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本发明涉及一种LPCVD分步沉积方法，先保持恒压、恒温，沉积20‑60nm厚度的非晶硅，然后升温后保持恒温，恒温后继续沉积形成所需厚度的多晶硅，在分步沉积完成后，采用PECVD法对LP后硅片进行氢钝化处理。本发明的一种LPCVD分步沉积方法...
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