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提供了集成电路器件及其形成方法。该集成电路器件可以包括：晶体管，该晶体管包括沟道区和接触沟道区的源极/漏极区；电源轨，该电源轨被配置为电连接到电源并且在第一方向上与源极/漏极区间隔开；以及电源接触，该电源接触在源极/漏极区和电源轨之间并且接...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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