一种多尺度异质结构陶瓷的制备方法及系统技术方案

技术编号:40470160 阅读:20 留言:0更新日期:2024-02-26 19:08
本发明专利技术提供了一种多尺度异质结构陶瓷的制备方法及系统,属于陶瓷制造领域。本发明专利技术所述多尺度异质结构陶瓷的制备方法包括以下步骤:将陶瓷粉体制备成生坯;将生坯脱去有机物组分获得脱胶坯体;将脱胶坯体置于导电粉体中,通电烧结,得到多尺度异质结构陶瓷。本发明专利技术的方法可以实现超快速加热烧结、烧结区域温度可控可调、制备不同形状的多尺度异质结构陶瓷,具有广阔的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于陶瓷制造,涉及一种异质结构陶瓷的制备方法及系统,具体涉及一种多尺度异质结构陶瓷的制备方法及系统


技术介绍

1、异质结构陶瓷是指具有特殊宏观或微观组织结构或物相分布的陶瓷材料。陶瓷材料的传统制备工艺主要是窑炉烧结法,通过窑炉产生的高温使坯体重新构晶,形成致密的陶瓷结构。传统烧结方法存在以下五大缺点:一是耗时长,需要数小时甚至数天时间进行烧结,其中升温速度慢是导致烧结时间长的关键因素之一,陶瓷制造的效率低;二是温度低,窑炉烧结法难以达到超过2000℃的温度,低于一些高熔点粉体的熔化温度,无法对高熔点粉体进行融化;三是温度控制困难,窑炉烧结法通常需要有经验的工人控制温度,可重复性差,且难以对温度进行精确控制;四是无法对坯体的不同区域施以不同的温度,更难以制备含有多种不同晶粒尺寸的异质结构陶瓷;五是适用性差,由于加热结构导致难以实现不同形状与宏观构型陶瓷产品的异质结构制备。

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【技术保护点】

1.一种多尺度异质结构陶瓷的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤S1中所述陶瓷粉体包括碳化硅粉体、氧化铝粉体、氮化硅粉体与碳化硼粉体中的至少一种且不限于上述几种陶瓷粉体;所述生坯的制备方法选自干压法、注浆法、流延法、3D打印法中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤S1中所述的陶瓷粉体熔点≥1750℃。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤S2中所述脱去有机物组分的方法选自初排胶、脱脂中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤...

【技术特征摘要】

1.一种多尺度异质结构陶瓷的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤s1中所述陶瓷粉体包括碳化硅粉体、氧化铝粉体、氮化硅粉体与碳化硼粉体中的至少一种且不限于上述几种陶瓷粉体;所述生坯的制备方法选自干压法、注浆法、流延法、3d打印法中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤s1中所述的陶瓷粉体熔点≥1750℃。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤s2中所述脱去有机物组分的方法选自初排胶、脱脂中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤s3中所述脱胶坯体置于导电粉体中具体为:脱胶坯体全部埋入导电粉体中。

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【专利技术属性】
技术研发人员:左飞邓亚宁林华泰
申请(专利权)人:广东工业大学
类型:发明
国别省市:

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