【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体装置驱动电路，涉及对功率开关器件进行驱动的半导体装置驱动电路。
技术介绍
1、在对绝缘栅型双极晶体管(igbt：insulated gate bipolar transistor)等功率开关器件进行驱动时，为了对通断损耗及噪声等通断特性进行改善，在通断的中途使驱动电路的输出电流改变是有效的。作为方法之一，举出根据输出电压使驱动器晶体管的栅极电压即前置驱动器的输出电压改变的方法。
2、例如，在专利文献1中公开了对由前置驱动器进行控制的输出晶体管的输出电流进行监视，根据输出电流使前置驱动器的输出电压在任意的定时(timing)在低电位(l)与高电位(h)之间转变的前置驱动器。
3、专利文献1：日本特开2015-231117号公报
4、如专利文献1所公开的那样，在以使前置驱动器的输出在l与h之间转变的方式进行控制的情况下，在前置驱动器的输出为l的情况时和h的情况下输出晶体管的输出电流的变化大，因此，多余动作多，另外，有可能由于切换的定时的偏差而使功率开关器件的通断损耗增大。
技术实现思路
1、本专利技术就是为了解决上述这样的问题而提出的，其目的在于，提供能够改善功率开关器件的通断损耗的半导体装置驱动电路。
2、本专利技术涉及的半导体装置驱动电路对功率开关器件进行驱动，在该半导体装置驱动电路中，具有：第1晶体管及第2晶体管，它们串联连接，在第1电压与比所述第1电压低的第2电压之间互补地进行动作；内部电源电路，其在所述第1电
3、专利技术的效果
4、根据本专利技术涉及的半导体装置驱动电路，能够通过在功率开关器件的通断过程中使作为输出晶体管的第1晶体管或第2晶体管的输出电流改变而改善功率开关器件的通断损耗。
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1.一种半导体装置驱动电路，其对功率开关器件进行驱动，
2.根据权利要求1所述的半导体装置驱动电路，其中，
3.根据权利要求1所述的半导体装置驱动电路，其中，
4.一种半导体装置驱动电路，其对功率开关器件进行驱动，
5.根据权利要求4所述的半导体装置驱动电路，其中，
6.根据权利要求4所述的半导体装置驱动电路，其中，
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置驱动电路，其对功率开关器件进行驱动，
2.根据权利要求1所述的半导体装置驱动电路，其中，
3.根据权利要求1所述的半导体装置驱动电路，其中，
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