System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 半导体模块及其制造方法技术_技高网

半导体模块及其制造方法技术

技术编号:40478703 阅读:7 留言:0更新日期:2024-02-26 19:13
本申请涉及半导体模块及其制造方法。根据本公开的半导体模块包括:第一基板,其包括具有两个或更多个不同厚度的多个图案;第一半导体器件,其设置在至少一个或更多个图案上;第二基板,其包括具有两个或更多个不同的厚度的多个图案,其中,第二基板的多个图案中的一个或更多个被放置在第一半导体器件上;第一端子图案和第二端子图案,其中的每个设置在第一基板和第二基板之间,其中,第一端子图案包括第一上端子图案和第一下端子图案,并且第二端子图案包括第二上端子图案和第二下端子图案;导电框架,其联接到第一端子图案和第二端子图案中的至少一个。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种半导体模块,并且更具体地,涉及一种具有双侧散热结构的半导体模块。


技术介绍

1、近来,随着半导体的需求在各个领域中增加,除了半导体的主要功能之外,已经进行了各种研究和开发以改进特定条件下的半导体功能。

2、通常,半导体模块可以在一个封装件中包括至少一个半导体器件。具体地,包括半导体器件的半导体模块可以包括用于散热的散热单元,该半导体器件的物理性质可能会因为由于高承受电压和高电流产生的热量的增加而发生改变。包括散热单元的半导体模块可以分为具有单侧散热结构的半导体模块和具有双侧散热结构的半导体模块。

3、具体地,已知具有双侧散热结构的半导体模块可以将热量耗散到每个半导体器件的上下两侧,因此在散热效果方面是有利的。

4、具有双侧散热结构的半导体模块使用单独用于每个半导体器件的间隔件来补偿半导体器件与双侧散热基板之间的厚度偏差,这种厚度偏差形成用于注入模制材料的空间以及半导体器件与散热基板之间的电连接。

5、然而,当使用间隔件时,可能会出现半导体器件与间隔件之间的接合期间的未对准问题,由于间隔件之间的高度偏差,可能会出现间隔件与双侧散热基板之间的接合失败的问题,并且另外,由于需要对半导体器件和间隔件进行接合以及对间隔件和双侧散热基板进行接合的处理,因此存在产量降低的问题。


技术实现思路

1、本公开旨在提供一种包括双侧散热基板的半导体模块及其制造方法,该双侧散热基板能够在不使用间隔件的情况下确保第一基板与第二基板之间的空间。>

2、此外,本公开旨在提供一种提高了平整度的半导体模块及其制造方法。

3、根据本公开的一个方面的半导体模块包括:第一基板,所述第一基板包括具有两个或更多个不同厚度的多个图案;第一半导体器件,所述第一半导体器件设置在至少一个或更多个图案上;第二基板,所述第二基板包括具有两个或更多个不同的厚度的多个图案,其中,所述第二基板的所述多个图案中的一个或更多个被放置在所述第一半导体器件上;第一端子图案和第二端子图案,所述第一端子图案和所述第二端子图案中的每个设置在所述第一基板和所述第二基板之间,其中,所述第一端子图案包括第一上端子图案和第一下端子图案,并且所述第二端子图案包括第二上端子图案和第二下端子图案;导电框架,所述导电框架联接到所述第一端子图案和所述第二端子图案中的至少一个。

4、根据本公开的另一方面的半导体模块包括:第一基板,所述第一基板包括具有第一下部厚度的第一下电路图案和具有与所述第一下部厚度不同的第二下部厚度的第二下电路图案,所述第一下电路图案和所述第二下电路图案形成在所述第一基板的第一表面上;第二基板,所述第二基板设置为面对所述第一基板的所述第一表面,并且包括具有第一上部厚度的第一上电路图案和具有第二上部厚度的第二上电路图案,所述第一上电路图案形成在所述第二基板的第一表面上的与所述第一下电路图案相对应的区域中,并且所述第二上部电路图案形成在所述第二基板的所述第一表面上的与所述第二下电路图案相对应的区域中;第一半导体器件,所述第一半导体器件设置在所述第一下电路图案和所述第一上电路图案之间,并且具有电连接到所述第一下电路图案的第一表面和电连接到所述第一上电路图案的第二表面,第一电极形成在所述第一表面上,并且第二电极形成在所述第二表面上;以及第二半导体器件,所述第二半导体器件设置在所述第二下电路图案和所述第二上电路图案之间,并且具有电连接到所述第二上电路图案的第一表面和电连接到所述第二下电路图案的第二表面,所述第一电极形成在所述第一表面上,并且所述第二电极形成在所述第二表面上。

5、根据本公开又的一个方面的制造半导体模块的方法包括以下步骤:制备第一基板和第二基板,其中,第一基板包括形成有第一导电层的第一表面和形成有第一散热层的第二表面,并且所述第二基板包括形成有第二导电层的第一表面和形成有第二散热层的第一面;通过选择性地蚀刻第一导电层,在所述第一基板的所述第一表面上形成具有第一下部厚度的第一下电路图案和具有第二下部厚度的第二下电路图案;通过选择性地蚀刻第二导电层,在第二基板的第一表面上的与第一下电路图案相对应的区域中形成具有第一上部厚度的第一上电路图案,并且在与第二下电路图案相对应的区域中形成具有第二上部厚度的第二上电路图案;以第一基板的第一表面和第二基板的第一表面中的每一个彼此面对的方式设置第一基板和第二基板;使用第一下导电接合构件和第一上导电接合构件将第一半导体器件接合到第一下电路图案和第一上电路图案;以及使用第二下导电接合构件和第二上导电接合构件将第二半导体器件接合到第二下电路图案和第二上电路图案。

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【技术保护点】

1.一种半导体模块,所述半导体模块包括:

2.根据权利要求1所述的半导体模块,其中,所述导电框架包括:

3.根据权利要求2所述的半导体模块,其中,所述导电框架还包括:

4.根据权利要求1所述的半导体模块,所述半导体模块还包括:

5.根据权利要求4所述的半导体模块,所述半导体模块还包括:

6.根据权利要求1所述的半导体模块,所述半导体模块还包括:

7.一种半导体模块,所述半导体模块包括:

8.根据权利要求7所述的半导体模块,其中,

9.根据权利要求7所述的半导体模块,其中,

10.根据权利要求7所述的半导体模块,所述半导体模块还包括多个第一半导体器件和多个第二半导体器件,其中,

【技术特征摘要】

1.一种半导体模块,所述半导体模块包括:

2.根据权利要求1所述的半导体模块,其中,所述导电框架包括:

3.根据权利要求2所述的半导体模块,其中,所述导电框架还包括:

4.根据权利要求1所述的半导体模块,所述半导体模块还包括:

5.根据权利要求4所述的半导体模块,所述半导体模块还包括:

【专利技术属性】
技术研发人员:金德秀金泰龙
申请(专利权)人:LX半导体科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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