【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体测试，尤其是涉及一种功率半导体器件静态测试系统的校验电路和校验方法。
技术介绍
1、对于功率半导体器件的静态测试系统，测试结果精度是首要关注指标。静态测试系统包含击穿电压、功率端漏电流、栅极阈值电压、栅极漏电流、导通电阻、导通压降这六种关键测试项，还包括栅极电阻、输入电容、输出电容、转移电容等一般测试项。这些测试内容有pa级的漏电流，μω级的电阻，mv级的电压，以及pf级的电容，因此要求测试系统具有较高的精度。
2、目前验证静态测试系统精度的主要方法是直接测量标准器件，然后将测试结果与该器件的参考标准进行比较。由于器件参考标准中的性能参数是每个测试项的最小值、典型值和最大值，参考标准本身存在误差，且由于标准器件与被测器件的差异，导致实验结果可能无法反映出测试系统的真实精度。
技术实现思路
1、为了快速精准校验测试系统的精度，本方案提出一种功率半导体器件静态测试系统的校验电路和校验方法，使用标准电阻、电容和切换电路状态的继电器组成的电路拓扑模拟功率半导体器件构成校验电路，通过自动控制继电器的闭合状态切换接入静态测试系统的电阻或电容，在已知标准器件阻值或电容值的情况下，根据测量结果验证静态测试系统各测试参数的精度，可以准确、快速、全面的完成静态测试系统的精度校验。
2、根据本专利技术的第一方面，提供了一种功率半导体器件静态测试系统的校验电路，包括多个标准电阻、多个标准电容和多个继电器组成的电路拓扑模拟功率半导体器件，用于通过自动控制不同继电器
3、可选地，在本专利技术提供的功率半导体器件静态测试系统的校验电路中，第一标准电阻为100gω-10tω的电阻，第二标准电阻为1gω-100gω的电阻，第三标准电阻为1ω-100ω电阻，第四标准电阻为1mω-100mω的电阻，第五标准电阻为0.1ω-10ω电阻，第一标准电容为1nf-100nf电容，第二标准电容为0.1nf-10nf电容，第三标准电容为1pf-100pf电容；
4、第一继电器、第二继电器、第三继电器、第四继电器、第五继电器、第六继电器、第七继电器、第八继电器分别连接至plc控制器，plc控制器内置验证程序。
5、可选地，在本专利技术提供的功率半导体器件静态测试系统的校验电路中，第二标准电阻的一端连接第二继电器，另一端分别连接第一标准电阻、第三标准电阻、第四标准电阻、第五标准电阻、第一标准电容和第二标准电容，当第二继电器闭合，第二标准电阻切入静态测试系统，用于根据第二标准电阻的阻值和测量得到的第二标准电阻上的电压计算出栅极漏电流值，验证栅极漏电流的测试精度。
6、可选地，在本专利技术提供的功率半导体器件静态测试系统的校验电路中，第三标准电阻的一端连接第三继电器，另一端分别连接第一标准电阻、第二标准电阻、第四标准电阻、第五标准电阻、第一标准电容和第二标准电容，当第三继电器闭合，第三标准电阻切入静态测试系统，用于根据第三标准电阻上产生的电压验证阈值电压的测试精度。
7、可选地，在本专利技术提供的功率半导体器件静态测试系统的校验电路中，第四标准电阻的一端连接第四继电器，另一端分别连接第一标准电阻、第二标准电阻、第三标准电阻、第五标准电阻、第一标准电容和第二标准电容，当第四继电器闭合，第四标准电阻切入静态测试系统，用于根据第四标准电阻上产生的电压验证导通电阻和导通压降的测试精度。
8、可选地，在本专利技术提供的功率半导体器件静态测试系统的校验电路中，第五标准电阻的一端连接第五继电器，另一端分别连接第一标准电阻、第二标准电阻、第三标准电阻、第四标准电阻、第一标准电容和第二标准电容，当第五继电器闭合，第五标准电阻切入静态测试系统，用于验证栅极内阻的测试精度。
9、可选地，在本专利技术提供的功率半导体器件静态测试系统的校验电路中，第一标准电容一端连接第六继电器，另一端分别连接第一标准电阻、第二标准电阻、第三标准电阻、第四标准电阻、第五标准电阻和第三标准电容；第二标准电容的一端连接第七继电器，另一端分别连接第一标准电阻、第二标准电阻、第三标准电阻、第四标准电阻、第五标准电阻和第三标准电容；第三标准电容的一端连接第八继电器，另一端分别连接第二继电器、第五继电器和第六继电器。
