【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域,尤其涉及一种晶圆偏心检测方法、装置、电子设备和介质。
技术介绍
1、半导体制真空设备通常具有一个放置预处理晶圆的装载台,一个用于处理晶圆的反应模块,和用于装载台与反应模块之间传输晶圆的处理系统。目前半导体制造设备中,晶圆处理系统通过机械手在不同制造设备中取放晶圆,机器手可以根据在制造设备中预设的位置自动化执行晶圆处理任务。
2、在传输晶圆的过程中,晶圆中心放置的位置精度是机械手的重要技术指标,现有技术中存在传感器响应时间噪声,会干扰晶圆偏心值的计算,晶圆放在偏心位置可能导致破损或者错位,不利于提升晶圆质量。因此,亟需一种新型的晶圆偏心检测方法、装置、电子设备和介质以改善上述问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种晶圆偏心检测方法、装置、电子设备和介质,该方法用于提高对晶圆偏心值计算的精度。
2、第一方面,本专利技术提供一种晶圆偏心检测方法,应用于半导体制真空设备,包括:控制机械手带动晶圆以低速和高速两次经过n个传感器,n为
...【技术保护点】
1.一种晶圆偏心检测方法,应用于半导体制真空设备,其特征在于,包括:控制机械手带动晶圆以低速和高速两次经过N个传感器,N为正整数,实时采集晶圆边缘触发所述传感器时的触发信号,同时获取每次传感器触发时机械手的手指中心位置;
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述控制机械手带动晶圆以低速和高速两次经过N个传感器,N为正整数,实时采集晶圆边缘触发所述传感器时的触发信号,同时获取每次传感器触发时机械手的手指中心位置,包括:
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述根据触发信号和手指中心位置计算出传感器的触发点位置,以及所述触发信号的延迟时
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【技术特征摘要】
1.一种晶圆偏心检测方法,应用于半导体制真空设备,其特征在于,包括:控制机械手带动晶圆以低速和高速两次经过n个传感器,n为正整数,实时采集晶圆边缘触发所述传感器时的触发信号,同时获取每次传感器触发时机械手的手指中心位置;
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述控制机械手带动晶圆以低速和高速两次经过n个传感器,n为正整数,实时采集晶圆边缘触发所述传感器时的触发信号,同时获取每次传感器触发时机械手的手指中心位置,包括:
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述根据触发信号和手指中心位置计算出传感器的触发点位置,以及所述触发信号的延迟时间包括:
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据触发信号和手指中心位置计算出传感器的触发点位置,以及所述触发信号的延迟时间,包括:
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述控制机械手第三次以及之后经过所述传感器时,计算补偿所述延迟时间后的传感器触发时手指中心位置...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱玉东,何海龙,高路为,莫涵,
申请(专利权)人:中科芯微智能装备沈阳有限公司,
类型:发明
国别省市:
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