【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体,特别是指一种研磨砂轮修整装置和研磨砂轮修整方法。
技术介绍
1、12英寸晶圆作为半导体行业最为基础的材料,制备工序多,加工复杂,加工步骤主要包括硅粉和掺杂剂经过拉晶形成硅棒,后续进行分离式切断、滚磨、粘棒、线切割、一次倒角、刻蚀、清洗、二次倒角、研磨、打标等工艺段多次加工,最终得到较为平整、边缘粗糙度较好的晶片。
2、其中,在二次倒角的目的是为了根据需求,将晶圆边缘加工至指定形状,并较好的提高边缘利用率。由于二次倒角对边缘粗糙度的要求较高,针对晶圆的外周加工需要依次进行外周粗研磨(800目金刚石砂轮)和外周精研磨(3000目树脂砂轮)两个部分。
3、现阶段对12英寸晶圆的边缘形状的加工多采用复印加工的方法,即在外周粗研磨砂轮上设计晶圆边缘对应的整形沟槽,加工硅片开始前,先将整形沟槽的形状复制在单独的整形片上,再将整形片已有的形状复制在外周精研磨砂轮上的整形沟槽上。对晶圆进行加工时,通过外周粗研磨砂轮、外周精研磨砂轮的依次加工,最终将沟槽形状复刻在晶圆边缘。
4、但是由于研磨砂轮采
...【技术保护点】
1.一种研磨砂轮修整装置,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的研磨砂轮修整装置,其特征在于,还包括:
3.根据权利要求2所述的研磨砂轮修整装置,其特征在于,所述整形器和所述拍摄设备分别设置于所述摆动机构相对的两侧。
4.根据权利要求2所述的研磨砂轮修整装置,其特征在于,所述整形器通过链接卡扣与所述摆动机构连接。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的研磨砂轮修整装置,其特征在于,所述整形器是以碳钢金属为基底,基底的外侧涂覆有碳化硅涂层。
6.根据权利要求1或2所述的研磨砂轮修整装置,其特征在于,所述拍摄
...【技术特征摘要】
1.一种研磨砂轮修整装置,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的研磨砂轮修整装置,其特征在于,还包括:
3.根据权利要求2所述的研磨砂轮修整装置,其特征在于,所述整形器和所述拍摄设备分别设置于所述摆动机构相对的两侧。
4.根据权利要求2所述的研磨砂轮修整装置,其特征在于,所述整形器通过链接卡扣与所述摆动机构连接。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的研磨砂轮修整装置,其特征在于,所述整形器是以碳钢金属为基底,基底的外侧涂覆有碳化硅涂层。
6.根据权利要求1或2所述的研磨砂轮修整装置,其特征在于,所述拍摄设备为视觉相机。
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【专利技术属性】
技术研发人员:刘玉乾,
申请(专利权)人:西安奕斯伟材料科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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