【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种lpcvd分步沉积方法。
技术介绍
1、随着topcon工艺大规模量产化，伴随着对提产、降本、提效的要求越来越高，多数厂家追求lpcvd的低膜厚来达到提产、降本、提效的目的。现lpcvd工艺一步沉积很难达到此要求，随着多晶硅厚度减薄，钝化接触效果相比之前厚膜厚的略差，开压和填充都没有显著的优势；且会降低磷扩的掺杂浓度，使得整体工艺窗口较小，工艺稳定性较差。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题是：为了克服上述技术问题，本专利技术提供一种lpcvd分步沉积方法。
2、本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种lpcvd分步沉积方法，先沉积一定厚度的非晶硅，然后升温后保持恒温，恒温后继续沉积，然后氢化，进行钝化处理。
3、本专利技术的lpcvd分步沉积方法，包括以下步骤：
4、步骤1：保持恒压、恒温，沉积20-60nm厚度的非晶硅，其中，压力为200-300mtorr，温度为560℃-600℃；
5、步骤2：保持压力不变，在一定时间下升温后保持恒温，温度范围在580℃-630℃；
6、步骤3：继续沉积形成所需厚度的多晶硅；
7、步骤4：在分步沉积完成后，采用pecvd法对lp后硅片进行氢钝化处理。
8、步骤1中，沉积30-50nm的多晶硅，步骤3在步骤1的基础上形成所需厚度的多晶硅。
9、步骤2的升温时间一般在100-300s。
10、步骤4的具体
11、s41：将硅片放入pecvd炉管中，工艺温度在480℃-530℃；
12、s42：硅片在炉管中进行抽真空、捡漏及氮气吹扫，并能在氮气氛围下稳定在预定要求的压力范围；
13、s43：硅片工艺中压强控制在1000mbar-3000mbar；
14、s44：硅片工艺中气体通入硅烷和氢气两路气体，sih4的流量为1000-3000sccm，氢气的流量为：5000-28000sccm；
15、s45：硅片工艺中形成一层10-30nm的氢化非晶硅。
16、步骤1-3的具体步骤为：
17、s1：将硅片放入lpcvd炉管中，工艺温度在560℃-600℃；
18、s2：硅片在炉管中进行抽真空、捡漏及氮气吹扫，并能在氮气氛围下稳定在预定要求的压力范围；
19、s3：硅片工艺中压强控制在200mtorr-300mtorr；
20、s4：硅片工艺中气体通入为炉口与炉尾两路，sih4的流量比例90:1800sccm-140:2800sccm；
21、s5：硅片工艺中通过第一次淀积，使第一层超致密非晶硅层厚度在30-50nm；
22、s6：硅片第一层非晶硅制备后进行氮气吹扫，在氮气氛围下保持压力不变并升温后保持恒温，温度范围在580℃-630℃；
23、s7：硅片工艺中通过第二次淀积，使第二层非晶硅层厚度在50-130nm，两层非晶硅层厚度总和在100-160nm。
24、本专利技术的有益效果是，本专利技术的一种lpcvd分步沉积方法，可以使工艺时间缩短且气体用量减少，而达到降本和提产的作用；对非晶硅进行氢钝化，降低非晶硅表面的悬挂键，达到提效的目的。
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1.一种LPCVD分步沉积方法，其特征在于，先沉积一定厚度的非晶硅，然后升温后保持恒温，恒温后继续沉积，然后氢化，进行钝化处理。
2.如权利要求1所述的LPCVD分步沉积方法，其特征在于，包括以下步骤：
3.如权利要求2所述的LPCVD分步沉积方法，其特征在于，步骤1中，沉积30-50nm的多晶硅，步骤3在步骤1的基础上形成所需厚度的多晶硅。
4.如权利要求2所述的LPCVD分步沉积方法，其特征在于，步骤2的升温时间一般在100-300s。
5.如权利要求2所述的LPCVD分步沉积方法，其特征在于，步骤4的具体步骤为：
6.如权利要求2所述的LPCVD分步沉积方法，其特征在于，步骤1-3的具体步骤为：
【技术特征摘要】
1.一种lpcvd分步沉积方法，其特征在于，先沉积一定厚度的非晶硅，然后升温后保持恒温，恒温后继续沉积，然后氢化，进行钝化处理。
2.如权利要求1所述的lpcvd分步沉积方法，其特征在于，包括以下步骤：
3.如权利要求2所述的lpcvd分步沉积方法，其特征在于，步骤1中，沉积30-50nm的多晶硅，步骤3在步...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈龙，钱超，陈继，王赟，安平，王坤，张华东，孙莹，
申请(专利权)人：中科云网高邮新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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