轨两者。电源接触的侧表面可以在第二方向上突出超过源极/漏极区的侧表面，并且第二方向可以垂直于第一方向。
3、根据一些实施方式的一种形成集成电路器件的方法可以包括：蚀刻衬底的上表面以在衬底中形成开口；在衬底的开口中形成牺牲元件；以及形成包括沟道区和接触沟道区的源极/漏极区的晶体管。牺牲元件的上表面面对源极/漏极区。该方法还可以包括：去除衬底的下部以暴露牺牲元件的下表面；用电
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1.一种集成电路器件，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路器件，进一步包括后道工序结构，所述后道工序结构包括在所述晶体管上的导电线，
3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述源极/漏极区的下表面接触所述电源接触的上表面，以及
4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述电源接触在垂直于所述第一方向的第二方向上的宽度随着距所述源极/漏极区的距离增加而减小。
5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述沟道区包括第一侧表面和第二侧表面，所述第二侧表面与所述第一侧表面相对并且在垂直于所述第一方向的第二方向上与所述第一侧表面间隔开，
6.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述源极/漏极区包括接触所述沟道区的侧表面，以及
7.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述源极/漏极区在垂直于所述第一方向的第二方向上具有第一中心点，所述电源接触在所述第二方向上具有第二中心点，以及
8.根据权利要求7所述的集成电路器件，其中所述源极/漏极区包括在所述第一方向上不与所述电源接触重叠的部分。
<...【技术特征摘要】
1.一种集成电路器件，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路器件，进一步包括后道工序结构，所述后道工序结构包括在所述晶体管上的导电线，
3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述源极/漏极区的下表面接触所述电源接触的上表面，以及
4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述电源接触在垂直于所述第一方向的第二方向上的宽度随着距所述源极/漏极区的距离增加而减小。
5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述沟道区包括第一侧表面和第二侧表面，所述第二侧表面与所述第一侧表面相对并且在垂直于所述第一方向的第二方向上与所述第一侧表面间隔开，
6.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述源极/漏极区包括接触所述沟道区的侧表面，以及
7.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述源极/漏极区在垂直于所述第一方向的第二方向上具有第一中心点，所述电源接触在所述第二方向上具有第二中心点，以及
8.根据权利要求7所述的集成电路器件，其中所述源极/漏极区包括在所述第一方向上不与所述电源接触重叠的部分。
9.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述沟道区包括第一侧表面和第二侧表面，所述第二侧表面与所述第一侧表面相对，并且在垂直于所述第一方向的第二方向上与所述第一侧表面间隔开，
10.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述晶体...
【专利技术属性】
技术研发人员：尹承灿，洪元赫，金恩松，白在职，徐康一，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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