【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子器件安全，具体涉及一种忆阻器存内二次认证系统实现方法。
技术介绍
1、在使用基于忆阻器一次认证的方法，包括：神经形态计算、物理不可克隆函数和内存加密时，可能存在风险。例如，考虑这样一种情况，一个人被一名寻求进入住所的强盗所威胁，非自愿的主人人脸识别将会带来可怕的后果。因此，需要采用多因素认证，例如二次认证，以提供更高级别的安全性，但这将增加系统的复杂性。
技术实现思路
1、针对现有技术中的缺陷，本专利技术的目的是提供一种基于忆阻器构建存内二次认证的实现方法。
2、根据本专利技术的一个方面，提供一种基于忆阻器的存内二次认证系统实现方法，包括：
3、进行一次认证，所述一次认证包括：判断由忆阻阵列芯片内随时间变化的突触权重构成的阵列权重矩阵是否与设定的参考权重矩阵对应；
4、进行二次认证，所述二次认证包括：基于所述阵列权重矩阵，忆阻阵列芯片进行神经形态识别。
5、优选地，所述忆阻阵列芯片包括若干个忆阻器；
6、所述忆阻阵列芯片整体包括从上到下依次层叠的顶电极、活性层和底电极。
7、优选地，所述忆阻阵列芯片的所述顶电极和所述底电极为十字交叉结构，包含字线和位线。
8、优选地，所述忆阻阵列芯片内随时间变化的突触权重，包括：
9、施加脉冲电压后，单个忆阻器即突触器件的电导随时间变大或变小。
10、优选地，施加电压后，突触器件的电导随时间变大或变小，包括：
1
12、对突触器件施加连续的负向脉冲电压，突触器件权重值发生连续的随时间变化的演变，权重值由0.99逐渐变小至0.05。
13、优选地，所述阵列权重矩阵的获取，包括：
14、脉冲电压一直作用于忆阻阵列芯片；
15、在不同时间下对忆阻阵列芯片上每个突触器件的权重值进行导出，得到每个时间下的阵列权重矩阵。
16、优选地，所述进行一次认证，判断由忆阻阵列芯片内随时间变化的突触权重构成的阵列权重矩阵是否与设定的参考权重矩阵对应，包括：
17、当在错误的时间点，阵列权重矩阵为错误的权重矩阵，无法通过一次认证；当在正确的时间点，权重分布为正确的权重矩阵，与设定的参考权重矩阵对应，通过一次认证。
18、优选地，所述脉冲电压为任意幅值、宽度和频率的脉冲电压。
19、优选地，所述进行二次认证，包括：
20、在不同时间点下的一次认证产生的阵列权重矩阵，进入到二次认证中进行验证；
21、若阵列权重矩阵为正确的一套权重，通过了一次认证，则通过二次认证，完成神经形态识别，获得正确识别结果；
22、若阵列权重矩阵为错误的一套权重，未通过一次认证，那么二次认证也无法通过，获得错误识别结果。
23、优选地，所述神经形态识别，包括人脸识别、自动驾驶。
24、与现有技术相比，本专利技术实施例至少具有如下的一种有益效果：
25、本专利技术实施例中的一种基于忆阻器构建存内二次认证的实现方法，首先，利用基于忆阻器随时间变化的突触塑性来构建忆阻器的存内加密应用，这是存内的一次认证。接着，在正确的权重下通过了一次认证后，基于忆阻阵列芯片的权重可实现神经形态的身份识别任务，这是存内的二次认证。相比于一次认证，基于忆阻器的存内二次认证具有更高的可靠性，安全性并降低了系统的复杂度。
26、本专利技术实施例中的一种基于忆阻器构建存内二次认证的实现方法，当忆阻芯片的权重矩阵通过了一次认证后，其存内二次认证具有高达99.81％的识别精度。若没有通过一次认证，二次认证将无法通过，准确性极低，低于0.86％。
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1.一种基于忆阻器的存内二次认证系统实现方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种基于忆阻器的存内二次认证系统实现方法，其特征在于，所述忆阻阵列芯片包括若干个忆阻器；
3.根据权利要求2所述的一种基于忆阻器的存内二次认证系统实现方法，其特征在于，所述忆阻阵列芯片的所述顶电极和所述底电极为十字交叉结构，包含字线和位线。
4.所述权利要求1所述的一种基于忆阻器的存内二次认证系统实现方法，其特征在于，所述忆阻阵列芯片内随时间变化的突触权重，包括：
5.根据权利要求4所述的一种基于忆阻器的存内二次认证系统实现方法，其特征在于，施加电压后，突触器件的电导随时间变大或变小，包括：
6.根据权利要求4所述的一种基于忆阻器的存内二次认证系统实现方法，其特征在于，所述阵列权重矩阵的获取，包括：
7.根据权利要求6所述的一种基于忆阻器的存内二次认证系统实现方法，其特征在于，所述进行一次认证，判断由忆阻阵列芯片内随时间变化的突触权重构成的阵列权重矩阵是否与设定的参考权重矩阵对应，包括：
8.根据权利要求4-
9.根据权利要求1所述的一种基于忆阻器的存内二次认证系统实现方法，其特征在于，所述进行二次认证，包括：
10.根据权利要求9所述的一种基于忆阻器的存内二次认证系统实现方法，其特征在于，所述神经形态识别，包括人脸识别、自动驾驶。
...【技术特征摘要】
1.一种基于忆阻器的存内二次认证系统实现方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种基于忆阻器的存内二次认证系统实现方法，其特征在于，所述忆阻阵列芯片包括若干个忆阻器；
3.根据权利要求2所述的一种基于忆阻器的存内二次认证系统实现方法，其特征在于，所述忆阻阵列芯片的所述顶电极和所述底电极为十字交叉结构，包含字线和位线。
4.所述权利要求1所述的一种基于忆阻器的存内二次认证系统实现方法，其特征在于，所述忆阻阵列芯片内随时间变化的突触权重，包括：
5.根据权利要求4所述的一种基于忆阻器的存内二次认证系统实现方法，其特征在于，施加电压后，突触器件的电导随时间变大或变小，包括：
6.根据权利要求4所述的一种基于...
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