【技术实现步骤摘要】
本申请涉及镀膜，特别涉及一种转接机构及镀膜装置盖体。
技术介绍
1、磁控溅射镀膜是物理气相沉积的一种，与化学气相沉积法被广泛应用在金属制备、半导体制备以及玻璃等绝缘体制备的工艺中。然而不管是磁控溅射镀膜的物理气相沉积，还是化学气相沉积，镀膜装置是不可缺少的制备装置。镀膜装置盖上盖体后，在盖体下方形成镀膜腔。
2、现有的镀膜腔配合电极板进行镀膜，然而，在实际镀膜过程中，镀膜腔的中间部分的磁场强度比周边的磁场强度要大，使得膜层出现中间位置膜层厚度大于周边位置膜层厚度的不均匀的情况，影响镀膜质量。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题之一，本申请提供一种转接机构，包括连接组件、设置于所述连接组件一端的压型块，所述压型块的延伸方向与所述连接组件相垂直，所述压型块远离所述连接组件的一端形成有凸起结构。进而通过压型块的凸起结构抵接于电极板上表面，进而使得电极板发生形变而使得其下表面形成曲面，实现削弱镀膜腔中间部分的磁场强度，使得磁场强度均匀，避免传统镀膜工艺中的膜层中间位置膜层厚度大于周边位置膜层厚度的情况发生，使得膜层厚度均匀，提高镀膜质量。
2、优选的，所述连接组件包括连接杆、以及设置于所述连接杆一端的安装块，所述压型块设置于所述安装块上且垂直于所述连接杆。进而使得压型块抵接于电极板上表面，使得电极板发生形变而使得其下表面形成曲面，实现削弱镀膜腔中间部分的磁场强度，使得电极板磁场均匀分布。
3、优选的，所述安装块远离所述连接杆的一端开设有卡槽，所述压型
4、优选的，所述压型块呈片状，所述凸起结构为弧形状或呈台阶状的任一种。进而通过压型块的凸起结构使得电极板发生形变，使得镀膜腔中的磁场强度分布均匀，进而使得膜层厚度均匀和提高镀膜质量。
5、优选的，一种镀膜装置盖体，包括上述的转接机构、以及盖体和电极板、位于所述盖体内侧形成有容置所述电极板的镀膜空腔，所述转接机构设置于所述盖体上，且令所述压型块的凸起结构抵接于所述电极板的表面。进而使得电极板发生形变而使得其下表面形成曲面，在高斯曲面的影响下，电极板中部的磁场强度变小，通过电极板形变来实现削弱镀膜腔中间部分的磁场强度，使得镀膜后的膜层厚度均匀。
6、优选的，所述盖体上设置有连接于所述连接组件的射频电源组件。射频电源组件发出的电流经过连接组件进而流通到电极板上，使得电极板在镀膜空腔内能够形成磁场，进而完成镀膜工艺。
7、优选的，所述连接组件远离所述压型块的一端设置有紧固组件，所述连接组件通过所述紧固组件连接于所述盖体。紧固组件为锁紧块，连接组件的连接杆一端穿过盖体并与锁紧块固定配合，通过螺丝使得锁紧块固定在盖体上。
8、优选的，在所述盖体上还设置有匹配组件，所述连接组件通过匹配组件与射频电源组件连接，所述匹配组件用于匹配射频电源组件与电极板之间的阻抗。
9、优选的，在所述盖体还设置有腔体清洗组件，所述腔体清洗组件设置有贯穿于所述盖体的清洗通道。清洗通道延伸至镀膜腔体内，进而通过腔体清洗组件对腔体进行清洗，避免腔体内部产生污染，提高镀膜质量。
10、优选的，所述清洗通道贯穿设置于所述盖体的中心位置。进而清洗通道冲出的清洗液能够从腔体的中心向四周冲刷，实现全面冲刷镀膜空腔内的残留物，避免冲洗过程因位置和冲力存在差异而使得腔体冲洗不干净，提高清洗效果。
11、与现有技术相比，本申请的有益效果是：本申请通过在连接组件一端的压型块，压型块的延伸方向与连接组件相垂直，在压型块远离连接组件的一端形成有凸起结构。连接组件设置在盖体上，且设置于压型块上的凸起结构朝向电极板，进而通过压型块的凸起结构抵接于电极板上表面，进而使得电极板发生形变而使得其下表面形成曲面，实现削弱镀膜腔中间部分的磁场强度，使得磁场强度均匀，避免传统镀膜工艺中的膜层中间位置膜层厚度大于周边位置膜层厚度的情况发生，使得膜层厚度均匀，提高镀膜质量。
