【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片验证领域，尤其涉及一种判定异常芯片的方法、装置、电子设备及存储介质。
技术介绍
1、半导体芯片制造工艺不断发展，单位面积上晶体管数量快速增加，在单个晶体管的漏电无法明显降低的制约下，单颗芯片的总漏电也在快速增加，则晶圆测试时探针承受的电流也在快速增加。而晶圆探针电流耐受值有上限，高低温测试时的芯片总电流容易达到探针的电流耐受上限。且由于制造缺陷造成的高漏电芯片，在进行不同ip(全称：intellectual property，中文:知识产权核心)测试时更容易出现预期之外的大电流，发生烧针的概率进一步增大。为保证量产测试的顺利进行，必须在正常功能测试之前将漏电偏大的芯片筛除掉。
2、然而，现阶段的测试方法仅针对某一引脚进行一次固定档位测试，异常芯片的判定条件为固定的绝对值，没有考虑不同档位之间测量值的变化是否在正常范围内。也没有考虑不同晶圆之间的体质差异，造成了部分芯片在不同电压条件下测试时的电流值增加明显，而这些芯片在后续更高的电压下大概率会出现足以烧针的大电流。因此，容易造成判定条件过宽或者过窄的情况，从...
【技术保护点】
1.一种判定异常芯片的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的判定异常芯片的方法，其特征在于，所述预设异常判定规则包含的多个异常判定条件，包括以下判定条件中的至少两个：
3.根据权利要求2所述的判定异常芯片的方法，其特征在于，所述根据所述检测输出值的大小，确定所述第一芯片是否异常，包括：
4.根据权利要求2所述的判定异常芯片的方法，其特征在于，所述根据相邻两个检测输入值所对应的检测输出值的变化幅度，确定所述第一芯片是否异常，包括：
5.根据权利要求2所述的判定异常芯片的方法，其特征在于，所述根据相邻两个检测输入...
【技术特征摘要】
1.一种判定异常芯片的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的判定异常芯片的方法，其特征在于，所述预设异常判定规则包含的多个异常判定条件，包括以下判定条件中的至少两个：
3.根据权利要求2所述的判定异常芯片的方法，其特征在于，所述根据所述检测输出值的大小，确定所述第一芯片是否异常，包括：
4.根据权利要求2所述的判定异常芯片的方法，其特征在于，所述根据相邻两个检测输入值所对应的检测输出值的变化幅度，确定所述第一芯片是否异常，包括：
5.根据权利要求2所述的判定异常芯片的方法，其特征在于，所述根据相邻两个检测输入值所对应的输出值等级，确定所述第一芯片是否异常，包括：
6.根据权利要求1所述的判定异常芯片的方法，其特征在于，所述对第一晶圆上第一芯片的第一引脚，依次施加至少两个检测输入值，得到对应的检测输出值，包括：
7.根据权利要求1所述的判定异常芯片的方法，其特征在于，在对所述第一晶圆上的第一芯片进行异常检测之后，所述方法还包括：
8.根据权利要求7所述的判定异常芯片的方法，其特征在于，在检测输入值为电压值的情况下，所述基于所述第一晶圆上已检测的芯片的检测输出值，更新所述预设异常判定规则中的至少一个异常判定条件，包括：
9.根据权利要求7所述的判定异常芯片的方法，其特征在于，在检测输入值为电流值的情况下，所述基于所述第一晶圆上已检测的芯片的检测输出值，更新所述预设异常判定规则中的至少一个异常判定条件，包括：
10.根据权利要求7所述的判定异常芯片的方法，其特征在于，所述基于所述第一晶圆上已检测的芯片的检测输出值，更新所述预设异常判定规则中的至少一个异常判定条件，包括：
11.根据权利要求7所述的判定异常芯片的方法，其特征在于，所述基于所述第一晶圆上已检测的芯片的检测输出值，更新所述预设异常判定规则中的至少一个异常判定条件，包括：
12.根据权利要求7所述的判定异常芯片的方法，其特征在于，
13.根据权利要求12所述的判定异常芯片的方法，其特征在于，在检测输入值为电压值的情况下，所述基于所述第一晶圆上已检测的芯片的检测输出值，再次更新所述预设异常判定规则中的至少一个异常判定条件，包括：
14.根据权利要求12所述的判定异常芯片的方法，其特征在于，在检测输入值为电流值的情况下，所述基于所述第一晶圆上已检测的芯片的检测输出值，再次更新所述预设异常判定规则中的至少一个异常判定条件，包括：
15.根据权利要求12所述的判定异常芯片的方法，其特征在于，所述基于所述第一晶圆上已检测的芯片的检测输出值，再次更新所述预设异常判定规则中的至少一个异常判定条件，包括：
16.根据权利要求12所述的判定异常芯片的方法，其特征在于，所述基于所述第一晶圆上已检测的芯片的检测输出值，再次更新所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：董浩，
申请(专利权)人：海光云芯集成电路设计上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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