【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示器，具体涉及一种阵列基板及其制备方法。
技术介绍
1、随着平板显示(fpd)技术的发展，人们对显示器分辨率和画面刷新速率的追求越来越高，因此新材料和新工艺的发展也迫在眉睫。目前阵列基板制程当中，栅极的材料采用铜，由于铜的导电率要远远优于铝，因此能够提升面板的分辨率和亮度，同时闪屏和线负载都能大大降低。现有的制程中，一般采用pvd(physical vapor deposition，物理气相沉积)溅射的方式制备栅极层的铜膜，再采用cvd(chemical vapor deposition，化学气相沉积)的方式在栅极层上沉积sinx层作为介电层，但是此种制备方式会使得铜膜电阻率降低，从而影响面板性能。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种阵列基板及其制备方法，能够在沉积介电层时避免h+扩散至铜膜内，提升阵列基板的器件特性。
2、第一方面，本申请实施例提供一种阵列基板，所述阵列基板包括基板以及位置所述基板之上的栅极层，所述栅极层包括铜膜；
3、所述阵列基板
【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括基板以及位于所述基板之上的栅极层，所述栅极层包括铜膜；
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述无氢阻挡层设置为无氢SiNX膜层。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述无氢阻挡层的层厚为T1；
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述无氢阻挡层的层厚为T1，其中，
5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极层还包括阻隔层，所述阻隔层设于所述铜膜与所述基板之间。
6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阻隔层的材质包括钼
7....
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括基板以及位于所述基板之上的栅极层，所述栅极层包括铜膜；
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述无氢阻挡层设置为无氢sinx膜层。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述无氢阻挡层的层厚为t1；
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述无氢阻挡层的层厚为t1，其中，
5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：游辛晨，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。