【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、射频(radio frequency，rf)等离子体增强工艺广泛用于半导体制造，以蚀刻不同类型的膜，在低至中等处理温度下沉积薄膜，并进行表面处理和清洁。这种工艺的特征是采用等离子体，即部分离子化的气体，该等离子体用于在反应室内从前体生成中性物质和离子，为离子轰击提供能量，和/或执行其他动作。射频等离子体增强工艺是通过已知的射频处理设备来执行的。
2、射频处理设备可以包括将信号传输到等离子体反应室的射频生成器。可以具有可变阻抗的射频匹配设备可以位于射频生成器和等离子体反应室之间。可以通过改变射频匹配设备的阻抗来控制或以其他方式调谐射频匹配设备。调谐射频匹配设备降低了来自等离子体反应室和/或射频匹配设备的反射功率，这可以增加从射频生成器转移到等离子体反应室并进入等离子体过程的功率。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种用于校准射频等离子体处理设备中的匹配网络中的电容器的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述预定义步长值大约为两千个步长。
3.根据权利要求1所述的方法，还包括识别用于等离子体处理条件的电容器值的范围。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述测量包括基于所述匹配网络的阻抗来报告电容器位置。
5.根据权利要求1所述的方法，还包括优化最频繁使用的电容器值的范围内的步长百分比率。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述优化包括基于时间段的频率识别使用所述电容器的步长值的范围。
7.一种匹配网络，包括：
8.根据权利要求7所述的匹配网络，其中，所述可编程逻辑控制器还实施电容器校准，以报告至少一个位置值。
9.根据权利要求7所述的匹配网络，其中，所述可编程逻辑控制器还识别所述电容器在大约90％的时间段内使用的步长值的范围。
10.根据权利要求7所述的匹配网络，其中，所述可编程逻辑控制器还识别所述匹配网络中的电容器，并识别使用所述电容器的步长值的范围。
11.根据权利要求10所述的匹配网络，其中，所述可编程逻辑控制器还将所述电容器的校准与预定义阻抗曲线相匹配。
12.根据权利要求7所述的匹配网络，其中，所述可编程逻辑控制器还基于所述匹配网络的阻抗报告电容器位置。
13.根据权利要求7所述的匹配网络，其中，所述可编程逻辑控制器还记录等离子体处理条件下的电容器值的范围。
14.一种用于校准射频等离子体处理设备中的匹配网络中的电容器的方法，所述方法包括：
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述电容器校准包括最频繁使用的电容器位置。
16.根据权利要求14所述的方法，其中，所记录的电容器值的范围包括作为全电容器范围的子集的电容器范围。
17.根据权利要求14所述的方法，还包括测量所述匹配网络的阻抗。
18.根据权利要求14所述的方法，其中，所述测量包括测量所述电容器大约两千个阻抗步长。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于校准射频等离子体处理设备中的匹配网络中的电容器的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述预定义步长值大约为两千个步长。
3.根据权利要求1所述的方法，还包括识别用于等离子体处理条件的电容器值的范围。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述测量包括基于所述匹配网络的阻抗来报告电容器位置。
5.根据权利要求1所述的方法，还包括优化最频繁使用的电容器值的范围内的步长百分比率。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述优化包括基于时间段的频率识别使用所述电容器的步长值的范围。
7.一种匹配网络，包括：
8.根据权利要求7所述的匹配网络，其中，所述可编程逻辑控制器还实施电容器校准，以报告至少一个位置值。
9.根据权利要求7所述的匹配网络，其中，所述可编程逻辑控制器还识别所述电容器在大约90％的时间段内使用的步长值的范围。
10.根据权利要求7所述的匹配网络，其中，所述可编程...
【专利技术属性】
技术研发人员：迪恩·莫，安东尼·奥丽维提，基思·罗斯，盖理·拉塞尔，
申请(专利权)人：科米特技术美国股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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