System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 级间匹配网络衰减器制造技术_技高网
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级间匹配网络衰减器制造技术

技术编号:40431710 阅读:15 留言:0更新日期:2024-02-20 22:54
用于射频(RF)传输系统的阻抗匹配网络可以包括用于耦合到第一晶体管差分对的第一端口。该网络还可以包括用于耦合到第二晶体管差分对的第二端口。该网络还可以包括连接到第一端口和第二端口的匹配网络,该匹配网络包括一对耦合线路。描述了其他方面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开的各方面涉及射频(rf)通信。更具体地,这些方面涉及rf通信中使用的宽带匹配网络。


技术介绍

1、亚太赫兹(thz)和毫米波(mmwave)集成无线电正被推向其使用高阶匹配网络的高分数带宽的极限。这些匹配网络的性能受到片上无源组件质量的限制。在实际系统中,由于包含增益控制和增加的放大器电路动态范围所需的衰减器,rf链的带宽进一步降低。因此,普遍需要具有嵌入式衰减功能的稳健宽带匹配网络。


技术实现思路

【技术保护点】

1.一种用于射频(RF)传输系统的阻抗匹配网络,所述阻抗匹配网络包括:

2.根据权利要求1所述的阻抗匹配网络,还包括:两个串联电感元件。

3.根据权利要求2所述的阻抗匹配网络,其中,所述两个串联电感元件在所述第一端口处连接。

4.根据权利要求3所述的阻抗匹配网络,还包括:电容元件,在所述第一端口处。

5.根据权利要求2所述的阻抗匹配网络,其中,取决于所述阻抗匹配网络的阻抗变换比,所述两个串联电感元件在所述第一端口和所述第二端口中的一者处耦合。

6.根据权利要求1所述的阻抗匹配网络,其中,所述耦合线路具有基于所述RF传输系统的操作频率的长度。

7.根据权利要求1所述的阻抗匹配网络,其中,所述第一晶体管差分对和所述第二晶体管差分对中的至少一者包括金属氧化物半导体(MOS)器件。

8.根据权利要求1所述的阻抗匹配网络,其中,所述第一晶体管差分对和所述第二晶体管差分对中的至少一者用双极放大器设计来实现。

9.根据权利要求1所述的阻抗匹配网络,其中,所述第一晶体管差分对和所述第二晶体管差分对中的至少一者用绝缘体上硅(SOI)设计来实现。

10.一种用于阻抗匹配网络的衰减电路,所述衰减电路包括:

11.根据权利要求10所述的衰减电路,其中,所述辅助线路中的至少一者耦合到可切换电阻阵列。

12.根据权利要求11所述的衰减电路,其中,所述辅助线路中的每一个辅助线路都耦合到可切换电阻阵列。

13.根据权利要求10所述的衰减电路,还包括:两个串联电感元件,耦合在所述衰减电路的所述第一端口处。

14.根据权利要求10所述的衰减电路,还包括:电容元件和两个串联电感元件,耦合在所述衰减电路的所述第二端口处。

15.一种无线通信设备,包括:

16.根据权利要求15所述的无线通信设备,其中,所述匹配网络还包括两个串联电感元件。

17.根据权利要求16所述的无线通信设备,其中,所述两个串联电感元件在所述第一端口处连接。

18.根据权利要求16所述的无线通信设备,其中,取决于所述匹配网络的阻抗变换比,所述两个串联电感元件在所述第一端口和所述第二端口中的一者处耦合。

19.根据权利要求16所述的无线通信设备,其中,所述匹配网络还包括衰减电路,所述衰减电路包括:

20.根据权利要求19所述的无线通信设备,其中,所述辅助线路中的至少一者耦合到可切换电阻阵列。

21.根据权利要求19所述的无线通信设备,还包括:两个串联电感元件,耦合在所述衰减电路的所述第一端口处。

22.根据权利要求19所述的无线通信设备,还包括:电容元件和两个串联电感元件,耦合在所述衰减电路的所述第二端口处。

23.一种用于在毫米波网络中进行通信的方法,所述方法包括:

24.根据权利要求23所述的方法,还包括:取决于包括所述第一端口、所述第二端口和所述匹配网络的阻抗匹配网络的阻抗变换比,提供连接在所述第一端口和所述第二端口中的一者处的两个串联电感元件。

25.根据权利要求23所述的方法,还包括:基于所述毫米波网络中的操作频率来确定所述耦合线路的长度。

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种用于射频(rf)传输系统的阻抗匹配网络,所述阻抗匹配网络包括:

2.根据权利要求1所述的阻抗匹配网络,还包括:两个串联电感元件。

3.根据权利要求2所述的阻抗匹配网络,其中,所述两个串联电感元件在所述第一端口处连接。

4.根据权利要求3所述的阻抗匹配网络,还包括:电容元件,在所述第一端口处。

5.根据权利要求2所述的阻抗匹配网络,其中,取决于所述阻抗匹配网络的阻抗变换比,所述两个串联电感元件在所述第一端口和所述第二端口中的一者处耦合。

6.根据权利要求1所述的阻抗匹配网络,其中,所述耦合线路具有基于所述rf传输系统的操作频率的长度。

7.根据权利要求1所述的阻抗匹配网络,其中,所述第一晶体管差分对和所述第二晶体管差分对中的至少一者包括金属氧化物半导体(mos)器件。

8.根据权利要求1所述的阻抗匹配网络,其中,所述第一晶体管差分对和所述第二晶体管差分对中的至少一者用双极放大器设计来实现。

9.根据权利要求1所述的阻抗匹配网络,其中,所述第一晶体管差分对和所述第二晶体管差分对中的至少一者用绝缘体上硅(soi)设计来实现。

10.一种用于阻抗匹配网络的衰减电路,所述衰减电路包括:

11.根据权利要求10所述的衰减电路,其中,所述辅助线路中的至少一者耦合到可切换电阻阵列。

12.根据权利要求11所述的衰减电路,其中,所述辅助线路中的每一个辅助线路都耦合到可切换电阻阵列。

13.根据权利要求10所述的衰减电路,还包括:两个串联电感元件,耦合在...

【专利技术属性】
技术研发人员:瑞提什·巴特史蒂文·卡伦德
申请(专利权)人:英特尔公司
类型:发明
国别省市:

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