【技术实现步骤摘要】
本技术属于电容生产设备,尤其是涉及一种mlcc正反双面承烧钵。
技术介绍
1、多层片式陶瓷电容器,简称mlcc,其广泛应用于军民电子设备中,随着电子设备的小型化进程的快速发展,电子元器件的小型化需求也突显出来,小尺寸多层片式陶瓷电容器日益受到市场青睐。在多层片式陶瓷电容器生产过程中,切割后的生坯需要均匀的摆放在承烧钵上,再进行下一步的排塑和烧结工序,因此,承烧钵是用于陶瓷炉内作为承载被烧陶瓷胚体的一种工具,进炉前将mlcc产品平整的排放于承烧钵上,可使承烧产品受热均匀,便于排塑与烧结。
2、然而,现有技术中的承烧钵只能单面使用,在炉内高温高压的环境下承烧产品,承烧钵的承装面受到产品重力向下的压力,容易导致承装面的凹陷变形,不仅影响排烧效果,降低其使用寿命,而且使用单面承烧不同类型产品,也会增加产品互相污染的风险。
技术实现思路
1、本技术目的是:提供一种mlcc正反双面承烧钵,通过控制并调整承烧a面和承烧b面的承烧次数,可以有效防止一直单面使用承烧钵而使钵体向下凹陷变形的问题,从而提高承烧钵的使用寿命,并使产品排布和受热均匀;同时承烧a面和承烧b面可以分别针对不同类型的产品进行承烧,避免在承烧钵的同一面上多次承烧不同类型产品,而使产品受到交叉污染,从而能达到更佳的排塑和烧结效果。
2、本技术的技术方案是:一种mlcc正反双面承烧钵,包括扇形承烧板,分别设置于所述扇形承烧板上、下表面的承烧a面和承烧b面,以及一圈设置于所述扇形承烧板的周侧、且垂直于所述承烧a面
3、在所述防护档板的上、下表面、且位于所述扇形承烧板的四个角各设置有一l型支撑部,同时在所述防护档板的上、下表面、且位于所述扇形承烧板的扇形长边的中间位置各设置有一弧形支撑部。
4、作为优选的技术方案,所述扇形承烧板为呈水平设置的氧化铝板,并在该氧化铝板的外表面设置有氧化锆涂层。
5、作为优选的技术方案,位于同一个承烧面上的l型支撑部和弧形支撑部的高度相同,且其高度范围为0.5~1.0cm。
6、作为优选的技术方案,所述防护档板的高度范围为0.25~0.5cm。
7、作为优选的技术方案,所述l型支撑部、所述弧形支撑部与所述扇形承烧板垂直设置。
8、作为优选的技术方案,所述扇形承烧板与所述防护档板一体成型。
9、作为优选的技术方案,所述l型支撑部、所述弧形支撑部与所述防护档板一体成型。
10、本技术的优点是:
11、1.本技术的mlcc正反双面承烧钵,通过在扇形承烧板的承烧a面和承烧b面都装上支撑部(即l型支撑部和弧形支撑部),在保持承烧钵整体总高度不变的情况下,控制并调整承烧a面和承烧b面的承烧次数,可以有效防止一直单面使用承烧钵而使钵体向下凹陷变形的问题,从而提高承烧钵的使用寿命,并使产品排布和受热均匀。
12、2.本技术的mlcc正反双面承烧钵,其承烧a面和承烧b面可以分别针对不同类型的产品进行承烧,避免在承烧钵的同一面上多次承烧不同类型产品,而使产品受到交叉污染,从而能达到更佳的排塑和烧结效果。
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1.一种MLCC正反双面承烧钵,其特征在于,包括扇形承烧板,分别设置于所述扇形承烧板上、下表面的承烧A面和承烧B面,以及一圈设置于所述扇形承烧板的周侧、且垂直于所述承烧A面和所述承烧B面的防护档板;
2.根据权利要求1所述的MLCC正反双面承烧钵,其特征在于,所述扇形承烧板为呈水平设置的氧化铝板,并在该氧化铝板的外表面设置有氧化锆涂层。
3.根据权利要求1所述的MLCC正反双面承烧钵,其特征在于,位于同一个承烧面上的L型支撑部和弧形支撑部的高度相同,且其高度范围为0.5~1.0cm。
4.根据权利要求1所述的MLCC正反双面承烧钵,其特征在于,所述防护档板的高度范围为0.25~0.5cm。
5.根据权利要求1所述的MLCC正反双面承烧钵,其特征在于,所述L型支撑部、所述弧形支撑部与所述扇形承烧板垂直设置。
6.根据权利要求1所述的MLCC正反双面承烧钵,其特征在于,所述扇形承烧板与所述防护档板一体成型。
7.根据权利要求1所述的MLCC正反双面承烧钵,其特征在于,所述L型支撑部、所述弧形支撑部与所述防护档板一
...【技术特征摘要】
1.一种mlcc正反双面承烧钵,其特征在于,包括扇形承烧板,分别设置于所述扇形承烧板上、下表面的承烧a面和承烧b面,以及一圈设置于所述扇形承烧板的周侧、且垂直于所述承烧a面和所述承烧b面的防护档板;
2.根据权利要求1所述的mlcc正反双面承烧钵,其特征在于,所述扇形承烧板为呈水平设置的氧化铝板,并在该氧化铝板的外表面设置有氧化锆涂层。
3.根据权利要求1所述的mlcc正反双面承烧钵,其特征在于,位于同一个承烧面上的l型支撑部和弧形支撑部的高度相同,且其高度范围为0.5~1...
【专利技术属性】
技术研发人员:代勇,
申请(专利权)人:元六鸿远苏州电子科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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