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1.一种转接机构，其特征在于：包括连接组件(10)、设置于所述连接组件(10)一端的压型块(20)，所述压型块(20)的延伸方向与所述连接组件(10)相垂直，所述压型块(20)远离所述连接组件(10)的一端形成有凸起结构(21)。
2.根据权利要求1所述的转接机构，其特征在于：所述连接组件(10)包括连接杆(11)、以及设置于所述连接杆(11)一端的安装块(12)，所述压型块(20)设置于所述安装块(12)上且垂直于所述连接杆(11)。
3.根据权利要求2所述的转接机构，其特征在于：所述安装块(12)远离所述连接杆(11)的一端开设有卡槽(13)，所述压型块(20)的一端卡设于所述卡槽(13)中。
4.根据权利要求2所述的转接机构，其特征在于：所述压型块(20)呈片状，所述凸起结构(21)为弧形状或呈台阶状的任一种。
5.一种镀膜装置盖体，其特征在于：包括权利要求1-4任一项所述的转接机构、以及盖体(30)和电极板(40)、位于所述盖体(30)内侧形成有容置所述电极板(40)的镀膜空腔，所述转接机构设置于所述盖体(30)上，且令所述
6.根据权利要求5所述的镀膜装置盖体，其特征在于：所述盖体(30)上设置有连接于所述连接组件(10)的射频电源组件(50)。
7.根据权利要求5所述的镀膜装置盖体，其特征在于：所述连接组件(10)远离所述压型块的一端设置有紧固组件(14)，所述连接组件(10)通过所述紧固组件(14)连接于所述盖体(30)。
8.根据权利要求6所述的镀膜装置盖体，其特征在于：还包括设置在所述盖体(30)上的匹配组件(80)和位于所述盖体(30)一侧的安装组件(70)，所述连接组件(10)通过匹配组件(80)与射频电源组件(50)连接，所述匹配组件(80)用于匹配射频电源组件(50)与电极板(40)之间的阻抗。
9.根据权利要求5所述的镀膜装置盖体，其特征在于：在所述盖体(30)还设置有腔体清洗组件(60)，所述腔体清洗组件(60)设置有贯穿于所述盖体(30)的清洗通道(61)。
10.根据权利要求9所述的镀膜装置盖体，其特征在于：所述清洗通道(61)贯穿设置于所述盖体(30)的中心位置。
...【技术特征摘要】
1.一种转接机构，其特征在于：包括连接组件(10)、设置于所述连接组件(10)一端的压型块(20)，所述压型块(20)的延伸方向与所述连接组件(10)相垂直，所述压型块(20)远离所述连接组件(10)的一端形成有凸起结构(21)。
2.根据权利要求1所述的转接机构，其特征在于：所述连接组件(10)包括连接杆(11)、以及设置于所述连接杆(11)一端的安装块(12)，所述压型块(20)设置于所述安装块(12)上且垂直于所述连接杆(11)。
3.根据权利要求2所述的转接机构，其特征在于：所述安装块(12)远离所述连接杆(11)的一端开设有卡槽(13)，所述压型块(20)的一端卡设于所述卡槽(13)中。
4.根据权利要求2所述的转接机构，其特征在于：所述压型块(20)呈片状，所述凸起结构(21)为弧形状或呈台阶状的任一种。
5.一种镀膜装置盖体，其特征在于：包括权利要求1-4任一项所述的转接机构、以及盖体(30)和电极板(40)、位于所述盖体(30)内侧形成有容置所述电极板(40)的镀膜空腔，所述转接机构设置于所述盖体(30)上，且令所述压型...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：广东利元亨智能装备股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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