一种银粒子、制备方法及应用技术

本申请提供的银粒子及其制备方法，包括配制第一溶液，所述第一溶液包括银盐溶液与表面修饰剂形成的混合溶液；配制第二溶液，所述第二溶液包括添加剂溶液与所述第一溶液形成的混合溶液；所述第二溶液经过固液分离得到所述银粒子，本申请提供的银粒子及其制备方法，在反应初期第二溶液中的银盐通过还原生成银原子，在添加剂和表面修饰剂的作用下，银原子逐渐形成特定晶种，在反应中期银盐通过自分解生成大量银原子生成，在晶种表面生长，待充分反应得到片状银粒子的混合溶液，经过固液分离得到片状银粒子，上述方法工艺设备简单、反应条件温和制备得到的片状银粒子尺寸分布均匀，表面粗糙度低，纯度较高在导电浆料中具有优异的导电性能、导热性能、屏蔽性能以及良好的印刷特性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及金属烧结银材料领域，特别涉及一种银粒子、制备方法及应用。

技术介绍

1、近年来，由于其高禁带宽度(对应高击穿电场和高功率密度)、高电导率高热导率，第三代半导体如碳化硅(sic)和氮化镓(gan)等被普遍用于开发高功率器件。相比传统硅基功率器件，sic或gan为代表的高功率器件的工作温度可达200℃以上。因此，对其芯片互连材料提出了更高的要求，而烧结银材料具有较高工作温度、较高的导热率、优异的可靠性以及优异的机械性能等特点，广泛用于高功率器件封装中而，而烧结银材料主要为银粉，其主要成分为金属粒子、溶剂、粘合剂和其他助剂，其中金属粒子主要为银粒子材料、铜粒子材料、镍粒子材料及其双金属粒子材料。但银材料本身具有优异的导电性能、导热性能和稳定性能，而银材料随着粒子颗粒尺寸的逐渐降低，其表面能逐渐增大，表现为银粒子的熔点会逐渐降低，此外纳米厚度尺寸的银微粒具有较高的径厚比(粒径/厚度)，从而在单位质量的银粒子中片状银微粒之间容易形成搭接作用，从而形成导电和导热通道。此外在一定温度下导电银浆料中完全溶剂挥发，银粒子会发生烧结形成烧结网络，从而具有优异的导电和本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种银粒子的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：

2.如权利要求1所述的片状银粒子，其特征在于，在配制第一溶液的步骤中，所述银盐与所述表面修饰剂的质量比为1：(0.1～2)。

3.如权利要求1或2所述的银粒子的制备方法，其特征在于，在配制第一溶液的步骤中，所述的银盐为碳酸银、乙酸银、三氟乙酸银、草酸银、乙酰丙酮银、乳酸银、柠檬酸银等任意一种或至少两种的组合。

4.如权利要求1或2所述的银粒子的制备方法，其特征在于，在配制第一溶液的步骤中，所述表面修饰剂为聚乙二醇、聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯醇、聚乙烯醇、阿拉伯树胶、十六烷基溴化铵、聚丙烯酸等至少一种或两...

【技术特征摘要】

1.一种银粒子的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：

2.如权利要求1所述的片状银粒子，其特征在于，在配制第一溶液的步骤中，所述银盐与所述表面修饰剂的质量比为1：(0.1～2)。

3.如权利要求1或2所述的银粒子的制备方法，其特征在于，在配制第一溶液的步骤中，所述的银盐为碳酸银、乙酸银、三氟乙酸银、草酸银、乙酰丙酮银、乳酸银、柠檬酸银等任意一种或至少两种的组合。

4.如权利要求1或2所述的银粒子的制备方法，其特征在于，在配制第一溶液的步骤中，所述表面修饰剂为聚乙二醇、聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯醇、聚乙烯醇、阿拉伯树胶、十六烷基溴化铵、聚丙烯酸等至少一种或两种的组合。

5.如权利要求1所述的片状银粒子，其特征在于，在配制第二溶液的步骤中，所述第二溶液中的银盐与添加剂的质量比为1：(0～1)，银盐占比第二溶液中的质量分数为3％～30％。

6.如权利要求1或5所述的银粒子的制备方法，其特征在于，在配制第二溶液的步骤中，所述添加剂溶液包括还原性试剂或酸类试剂或碱性试剂或盐类试剂中的至少一种；所述还原性试剂包括柠檬酸钠、柠檬酸二钠、抗坏血酸、抗坏血酸钠、葡萄糖、苯肼、乙醇胺、乙二胺、乙胺、甲醛中的至少一种；所述酸类试剂包括甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈钦臣，徐亮，赵涛，孙蓉，
申请(专利权)人：深圳先进电子材料国际创新研究院，
类型：发明
国别省市：