化合物、电子阻挡材料、有机半导体元件及化合物制造技术

下述通式所表示的化合物为优异的电子阻挡材料。X为供体基团；R1～R6为取代基；n1～n6表示0以上且最大可取代数以下的整数。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种作为电子阻挡材料有用的化合物及使用该化合物的有机半导体元件。

技术介绍

1、正在积极进行提高有机电致发光元件(有机el元件)等有机半导体元件的性能的研究。举例来说，为了改善有机电致发光元件的元件寿命，期望改善驱动电压，电子传输材料、空穴传输材料、电子阻挡材料、空穴阻挡材料等与电荷传输有关的材料的功能，因此也正在进行对这些材料的开发和改良。

2、举例来说，电子阻挡材料为电子阻挡层的材料，其设置于发光层与空穴传输层之间，发挥阻止存在于发光层中的电子从发光层向空穴传输层漏出，并且将来自空穴传输层的空穴传输到发光层的功能。若使用优异的电子阻挡材料，则在发光层中的电子与空穴的再键合概率提高，结果与元件寿命的延长相关。以往，作为电子阻挡材料提出了各种各样的化合物，例如提出了在专利文献1中具有下述结构的化合物。

3、[化学式1]

4、

5、以往技术文献

6、专利文献

7、专利文献1:wo2010/140482

技术实现思路p>

1、专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种化合物，其由下述通式(1)表示，

2.根据权利要求1所述的化合物，其由下述通式(2A)表示，

3.根据权利要求1所述的化合物，其由下述通式(2B)表示，

4.根据权利要求1所述的化合物，其由下述通式(3A)表示，

5.根据权利要求1所述的化合物，其由下述通式(3B)表示，

6.一种电子阻挡材料，其包含权利要求1至5中任一项所述的化合物。

7.一种有机半导体元件，其包含权利要求1至5中任一项所述的化合物。

8.根据权利要求7所述的有机半导体元件，其中，

9.根据权利要求8所述的有机半导体...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种化合物，其由下述通式(1)表示，

2.根据权利要求1所述的化合物，其由下述通式(2a)表示，

3.根据权利要求1所述的化合物，其由下述通式(2b)表示，

4.根据权利要求1所述的化合物，其由下述通式(3a)表示，

5.根据权利要求1所述的化合物，其由下述通式(3b)表示，

6.一种电子阻挡材料，其包含权利要求1至5中任一项所述的化合物。

7.一种有机半导体元件，其包含权利要求1至5中任一项所述的化合物。

8.根据权利要求7所述的有机半导体元件，其中，

...

【专利技术属性】
技术研发人员：小泽宽晃，森尾桃子，后藤亚衣子，
申请(专利权)人：九州有机光材股份有限公司，
类型：发明
国别省市：