【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体发光材料，具体涉及一种尺寸可控的量子点、其制备方法及其用途。
技术介绍
1、半导体量子点(quantum dots,qds)，由于其量子尺寸效应和优良的光电性质，近30年来一直是纳米科技领域的研究热点，正引领着新一代照明、显示产业技术的革新，成为产业界和学术界研发的重点关注对象。同时，量子点材料在新能源(太阳能电池)、生物医学等领域的应用也越来越被广泛关注。
2、半导体发光材料是一种通过电子与空穴复合释放能量发光的材料，其在发光器件上有极大的应用前景。不同颜色的发光器件由各种特定的发光材料制成。量子点随尺寸变化其发射光谱可覆盖整个可见光区，从而成为研究的热点之一。
3、量子点的制备方法按体系分可以分为有机相和水相，按制备方式可以分为一锅法、注入法等。有机相合成所制备的量子点荧光量子产率较高；而水相合成量子点的优势在于成本低、污染小。目前已报道的有机相合成纯cdte量子点吸收可以覆盖475到750nm范围，发光范围可以覆盖绿光到红光范围，但吸收峰低于475nm的cdte量子点未曾报道；已报道的有机相合成纯znse量子点吸收可以覆盖320到470nm范围，发光范围可以覆盖绿光到红光范围，但吸收峰低于320nm的znse量子点未曾报道。而且现有制备量子点的方法制备条件苛刻，需要严格控制。此外，对于现有技术中，对于量子点尺寸的精确控制目前也还缺乏相关的方法。
技术实现思路
1、针对现有技术的问题，本专利技术提供一种尺寸可控的量子点、其制备方法及其
2、一种尺寸可控的量子点，它是采用如下方法制备得到的：将半导体材料的诱导期样品分散在溶剂中，在温度25-105℃，反应0.5-24h，即得；其中，所述半导体材料选自cdte、znse、cdse、cds或cdses。
3、优选的，所述半导体材料选自cdte时，所述量子点吸收峰在417-560nm，发射峰在460-570nm，半峰宽约为34-37nm；
4、所述半导体材料选自znse时，所述量子点吸收峰在303-320nm；
5、所述半导体材料选自cdse时，所述量子点吸收峰在361-373nm；
6、所述半导体材料选自cds时，所述量子点吸收峰在300-350nm；
7、所述半导体材料选自cdses时，所述量子点吸收峰在299-335nm。
8、优选的，所述量子点的尺寸为2.5-3.0nm。
9、优选的，所述溶剂选自甲苯、环己烷、正己烷、甲醇、水中的至少一种。
10、优选的，所述半导体材料选自cdte，所述溶剂选自甲苯，所述量子点吸收峰在440-520nm，发射峰在482-545nm；
11、或，所述半导体材料选自cdte，所述溶剂选自环己烷，所述量子点吸收峰在417-465nm，发射峰在460-485nm；
12、或，所述半导体材料选自znse，所述溶剂选自环己烷，所述量子点吸收峰在305-319nm；
13、或，所述半导体材料选自znse，所述溶剂选自环己烷与甲醇配制的混合溶剂，所述量子点吸收峰在303-320nm；
14、或，所述半导体材料选自cdse，所述溶剂选自水，所述量子点吸收峰在361-373nm；
15、或，所述半导体材料选自cds，所述溶剂选自水，所述量子点吸收峰在300-350nm；
16、或，所述半导体材料选自cdses，所述溶剂选自水，所述量子点吸收峰在299-335nm。
17、优选的，所述半导体材料选自cdte，所述溶剂选自甲苯，所述cdte量子点吸收峰在440nm±1％、449nm±1％、475nm±1％、481nm±1％、490nm±1％、495nm±1％、500nm±1％、510nm±1％或520nm±1％，发射峰在473nm±1％、482nm±1％、493nm±1％、505nm±1％、512nm±1％、518nm±1％、525nm±1％、535nm±1％或545nm±1％；
18、或，所述半导体材料选自cdte，所述溶剂选自环己烷，所述量子点吸收峰在417nm±5％、428nm±1％、440nm±1％、450nm±1％、458nm±1％或465nm±1％，发射峰在460nm±1％、468nm±1％、475nm±1％、480nm±1％或485nm±1％；
19、或，所述半导体材料选自znse，所述溶剂选自环己烷，所述量子点吸收峰在305nm±1％、314nm±1％、318nm±1％或319nm±1％；
20、或，所述半导体材料选自znse，所述溶剂选自环己烷与甲醇配制的混合溶剂，所述量子点吸收峰在303nm±5％、306nm±1％、307nm±1％、310nm±1％、311nm±1％、319nm±1％或320nm±1％；
21、或，所述半导体材料选自cdse，所述溶剂选自水，所述cdse量子点吸收峰在361nm±1％或373nm±1％；
