低功耗差分熔丝型存储器及模数转换器制造技术

本发明专利技术提供一种低功耗差分熔丝型存储器及模数转换器，结合锁存输出模块、差分预编程模块、差分熔丝编程模块及差分编程读取模块设计低功耗差分熔丝型存储器，通过锁存输出模块、差分熔丝编程模块及差分编程读取模块进行数据信号的写入、存储及读取，差分熔丝编程模块包括互补的第一熔丝编程单元和第二熔丝编程单元，在编程时，第一熔丝编程单元中的第一熔丝和第二熔丝编程单元中的第二熔丝中的一个被熔断、另一个未被熔断，以互补方式写入编程数据信号，后续编程数据信号以互补方式读取，并通过锁存输出模块进行比较及锁存输出，能有效纠正编程产生的误差，提升输出的编程数据信号的稳定性，且结构简单、各个模块分时工作，对应静态功耗低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路，特别是涉及一种低功耗差分熔丝型存储器及模数转换器。

技术介绍

1、现有高速高精度模数转换器一般采用多级流水线结构设计，cmos工艺流片加工。对模数转换器而言，目前cmos工艺下的晶体管、电阻及电容的加工精度和匹配度最高仅能达到10位精度，为满足更高精度的模数转换器设计要求，需要在转换器设计阶段就充分考虑对误差、匹配等的校正和校正信息的存储。高速高精度模数转换器误差及匹配的校正一般由电路设计者在流片后进行，校正信息确定并固化后无需更改，并要保证长期保存且不能断电丢失，其校正数据量大多在500bits以下。现有半导体存储器中的熔丝型存储器除可满足上述信息存储需求外，还具有兼容标准cmos工艺、无需额外工艺流程、成本低、结构简单且无需复杂辅助电路等特点，因此该存储器比较适合高速高精度模数转换器校正信息的存储。

2、但是，现有的熔丝型存储器存在不少缺陷：

3、1)、编程后的熔丝熔断不充分，导致后续读取电路中熔丝所在部分无法等效于开路，熔丝的阻值为一个中间值而无法趋近于无穷大，对应读取得到的数据信号为一个介于0和1之间本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种低功耗差分熔丝型存储器，其特征在于，所述低功耗差分熔丝型存储器包括多个差分熔丝型存储单元，每个所述差分熔丝型存储单元用于存储1位数据，所述差分熔丝型存储单元包括：

2.根据权利要求1所述的低功耗差分熔丝型存储器，其特征在于，所述锁存输出模块包括锁存器、第一缓冲器及第二缓冲器，所述锁存器的第一输入输出端接所述第一缓冲器的输入端，所述第一缓冲器的输出端输出数据信号，所述锁存器的第二输入输出端接所述第二缓冲器的输入端，所述第二缓冲器的输出端输出悬空信号，所述数据信号与所述悬空信号在预编程和熔丝编程时互补。

3.根据权利要求2所述的低功耗差分熔丝型存储器，其特征在...

【技术特征摘要】

1.一种低功耗差分熔丝型存储器，其特征在于，所述低功耗差分熔丝型存储器包括多个差分熔丝型存储单元，每个所述差分熔丝型存储单元用于存储1位数据，所述差分熔丝型存储单元包括：

2.根据权利要求1所述的低功耗差分熔丝型存储器，其特征在于，所述锁存输出模块包括锁存器、第一缓冲器及第二缓冲器，所述锁存器的第一输入输出端接所述第一缓冲器的输入端，所述第一缓冲器的输出端输出数据信号，所述锁存器的第二输入输出端接所述第二缓冲器的输入端，所述第二缓冲器的输出端输出悬空信号，所述数据信号与所述悬空信号在预编程和熔丝编程时互补。

3.根据权利要求2所述的低功耗差分熔丝型存储器，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的低功耗差分熔丝型存储器，其特征在于，

5.根据权利要求2所述的低功耗差分熔丝型存储器，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的低功耗差分熔丝型存储器，其特征在于，所述第九nmos管及所述第十一nmos管均为倒比管。

7.根据权利要求5所述的低功耗差分熔丝型存储器，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的低功耗差分熔丝型存储器，其特征在于，所述差分熔丝型存储单元还包括编程电压产生模块，所述编程电压产生模块根据所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王旭，刘涛，杨晗，吴雪美，夏世琴，周晓丹，邓民明，
申请(专利权)人：重庆吉芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：