10、可选地，在本专利技术提供的功率半导体器件静态测试系统的校验电路中，当第六继电器闭合时，第一标准电容切入静态测试系统，用于验证输入电容的测试精度；当第七继电器闭合时，第二标准电容切入静态测试系统，用于验证输出电容的测试精度；当第八继电器闭合时，第三标准电容切入静态测试系统，用于验证转移电容的测试精度。
11、根据本专利技术的第二方面，提供了一种功率半导体器件静态测试系统的校验方法，包括：构建如上所述的功率半导体器件静态测试系统的校验电路；
12、闭合第一继电器，关闭其他继电器，使第一标准电阻接入静态测试系统，验证功率端漏电流的测试精度；
13、闭合第二继电器，关闭其他继电器，使第二标准电阻接入静态测试系统，验证栅极漏电流的测试精度；
14、闭合第三继电器，关闭其他继电器，使第三标准电阻接入静态测试系统，验证阈值电压的测试精度；
15、闭合第四继电器，关闭其他继电器，使第四标准电阻接入静态测试系统，验证导通电阻和导通压降的测试精度；
16、闭合第五继电器，关闭其他继电器，使第五标准电阻接入静态测试系统，验证栅极内阻的测试精度；
17、闭合第六继电器，关闭其他继电器，使第一标准的电容接入静态测试系统，验证输入电容的测试精度；
18、闭合第七继电器，关闭其他继电器，使第二标准的电容接入静态测试系统，验证输出电容的测试精度；
19、闭合第八继电器，关闭其他继电器，使第三标准的电容接入静态测试系统，验证转移电容的测试精度。
20、本专利技术提供的功率半导体器件静态测试系统的校验电路和校验方法，使用标准电阻、电容和继电器模拟实际应用中的功率半导体器件构成静态测试系统的校本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种功率半导体器件静态测试系统的校验电路，其特征在于，包括多个标准电阻、多个标准电容和多个继电器组成的电路拓扑模拟功率半导体器件，用于通过自动控制不同继电器的闭合状态，使不同的标准电阻或标准电容接入功率半导体器件静态测试系统，根据测量结果验证静态测试系统的精度，所述校验电路包括第一标准电阻、第二标准电阻、第三标准电阻、第四标准电阻、第五标准电阻、第一标准电容、第二标准电容、第三标准电容、第一继电器、第二继电器、第三继电器、第四继电器、第五继电器、第六继电器、第七继电器、第八继电器，所述第一标准电阻、第二标准电阻、第三标准电阻、第四标准电阻、第五标准电阻、第一标准电容、第二标准电容、第三标准电容分别通过所述第一继电器、第二继电器、第三继电器、第四继电器、第五继电器、第六继电器、第七继电器、第八继电器的闭合接入静态测试系统；
2.根据权利要求1所述的功率半导体器件静态测试系统的校验电路，其特征在于，所述第一标准电阻为100GΩ-10TΩ的电阻，所述第二标准电阻为1GΩ-100GΩ的电阻，所述第三标准电阻为1Ω-100Ω电阻，所述第四标准电阻为1mΩ-100mΩ的电阻，
3.根据权利要求2所述的功率半导体器件静态测试系统的校验电路，其特征在于，所述第二标准电阻的一端连接所述第二继电器，另一端分别连接第一标准电阻、第三标准电阻、第四标准电阻、第五标准电阻、第一标准电容和第二标准电容，当所述第二继电器闭合，所述第二标准电阻切入静态测试系统，用于根据第二标准电阻的阻值和测量得到的第二标准电阻上的电压计算出栅极漏电流值，验证栅极漏电流的测试精度。
4.根据权利要求2所述的功率半导体器件静态测试系统的校验电路，其特征在于，所述第三标准电阻的一端连接所述第三继电器，另一端分别连接第一标准电阻、第二标准电阻、第四标准电阻、第五标准电阻、第一标准电容和第二标准电容，当所述第三继电器闭合，所述第三标准电阻切入静态测试系统，用于根据第三标准电阻上产生的电压验证阈值电压的测试精度。