22、或，所述半导体材料选自cds，所述溶剂选自水，所述量子点吸收峰在300nm±1％、302nm±1％、303nm±1％、311nm±1％、323nm±1％；330nm±1％、337nm±1％、340nm±1％、343nm±1％、346nm±1％或350nm±1％；
23、或，所述半导体材料选自cdses，所述溶剂选自水，所述量子点吸收峰在299nm±1％、304nm±1％、306nm±1％、318nm±1％或335nm±1％。
24、优选的，所述诱导期样品与溶剂的投料比为体积比(0.5-6)：100。
25、优选的，所述半导体材料选自cdte，所述诱导期样品的制备包括如下步骤：
26、(1)将二水合乙酸镉与油胺反应，得到油胺乙酸镉前驱体；
27、(2)将碲粉与三辛基膦混合反应，得到三辛基膦碲前驱体；
28、(3)将三辛基膦碲前驱体加入油胺乙酸镉前驱体反应，即得；
29、或，所述半导体材料选自znse，所述诱导期样品的制备包括如下步骤：
30、(1)将氧化锌、油酸和1-十八烯反应，得到油酸锌前驱体；
31、(2)将硒粉与三辛基膦混合反应，得到三辛基膦硒前驱体。
32、(3)将三辛基膦硒前驱体和二苯基膦混合加入油酸锌前驱体反应，即得；
33、或，所述半导体材料选自cdse，所述诱导期样品的制备包括如下步骤：
34、将氯化镉二点五水和巯基丙酸溶解在去离子水中，ph调至12.0-12.8，再将硒脲加入溶液中反应，即得；
35、或，所述半导体材料选自cds，所述诱导期样品的制备包括如下步骤：
36、将氯化镉二点五水和巯基丙酸溶解在去离子水中，ph调至12.0-12.8，再将硫代乙酰胺加入溶液中反应，即得；
37、或，所述半导体材料选自cdses，所述本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种尺寸可控的量子点，其特征在于，它是采用如下方法制备得到的：将半导体材料的诱导期样品分散在溶剂中，在温度25-105℃，反应0.5-24h，即得；其中，所述半导体材料选自CdTe、ZnSe、CdSe、CdS或CdSeS。
2.按照权利要求1所述的量子点，其特征在于：所述半导体材料选自CdTe时，所述量子点吸收峰在417-560nm，发射峰在460-570nm，半峰宽约为34-37nm；
3.按照权利要求1所述的量子点，其特征在于：所述量子点的尺寸为2.5-3.0nm。
4.按照权利要求1所述的量子点，其特征在于：所述溶剂选自甲苯、环己烷、正己烷、甲醇、水中的至少一种。
5.按照权利要求4所述的量子点，其特征在于：所述半导体材料选自CdTe，所述溶剂选自甲苯，所述量子点吸收峰在440-520nm，发射峰在482-545nm；
6.按照权利要求5所述的量子点，其特征在于：所述半导体材料选自CdTe，所述溶剂选自甲苯，所述CdTe量子点吸收峰在440nm±1％、449nm±1％、475nm±1％、481nm±1％、490
7.按照权利要求1所述的量子点，其特征在于：所述诱导期样品与溶剂的投料比为体积比(0.5-6)：100。
8.按照权利要求1所述的量子点，其特征在于：所述半导体材料选自CdTe，所述诱导期样品的制备包括如下步骤：
9.权利要求1-8任一项所述的量子点的制备方法，其特征在于：将半导体材料的诱导期样品分散在溶剂中，在温度25-105℃，反应0.5-24h，即得。
10.权利要求1-8任一项所述的量子点作为半导体发光材料的用途。
...【技术特征摘要】
1.一种尺寸可控的量子点，其特征在于，它是采用如下方法制备得到的：将半导体材料的诱导期样品分散在溶剂中，在温度25-105℃，反应0.5-24h，即得；其中，所述半导体材料选自cdte、znse、cdse、cds或cdses。
2.按照权利要求1所述的量子点，其特征在于：所述半导体材料选自cdte时，所述量子点吸收峰在417-560nm，发射峰在460-570nm，半峰宽约为34-37nm；
3.按照权利要求1所述的量子点，其特征在于：所述量子点的尺寸为2.5-3.0nm。
4.按照权利要求1所述的量子点，其特征在于：所述溶剂选自甲苯、环己烷、正己烷、甲醇、水中的至少一种。
5.按照权利要求4所述的量子点，其特征在于：所述半导体材料选自cdte，所述溶剂选自甲苯，所述量子点吸收峰在440-520nm，发射峰在482-545nm；
6.按照权利要求5所述的量子点，其特征在于：所述半导体材料选自...
【专利技术属性】
技术研发人员：栾超然，孙希莲，余睽，陈晓琴，申秋，蒋尧，黄义傲，
申请(专利权)人：四川大学，
类型：发明
国别省市：
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