本技术公开了一种高密度电路引线框架芯片倒装封装结构，包括引线框架，所述引线框架的下表面设有焊盘结构，所述引线框架的上方设有芯片，所述芯片下表面设有芯片焊盘，所述芯片焊盘和引线框架电性连接，所述引线框架、芯片、芯片焊盘均包容在塑封壳中。本技术提供的一种高密度电路引线框架芯片倒装封装结构引线框架结构方式和倒装芯片焊盘焊接固定，一方面节省了材料，另一方面优化了芯片封装工艺，突破了传统封装技术，提高了封装良率、提高生产效率。此外，柱状引脚或者点状引脚更有利于焊接的稳定性。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及芯片封装，具体为一种高密度电路引线框架芯片倒装封装结构。
技术介绍
1、随着电子技术的不断发展，人们越来越需要高集成、高密集的芯片，对于配套使用的开关类器件，人们也希望能够得到体积更小，线路控制更多的开关。通过lga方式制作的开关虽然可以满足性能和体积需求，但是基板明显拉升成本；通过qfn导线框架方式制作开关虽然成本降低，但是由于框架蚀刻能力的制约，单位面积上芯片线路有效利用率停滞不前，体积明显偏大。针对以上问题，一种高密度fcqfn结构应运而生，该结构采用了一种全新的解决方案，不仅可以降低开关成本，同时还缩小开关体积。
2、现有的fcqfn虽然优势明显，但也有一些缺点，例如，大部分的fcqfn在将芯片和引线框架进行连接的时候采用在芯片背面引伸出导线，最后将导线焊接到引线框架上。上述操作方式不仅浪费较多的引线材料，而且增加了产品本身的尺寸，不利于缩小整机尺寸。
技术实现思路
1、本技术针对上述现有技术存在的问题，提供一种高密度电路引线框架芯片倒装封装结构。
>2、为实现以上目的本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种高密度电路引线框架芯片倒装封装结构，其特征在于：包括引线框架(1)，所述引线框架(1)的下表面设有焊盘结构(2)，所述引线框架(1)的上方设有芯片(3)，所述芯片(3)下表面设有芯片焊盘(4)，所述芯片焊盘(4)和引线框架(1)电性连接，所述引线框架(1)、芯片(3)、芯片焊盘(4)均包容在塑封壳(5)中。
2.根据权利要求1所述的高密度电路引线框架芯片倒装封装结构，其特征在于：所述引线框架(1)包括框架本体，所述框架本体上蚀刻有电路结构。
3.根据权利要求1所述的高密度电路引线框架芯片倒装封装结构，其特征在于：所述焊盘结构(2)为柱状引脚或者点状引脚。<...
【技术特征摘要】
1.一种高密度电路引线框架芯片倒装封装结构，其特征在于：包括引线框架(1)，所述引线框架(1)的下表面设有焊盘结构(2)，所述引线框架(1)的上方设有芯片(3)，所述芯片(3)下表面设有芯片焊盘(4)，所述芯片焊盘(4)和引线框架(1)电性连接，所述引线框架(1)、芯片(3)、芯片焊盘(4)均包容在塑封壳(5)中。
2.根据权利要求1所述的高密度电路引线框架芯片倒装封装结构，其特征在于：所述引线框架(1)包括框架本体，所述框架本体上蚀刻有电路结构。
3.根据权利要求1所述的高密度电路引线框架芯片倒装封装结构，其特征在于：所述焊盘结构(2)为柱状引脚或者点状引脚。
4.根据权利要求3所述的高密度电...
【专利技术属性】
技术研发人员：任飞，张振轩，林龙，黎文裕，任杰，
申请(专利权)人：浙江嘉辰半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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