5.根据权利要求2所述的功率半导体器件静态测试系统的校验电路，其特征在于，所述第四标准电阻的一端连接所述第四继电器，另一端分别连接第一标准电阻、第二标准电阻、第三标准电阻、第五标准电阻、第一标准电容和第二标准电容，当所述第四继电器闭合，所述第四标准电阻切入静态测试系统，用于根据第四标准电阻上产生的电压验证导通电阻和导通压降的测试精度。
6.根据权利要求2所述的功率半导体器件静态测试系统的校验电路，其特征在于，所述第五标准电阻的一端连接所述第五继电器，另一端分别连接第一标准电阻、第二标准电阻、第三标准电阻、第四标准电阻、第一标准电容和第二标准电容，当所述第五继电器闭合，所述第五标准电阻切入静态测试系统，用于验证栅极内阻的测试精度。
7.根据权利要求2所述的功率半导体器件静态测试系统的校验电路，其特征在于，所述第一标准电容一端连接所述第六继电器，另一端分别连接所述第一标准电阻、第二标准电阻、第三标准电阻、第四标准电阻、第五标准电阻和第三标准电容；所述第二标准电容的一端连接所述第七继电器，另一端分别连接所述第一标准电阻、第二标准电阻、第三标准电阻、第四标准电阻、第五标准电阻和第三标准电容；所述第三标准电容的一端连接第八继电器，另一端分别连接所述第二继电器、第五继电器和第六继电器。
8.根据权利要求7所述的功率半导体器件静态测试系统的校验电路，其特征在于，当第六继电器闭合时，所述第一标准电容切入静态测试系统，用于验证输入电容的测试精度；当第七继电器闭合时，所述第二标准电容切入静态测试系统，用于验证输出电容的测试精度；当第八继电器闭合时，所述第三标准电容切入静态测试系统，用于验证转移电容的测试精度。
9.一种功率半导体器件静态测试系统的校验方法，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种功率半导体器件静态测试系统的校验电路，其特征在于，包括多个标准电阻、多个标准电容和多个继电器组成的电路拓扑模拟功率半导体器件，用于通过自动控制不同继电器的闭合状态，使不同的标准电阻或标准电容接入功率半导体器件静态测试系统，根据测量结果验证静态测试系统的精度，所述校验电路包括第一标准电阻、第二标准电阻、第三标准电阻、第四标准电阻、第五标准电阻、第一标准电容、第二标准电容、第三标准电容、第一继电器、第二继电器、第三继电器、第四继电器、第五继电器、第六继电器、第七继电器、第八继电器，所述第一标准电阻、第二标准电阻、第三标准电阻、第四标准电阻、第五标准电阻、第一标准电容、第二标准电容、第三标准电容分别通过所述第一继电器、第二继电器、第三继电器、第四继电器、第五继电器、第六继电器、第七继电器、第八继电器的闭合接入静态测试系统；
2.根据权利要求1所述的功率半导体器件静态测试系统的校验电路，其特征在于，所述第一标准电阻为100gω-10tω的电阻，所述第二标准电阻为1gω-100gω的电阻，所述第三标准电阻为1ω-100ω电阻，所述第四标准电阻为1mω-100mω的电阻，所述第五标准电阻为0.1ω-10ω电阻，所述第一标准电容为1nf-100nf电容，所述第二标准电容为0.1nf-10nf电容，所述第三标准电容为1pf-100pf电容；
3.根据权利要求2所述的功率半导体器件静态测试系统的校验电路，其特征在于，所述第二标准电阻的一端连接所述第二继电器，另一端分别连接第一标准电阻、第三标准电阻、第四标准电阻、第五标准电阻、第一标准电容和第二标准电容，当所述第二继电器闭合，所述第二标准电阻切入静态测试系统，用于根据第二标准电阻的阻值和测量得到的第二标准电阻上的电压计算出栅极漏电流值，验证栅极漏电流的测试精度。
4.根据权利要求2所述的功率半导体器件静态测试系统的校验电路，其特征在于，所述第三标准电阻的一端连接所述第三继电器，另一端分别连接第一标准电阻、第二标准...
【专利技术属性】
技术研发人员：张星，
申请(专利权)人：忱芯科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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