【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光伏，更具体地，涉及光伏电池及其制备方法。
技术介绍
1、光伏电池，又称太阳能电池，是一种利用太阳光直接发电的光电半导体薄片，只要被满足一定照度条件的光照度，瞬间就可输出电压及在有回路的情况下产生电流。现在的光伏电池种类繁多，包括perc电池(钝化反射极和背面电池结构)、topcon电池(隧穿氧化层钝化接触结构)等，光伏电池的背面包括掺杂磷原子的多晶硅层，制备多晶硅层的方法通常为先制备非晶硅层，非晶硅层同时经过磷扩散处理和高温退火处理后，转变为多晶硅层，现有技术中，多晶硅层中磷原子的掺杂均匀性一般。因此，是本领域亟需解决的技术问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供了一种光伏电池制备方法，用以解决多晶硅层中磷原子的掺杂均匀性一般的问题。
2、第一方面，本申请提供一种光伏电池制备方法，包括以下步骤：
3、提供双面均为非晶硅层的硅片，双面包括相对设置的第一面和第二面；
4、在硅片的第一面和第二面同时生长阻挡层，得到形成阻挡层的硅片；
5、对形成阻挡层的硅片进行扩散处理，形成阻挡层的硅片的非晶硅层转变为多晶硅层，得到具有多晶硅层的硅片；
6、处理具有多晶硅层的硅片，去除第一面的阻挡层和多晶硅层，去除第二面的阻挡层，得到光伏电池。
7、可选地，在硅片的第一面和第二面同时生长阻挡层中，包括采用扩散法生长阻挡层，其中，氧气的流量范围为10000sccm-30000sccm，温度范围为600℃-700
8、可选地，对形成阻挡层的硅片进行扩散处理中，扩散源为三氯氧磷。
9、可选地，处理具有多晶硅层的硅片中，包括以下步骤：
10、采用酸性液体去除第一面的阻挡层；
11、采用碱性液体去除第一面的多晶硅层；
12、采用酸性液体去除第二面的阻挡层。
13、可选地，双面均为非晶硅层的硅片的制备方法包括制绒、第一次扩散、激光、第二次扩散、刻蚀、生长保护层。
14、可选地，生长保护层包括以下步骤：
15、在刻蚀后的硅片的第二面生长隧穿氧化层；
16、在生长隧穿氧化层后的硅片的第一面和第二面均生长非晶硅层，得到双面均为非晶硅层的硅片。
17、可选地，处理具有多晶硅层的硅片后包括以下步骤：钝化、镀膜、丝网印刷、烧结。
18、可选地，在刻蚀后的硅片的第二面生长隧穿氧化层包括采用氧化法生长隧穿氧化层，其中，氧气的流量范围为30000sccm-38000sccm，温度范围为580℃-620℃。
19、可选地，在生长隧穿氧化层后的硅片的第一面和第二面均生长非晶硅层包括采用分解法生长非晶硅层，其中，四氢化硅的流量范围为1300sccm-1700sccm，温度范围为590℃-610℃。
20、第二方面，本申请提供一种光伏电池，包括上述任一项的光伏电池制备方法制备的光伏电池。
21、与现有技术相比，本专利技术提供的光伏电池及其制备方法，至少实现了如下的有益效果：
22、本专利技术提供的光伏电池及其制备方法，该光伏电池制备方法包括以下步骤：提供双面均为非晶硅层的硅片，双面包括相对设置的第一面和第二面；在硅片的第一面和第二面同时生长阻挡层，得到形成阻挡层的硅片；对形成阻挡层的硅片进行扩散处理，形成阻挡层的硅片的非晶硅层转变为多晶硅层，得到具有多晶硅层的硅片；处理具有多晶硅层的硅片，去除第一面的阻挡层和多晶硅层，去除第二面的阻挡层，得到光伏电池；采用上述方案，通过阻挡层保证了磷原子的扩散速率保持一致，改善了多晶硅层中磷原子的掺杂均匀性，同时采用该方法制备的光伏电池光电转换效率和良品率均有较大提升。
23、当然，实施本专利技术的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
24、通过以下参照附图对本专利技术的示例性实施例的详细描述，本专利技术的其它特征及其优点将会变得清楚。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种光伏电池制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的光伏电池制备方法，其特征在于，所述在所述硅片的所述第一面和所述第二面同时生长阻挡层中，包括采用扩散法生长阻挡层，其中，氧气的流量范围为10000sccm-30000sccm，温度范围为600℃-700℃。
3.根据权利要求1所述的光伏电池制备方法，其特征在于，所述对所述形成阻挡层的硅片进行扩散处理中，扩散源为三氯氧磷。
4.根据权利要求1所述的光伏电池制备方法，其特征在于，所述处理所述具有多晶硅层的硅片中，包括以下步骤：
5.根据权利要求1所述的光伏电池制备方法，其特征在于，所述双面均为非晶硅层的硅片的制备方法包括制绒、第一次扩散、激光、第二次扩散、刻蚀、生长保护层。
6.根据权利要求5所述的光伏电池制备方法，其特征在于，所述生长保护层包括以下步骤：
7.根据权利要求1所述的光伏电池制备方法，其特征在于，所述处理所述具有多晶硅层的硅片后包括以下步骤：钝化、镀膜、丝网印刷、烧结。
8.根据权利要求6所述的光伏电池制备方法，
9.根据权利要求6所述的光伏电池制备方法，其特征在于，所述在生长隧穿氧化层后的所述硅片的第一面和第二面均生长非晶硅层包括采用分解法生长非晶硅层，其中，四氢化硅的流量范围为1300sccm-1700sccm，温度范围为590℃-610℃。
10.一种光伏电池，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的光伏电池制备方法制备的光伏电池。
...【技术特征摘要】
1.一种光伏电池制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的光伏电池制备方法，其特征在于，所述在所述硅片的所述第一面和所述第二面同时生长阻挡层中，包括采用扩散法生长阻挡层，其中，氧气的流量范围为10000sccm-30000sccm，温度范围为600℃-700℃。
3.根据权利要求1所述的光伏电池制备方法，其特征在于，所述对所述形成阻挡层的硅片进行扩散处理中，扩散源为三氯氧磷。
4.根据权利要求1所述的光伏电池制备方法，其特征在于，所述处理所述具有多晶硅层的硅片中，包括以下步骤：
5.根据权利要求1所述的光伏电池制备方法，其特征在于，所述双面均为非晶硅层的硅片的制备方法包括制绒、第一次扩散、激光、第二次扩散、刻蚀、生长保护层。
6.根据权利要求5所述的光伏电池制备方法，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：冉超，苗劲飞，苗丽燕，曾庆云，邱彦凯，朱俊谋，
申请(专利权)人：晶科能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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